Experimental verification of direct tunneling assisted electron capture of disordered-induced gap states in metal-insulator-semiconductor structures

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 41, Issue 11 A, 2002, Pages

  Castán, Helena ^a   Dueñas, Salvador ^a   Barbolla, Juan ^a  

^a UNIVERSITY OF VALLADOLID   (Spain)

Author keywords

Conductance transients; DIGS states; InP; MIS devices; Silicon nitride; Tunneling

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; ELECTRON TUNNELING; ENERGY GAP; SILICON NITRIDE; TRANSIENTS;

CONDUCTANCE TRANSIENTS; DIRECT TUNNELING; DISORDERED INDUCED GAP STATES; SEMICONDUCTOR CONDUCTION BAND;

MISFET DEVICES;

EID: 0036868551     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.41.l1215     Document Type: Letter

References (10)

1. L. He, H. Hasegawa, T. Sawada and H. Ohno: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 1512.
2. L. He, H. Hasegawa, T. Sawada and H. Ohno: J. Appl. Phys. 63 (1988) 2120.
3. S. Dueñas, R. Peláez, H. Castán, R. Pinacho, L. Quintanilla, J. Barbolla, I. Mártil and G. González-Díaz: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 826.
4. H. Castán, S. Dueñas, J. Barbolla, E. Redondo, N. Blanco, I. Mártil and G. González-Díaz: Microelectron. Reliab. 40 (2000) 845.
5. H. Castán, S. Dueñas, J. Barbolla, E. Redondo, I. Mártil and G. González-Díaz: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 6212.
6. H. Castán, S. Dueńas, J. Barbolla, N. Blanco, I. Mártil and G. González-Díaz: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 4479.
7. E. Redondo, I. Mártil, G. González-Díaz, H. Castán and S. Dueñas: J. Vac. Sci. & Technol. B 19 (2001) 186.
8. H. Castán, S. Dueñas, J. Barbolla, E. Redondo, I. Mártil and G. González-Díaz: J. Mater. Sci: Mater. in Electron. 12 (2001) 263.
9. S. García, I. Mártil, G. González-Díaz and M. Fernández: Semicond. Sci. & Technol. 12 (1997) 1650.
10. S. García, I. Mártil, G. González-Díaz, H. Castán, S. Dueñas, J. Barbolla and M. Fernández: J. Appl. Phys. 83 (1998) 600.