Nanoscale electrical conductivity and surface spectroscopic studies of indium-tin oxide

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 105, Issue 16, 2001, Pages 3282-3288

  Liau, Yish Hann ^a   Scherer, Norbert F ^a   Rhodes, Kent ^b  

^a UNIVERSITY OF CHICAGO   (United States)

^b MCCRONE ASSOCIATES INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INDIUM TIN OXIDE; INTERFACIAL ELECTRICLA CONDUCTIVITY; NANOMETER SCALE MAPPING; NANOSCALE ELECTRICAL CONDUCTIVITY; OXYGEN PLASMA; POLYMER FILMS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT DENSITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; INTERFACES (MATERIALS); NANOSTRUCTURED MATERIALS; OPTOELECTRONIC DEVICES; OXIDES; OXYGEN; PLASMA APPLICATIONS; SURFACE PHENOMENA; SURFACES; TRANSPARENCY;

INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0035953945     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0040749     Document Type: Article

References (41)

1. Eisgruber, I.; Engel, J.; Hollingsworth, R.; Rhat, P. Vacuum Thin Film Technol. 1999, 6, 21-25.
2. Tang, C. W.; Vanlyake, S. A. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913-915.
3. Burroughe, J. H.; Bragley, D. D. C.; Brown, A. R.; Marks, R. N.; Mackay, K.; Friend, R. H.; L., B. P.; B., H. A. Nature 1990, 347, 539-541.
4. Sheats, J. R.; Antoniadis, H.; Hueschen, M.; Leonard, W.; Miller, J.; Moon, R.; Roitman, D.; A., S. Science 1996, 273, 884-888.
5. Hide, F.; Diaz Garcia, M. A.; Schwanz, B. J.; Heeger, A. J. Acc. Chem. Res. 1997, 30, 430-436.
6. Sirringhaus, H.; Tessler, N.; Friend, R. H. Science 1998, 280, 1741-1744.
7. Campbell, I. H.; Davids, P. S.; Smith, D. L.; Barashkov, N. N.; Ferraris, J. P. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1863.
8. Kraft, A.; Grimsdale, A. C.; Holmes, A. B. Angew. Chem. 1998, 37, 402-428.
9. Friend, R. H.; Gymer, R. W.; Holmes, A. B.; Burroughes, J. H.; Marks, R. N.; Taliani, C.; Bradley, D. D. C.; Dos Santos, D. A.; Bredas, J. L.; Logdlund, M.; Salaneck, W. R. Nature 1999, 397, 121-128.
10. Greenham, N. C.; Moratti, S. C.; Bradley, D. D. C.; Friend, R. H.; Holmes, A. B. Nature 1993, 365, 628-630.
11. Burrows, P. E.; Bulovic, V.; Forrest, S. R.; Sapochak, L. S.; McCarty, D. M.; Thompson, M. E. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 2922-2924.
12. Parker, I. D. J. Appl. Phys. 1994, 75, 1656-1666.
13. Yang, Y.; Westerweele, E.; Zhang, C.; Smith, P.; Heeger, A. J. J. Appl. Phys. 1995, 77, 694-698.
14. Van Slyke, S. A.; Chen, C. H.; Tang, C. W. Appl Phys. Lett. 1996, 69, 2160-2162.
15. Wu, C. C.; Wu, C. I.; Sturm, J. C.; Kahn, A. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1348-1350.
16. Li, F.; Tang, H.; Shinar, J.; Resto, O.; Weisz, S. Z. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 2741-2743.
17. Furukawa, K.; Terasaka, Y.; Ueda, H.; Matsumura, M. Synth. Met. 1997, 91, 99-101.
18. Kim, J. S.; Granstrom, M.; Friend, R. H.; Johansson, N.; Salaneck, W. R.; Daik, R.; Feast, W. J.; Cacialli, F. J. Appl. Phys. 1998, 84, 6859-6870.
19. Kim, J. S.; Friend, R. H.; Cacialli, F. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3084-3086.
20. Mason, M. G.; Hung, L. S.; Tang, C. W.; Lee, S. T.; Wong, K. W.; Wang, M. Appl. Phys. Lett. 1999, 86, 1688-1692.
21. Steuber, F.; Staudigel, J.; Stossel, M.; Simmerer, J.; Winnacker, A. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3558-3560.
22. Tadayyon, S. M.; Griffiths, K.; Norton, P. R.; Tripp, C.; Popovic, Z. J. Vac. Sci. Technol., A 1999, 17, 1773-1778.
23. Nuesch, F.; Rothberg, L. J.; Forsythe, E. W.; Le, Q. T.; Gao, Y. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 880-882.
24. Choi, B.; Yoon, H.; Lee, H. H. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 412-414.
25. Milliron, D. J.; Hill, I. G.; Shen, C.; Kahn, A.; Schwanz, J. J. Appl. Phys. 2000, 87, 572-576.
26. Lidzey, D. G.; Bradley, D. D. C.; Alvarado, S. F.; Seidler, P. F. Nature 1997, 386, 135-135.
27. Alvarado, S. F.; Riess, W.; Seidler, P. F.; Strohriegl, P. Phys. Rev. 1997, 56, 1269-1278.
28. Alvarado, S. F.; Libioulle, L.; Seidler, P. F. Synth. Met. 1997, 91, 69-72.
29. Liau, Y. H.; Scherer, N. F. Proc. SPIE 1998, 3273, 203-205.
30. Briggs, D.; Seah, M. P. Practical Surface Analysis; John Wiley and Sons: New York, 1990.
31. Moulder, D.; Stiele, W. F.; Sobol, P. E.; Bomben, K. D. Handbook of Photoelectron Spectroscopy, Physical Electronics Inc.: 1992.
32. Cumpson, P. J.; Seah, M. P. Surf. Interface Anal. 1992, 18, 345-360.
33. Mahl, S.; Neumann, M.; Schielt, V.; Baalmann, A. Surf. Interface Anal. 1998, 22, 204-212.
34. Fowler, R. H.; Nordheim, L. Proc. R. Soc. London, A 1928, 779, 173.
35. Glass, R. C.; Spellman, L. M.; Davis, R. F. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2868.
36. Park, Y.; Choong, V.; Gao, Y.; Hsieh, B. R.; Tang, C. W. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2699.
37. Sugiyama, K.; Ishii, H.; Ouchi, Y.; Seki, K. J. Appl. Phys. 2000, 87, 295-298.
38. Cumpson, P. J.; Seah, M. P. Surf. Interface Anal. 1997, 25, 430446.
39. Kim, J. S.; Ho, P. K. H.; Thomas, D. S.; Friend, R. H.; Cacialli, F.; Bao, G. W.; Li, S. F. Y. Chem. Phys. Lett. 1999, 315, 307-312.
40. Purvis, K. L.; Lu, G.; Schwanz, J.; Bernasek, S. L. J. Am. Chem. Soc. 2000, 722, 1808-1809.
41. Wagner, C. D. NIST XPS Database; NIST. Washington,DC, 1989.