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Volumn 73, Issue 19, 1998, Pages 2778-2780

InGaN/GaN quantum wells studied by high pressure, variable temperature, and excitation power spectroscopy

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EID: 0012055741     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122588     Document Type: Article
Times cited : (111)

References (27)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.