SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 1, 2001, Pages 328-336

Interface state generation after hole injection

(6) Zhao, C Z a Zhang, J F a Groeseneken, G b Degraeve, R b Ellis, J N c Beech, C D c

a LIVERPOOL JOHN MOORES UNIVERSITY (United Kingdom)

b IMEC (Belgium)

c Mitel Semiconductor (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035397604 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.1377305 Document Type: Article

Times cited : (13)

References (30)

1
- 21544471157
- R. E. Stahlbush, A. H. Edwards, D. L. Griscom, and B. J. Mrstik, J. Appl. Phys. 73, 658 (1993).
- (1993) J. Appl. Phys. , vol.73 , pp. 658
- Stahlbush, R.E.¹ Edwards, A.H.² Griscom, D.L.³ Mrstik, B.J.⁴

2
- 0027853279
- N. S. Saks, R. B. Klein, R. E. Stahlbush, B. J. Mrstik, and R. W. Rendell, IEEE Trans. Nucl. Sci. 40, 1341 (1993).
- (1993) IEEE Trans. Nucl. Sci. , vol.40 , pp. 1341
- Saks, N.S.¹ Klein, R.B.² Stahlbush, R.E.³ Mrstik, B.J.⁴ Rendell, R.W.⁵

3
- 0024176412
- N. S. Saks, C. M. Dozier, and D. B. Brown, IEEE Trans. Nucl. Sci. 35, 1168 (1988).
- (1988) IEEE Trans. Nucl. Sci. , vol.35 , pp. 1168
- Saks, N.S.¹ Dozier, C.M.² Brown, D.B.³

4
- 0346840948
- D. L. Griscom, J. Appl. Phys. 58, 2524 (1985).
- (1985) J. Appl. Phys. , vol.58 , pp. 2524
- Griscom, D.L.¹

5
- 0020751109
- S. K. Lai, J. Appl. Phys. 54, 2540 (1983).
- (1983) J. Appl. Phys. , vol.54 , pp. 2540
- Lai, S.K.¹

6
- 36549092971
- D. A. Buchanan and D. J. DiMaria, J. Appl. Phys. 67, 7439 (1990).
- (1990) J. Appl. Phys. , vol.67 , pp. 7439
- Buchanan, D.A.¹ DiMaria, D.J.²

7
- 0001767480
- I. S. Al-kofahi, J. F. Zhang, and G. Groeseneken, J. Appl. Phys. 81, 2686 (1997).
- (1997) J. Appl. Phys. , vol.81 , pp. 2686
- Al-kofahi, I.S.¹ Zhang, J.F.² Groeseneken, G.³

8
- 0033900450
- J. F. Zhang, H. K. Su, G. Groeseneken, and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Devices 47, 378 (2000).
- (2000) IEEE Trans. Electron Devices , vol.47 , pp. 378
- Zhang, J.F.¹ Su, H.K.² Groeseneken, G.³ Degraeve, R.⁴

9
- 0033900450
- J. F. Zhang, H. K. Sii, G. Groeseneken, and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Devices 47, 378 (2000).
- (2000) IEEE Trans. Electron Devices , vol.47 , pp. 378
- Zhang, J.F.¹ Sii, H.K.² Groeseneken, G.³ Degraeve, R.⁴

10
- 84964004610
- Y. Roh, L. Trombetta, and D. J. DiMaria, J. Non-Cryst. Solids 187, 165 (1995).
- (1995) J. Non-Cryst. Solids , vol.187 , pp. 165
- Roh, Y.¹ Trombetta, L.² DiMaria, D.J.³

11
- 0000814330
- D. J. DiMaria, E. Cartier, and D. A. Buchanan, J. Appl. Phys. 80, 304 (1996).
- (1996) J. Appl. Phys. , vol.80 , pp. 304
- DiMaria, D.J.¹ Cartier, E.² Buchanan, D.A.³

12
- 21544458715
- D. J. DiMaria, E. Cartier, and D. Arnold, J. Appl. Phys. 73, 3367 (1993).
- (1993) J. Appl. Phys. , vol.73 , pp. 3367
- DiMaria, D.J.¹ Cartier, E.² Arnold, D.³

13
- 0000143441
- D. J. DiMaria, D. Arnold, and E. Cartier, Appl. Phys. Lett. 60, 2118 (1992).
- (1992) Appl. Phys. Lett. , vol.60 , pp. 2118
- DiMaria, D.J.¹ Arnold, D.² Cartier, E.³

14
- 0012717733
- D. J. DiMaria, D. A. Buchanan, J. H. Stathis, and R. E. Stahlbush, J. Appl. Phys. 77, 2032 (1995).
- (1995) J. Appl. Phys. , vol.77 , pp. 2032
- DiMaria, D.J.¹ Buchanan, D.A.² Stathis, J.H.³ Stahlbush, R.E.⁴

15
- 0001422334
- D. A. Buchanan, M. V. Fischetti, and D. J. DiMaria, Phys. Rev. B 43, 1471 (1991).
- (1991) Phys. Rev. B , vol.43 , pp. 1471
- Buchanan, D.A.¹ Fischetti, M.V.² DiMaria, D.J.³

16
- 0000635723
- D. Arnold, E. Cartier, and D. J. DiMaria, Phys. Rev. B 49, 10 278 (1994).
- (1994) Phys. Rev. B , vol.49 , pp. 10278
- Arnold, D.¹ Cartier, E.² DiMaria, D.J.³

17
- 0031187851
- D. J. DiMaria, Solid-State Electron. 41, 957 (1997).
- (1997) Solid-State Electron. , vol.41 , pp. 957
- DiMaria, D.J.¹

18
- 21544467967
- D. J. DiMaria and J. W. Stasiak, J. Appl. Phys. 65, 2342 (1989).
- (1989) J. Appl. Phys. , vol.65 , pp. 2342
- DiMaria, D.J.¹ Stasiak, J.W.²

19
- 0000515713
- D. J. DiMaria, J. Appl. Phys. 68, 5234 (1990).
- (1990) J. Appl. Phys. , vol.68 , pp. 5234
- DiMaria, D.J.¹

20
- 0000499258
- D. J. DiMaria, J. Appl. Phys. 86, 2100 (1999).
- (1999) J. Appl. Phys. , vol.86 , pp. 2100
- DiMaria, D.J.¹

21
- 0000399466
- D. J. DiMaria, J. Appl. Phys. 87, 8707 (2000).
- (2000) J. Appl. Phys. , vol.87 , pp. 8707
- DiMaria, D.J.¹

22
- 0021201529
- G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. De Keersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 42 (1984).
- (1984) IEEE Trans. Electron Devices , vol.ED-31 , pp. 42
- Groeseneken, G.¹ Maes, H.E.² Beltran, N.³ De Keersmaecker, R.F.⁴

23
- 0028697654
- R. E. Stahlbush and E. Cartier, IEEE Trans. Nucl. Sci. 41, 1844 (1994).
- (1994) IEEE Trans. Nucl. Sci. , vol.41 , pp. 1844
- Stahlbush, R.E.¹ Cartier, E.²

24
- 0001337609
- A. Stesmans and V. V. Afanas'ev, Appl. Phys. Lett. 72, 2271 (1998).
- (1998) Appl. Phys. Lett. , vol.72 , pp. 2271
- Stesmans, A.¹ Afanas'ev, V.V.²

25
- 36449003730
- J. M. M. de Nijs, K. G. Druijf, V. V. Afanas'ev, E. van der Drift, and P. Balk, Appl. Phys. Lett. 65, 2428 (1994).
- (1994) Appl. Phys. Lett. , vol.65 , pp. 2428
- De Nijs, J.M.M.¹ Druijf, K.G.² Afanas'ev, V.V.³ Van Der Drift, E.⁴ Balk, P.⁵

26
- 0001518203
- B. J. Mrstik, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, P. J. McMarr, and R. K. Lawrence, J. Appl. Phys. 85, 6577 (1999).
- (1999) J. Appl. Phys. , vol.85 , pp. 6577
- Mrstik, B.J.¹ Afanas'ev, V.V.² Stesmans, A.³ McMarr, P.J.⁴ Lawrence, R.K.⁵

27
- 0033190158
- R. E. Stahlbush, Microelectron. Eng. 48, 215 (1999).
- (1999) Microelectron. Eng. , vol.48 , pp. 215
- Stahlbush, R.E.¹

28
- 0031379596
- K. Vanheusden, R. A. B. Devine, J. R. Schwank, D. M. Fleetwood, R. G. Polcawich, W. L. Warren, S. P. Karna, and R. D. Pugh, IEEE Trans. Nucl. Sci. 44, 2087 (1997).
- (1997) IEEE Trans. Nucl. Sci. , vol.44 , pp. 2087
- Vanheusden, K.¹ Devine, R.A.B.² Schwank, J.R.³ Fleetwood, D.M.⁴ Polcawich, R.G.⁵ Warren, W.L.⁶ Karna, S.P.⁷ Pugh, R.D.⁸

29
- 0001532946
- P. J. Macfarlane and R. E. Stahlbush, Appl. Phys. Lett. 77, 3081 (2000).
- (2000) Appl. Phys. Lett. , vol.77 , pp. 3081
- Macfarlane, P.J.¹ Stahlbush, R.E.²

30
- 0001818038
- V. V. Afanas'ev and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 72, 79 (1998).
- (1998) Appl. Phys. Lett. , vol.72 , pp. 79
- Afanas'ev, V.V.¹ Stesmans, A.²

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.