The effect of the first GaN monolayer on the nitridation damage of molecular beam epitaxy grown GaN on GaAs(001)

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 7, 2001, Pages 3662-3667

  Zsebok O ^a   Thordson, J V ^a   Gunnarsson, J R ^a   Zhao, Q X ^a   Ilver, L ^a   Andersson, T G ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035310065     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1345516     Document Type: Article

References (30)

1. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
2. M. J. Paisley and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 127, 136 (1993).
3. W. Seifert and A. Tempel, Phys. Status Solidi A 23, K39 (1974).
4. H. Yang, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Status Solidi B 194, 109 (1996).
5. H. Okumura, K. Ohta, G. Feulliet, K. Balakrishnan, S. Chichibu, H. Hamaguchi, P. Hacke, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 178, 113 (1997).
6. R. Kimura, Y. Gotoh, T. Nagai, Y. Uchida, T. Matsuzawa, K. Takahashi, and C.-G. Schulz, J. Cryst. Growth 189/190, 406 (1998).
7. O. Brandt, H. Yang, A. Trampert, M. Wassermeier, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 71, 473 (1997).
8. O Brandt, H. Yang, B. Jennichen, Y. Suzuki, L. Däveritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 52, R2252 (1995).
9. D. Schikora, M. Hankeln, D. J. As, K. Lischka, T. Litz, A. Waag, T. Bhurow, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 54, R8381 (1996).
10. G. Feuillet, H. Hamaguchi, K. Ohta, P. Hacke, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 70, 1025 (1997).
11. H. Yang, O. Brandt, M. Wassermeier, H. P. Schonherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 69, 3227 (1996).
12. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
13. F. G. MacIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. ElMasry, Appl. Phys. Lett. 68, 40 (1996).
14. I. Aksenov, H. Iwai, Y. Nakada, and H. Okumura, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1525 (1999).
15. H. Okumura, K. Ohta, T. Nagamoto, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 164, 149 (1996).
16. R. J. Hauenstein, D. A. Collins, X. P. Cai, M. L. O'Steen, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 66, 2861 (1996).
17. S. Gwo, H. Tokumoto, and S. Miwa, Appl. Phys. Lett. 71, 362 (1997).
18. A. Hashimoto, T. Motizuki, H. Wada, A. Masuda, and A. Yamamoto, J. Cryst. Growth 201/202, 392 (1999).
19. D. M. Tricker, P. D. Brown, T. S. Cheng, C. T. Foxon, and C. J. Humphreys, Appl. Surf. Sci. 123/124, 22 (1998).
20. J. E. Northrup and S. Froyen, Phys. Rev. B 50, 2015 (1994).
21. L. C. Jenkins, T. S. Cheng, C. T. Foxon, S. E. Hooper, J. W. Orton, S. V. Novikov, and V. V. Tret'yakov, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1585 (1995).
22. P. Hill, D. I. Westwood, L. Haworth, J. Lu, and J. E. Macdonald, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1133 (1997).
23. M. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 1080 (1995).
24. Y. Seki, H. Watanabe, and J. Matsui, J. Appl. Phys. 49, 822 (1978).
25. X. L. Sun, Hui Yang, L. X. Zheng, D. P. Xu, J. B. Li, Y. T. Wang, G. H. Li, and Z. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 74, 2827 (1999).
26. K. H. Ploog, O. Brandt, H. Yang, and A. Trampert, Thin Solid Films 306, 231 (1997).
27. A. V. Andrianov, D. E. Lacklison, J. W. Orton, D. J. Dewsnip, S. E. Hooper, and C. T. Foxon, Semicond. Sci. Technol. 11, 366 (1996).
28. M. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 1080 (1995).
29. T. Suzuki and T. Nishinaga, J. Cryst. Growth 142, 49 (1994).
30. N. Inoue, J. Cryst. Growth 111, 75 (1991).