Nanoscale surface electrical properties of indium-tin-oxide films for organic light emitting diodes investigated by conducting atomic force microscopy

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 7, 2001, Pages 3976-3979

  Lin, Heh Nan ^a   Chen, Sy Hann ^b,c   Perng, Gung Yeong ^a   Chen, Show An ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c National Science Council   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035307823     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1353558     Document Type: Article

References (22)

1. J. R. Sheats, H. Antoniadis, M. Hueschen, W. Leonard, J. Miller, R. Moon, D. Roitman, and A. Stocking, Science 273, 884 (1996).
2. R. H. Friend et al., Nature (London) 397, 121 (1999).
3. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Piqué, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys. 86, 6451 (1999).
4. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70, 1348 (1997).
5. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998).
6. S. K. So, W. K. Choi, C. H. Cheng, L. M. Leung, and C. F. Kwong, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 68, 447 (1999).
7. S. J. O'Shea, R. M. Atta, M. P. Murrell, and M. E. Welland, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1945 (1995).
8. M. A. Lantz, S. J. O'Shea, and M. E. Welland, Phys. Rev. B 56, 15345 (1997).
9. A. Bietsch, M. A. Schneider, M. E. Welland, and B. Michel, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1160 (2000).
10. 2=0.2 (for ITO), a is determined to be 3.7 nm.
11. T. Nakao, T. Nakada, Y. Nakayama, K. Miyatani, Y. Kimura, Y. Saito, and C. Kaito, Thin Solid Films 370, 155 (2000).
12. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
13. H. Koyanagi, S. Hosaka, R. Imura, and M. Shirai, Appl. Phys. Lett. 67, 2609 (1995).
14. E. S. Snow, G. G. Jernigan, and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 1782 (2000).
15. N. P. Magtoto, C. Niu, B. M. Ekstrom, S. Addepalli, and J. A. Kelber, Appl. Phys. Lett. 77, 2228 (2000).
16. K. Sugiyama, H. Ishii, Y. Ouchi, and K. Seki, J. Appl. Phys. 87, 295 (2000).
17. D. J. Milliron, I. G. Hill, C. Shen, A. Kahn, and J. Schwartz, J. Appl. Phys. 87, 572 (2000).
18. Z. B. Deng, X. M. Ding, S. T. Lee, and W. A. Gambling, Appl. Phys. Lett. 74, 2227 (1999).
19. X. M. Ding, L. M. Hung, L. F. Cheng, Z. B. Deng, X. Y. Hou, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 2704 (2000).
20. C.-I. Chao, K.-R. Chuang, and S.-A. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2894 (1996).
21. J. Shen, D. Wang, E. Langlois, W. A. Barrow, P. J. Green, C. W. Tang, and J. Shi, Synth. Met. 111-112, 233 (2000).
22. Q. T. Le, F. M. Avendano, E. W. Forsythe, L. Yan, Y. Gao, and C. W. Tang, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2314 (1999).