Infrared studies on GaN single crystals and homoepitaxial layers

Journal of Crystal Growth

Volumn 218, Issue 2, 2000, Pages 161-166

  Frayssinet, E ^a,b   Knap, W ^a,b   Prystawko, P ^b   Leszczynski, M ^b   Grzegory, I ^b   Suski, T ^b   Beaumont, B ^c   Gibart, P ^c  

^a UNIVERSITÉ MONTPELLIER 2   (France)

^b INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

^c CRHEA CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL IMPURITIES; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SINGLE CRYSTALS;

GALLIUM NITRIDE; HOMOEPITAXY;

CRYSTAL GROWTH;

EID: 0034274441     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00537-6     Document Type: Article

References (24)

1. Beaumont B., Haffouz S., Gibart P. Appl. Phys. Lett. 72:1998;921.
2. Kim S.T., Lee Y.J., Moon D.C., Hong C.H., Yoo T.K. J. Crystal Growth. 194:1998;37.
3. Kornitzer K., Ebner T., Thonke K., Sauer R., Kirchner C., Schwegler V., Kamp M., Leszczynski M., Grzegory I., Porowski S. Phys. Rev. B. 60:1999;1471.
4. Leszczynski M., Beaumont B., Frayssinet E., Knap W., Prystawko P., Suski T., Grzegory I., Porowski S. Appl. Phys. Lett. 75:1999;1276.
5. Kamp M., Kirchner C., Schwegler V., Pelzmann A., Ebeling K.J., Leszczynski M., Grzegory I., Suski T., Porowski S. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 537:1999;G10.2.
6. Manchon D.D., Barker A.S. Jr., Dean P.J., Zetterstrom R.B. Solid State Commun. 8:1970;1277.
7. Barker A.S. Jr., Ilegems M. Phys. Rev. B. 7:1973;743.
8. Wisniewski P., Knap W., Malzac J.P., Camassel J., Bremser M.D., Davis R.F., Suski T. Appl. Phys. Lett. 73:1998;1760.
9. Hou Y.T., Feng Z.C., Chua S.J., Li M.F., Akutsu N., Matsumoto K. Appl. Phys. Lett. 75:1999;3117.
10. Frayssinet E., Knap W., Robert J.L., Prystawko P., Leszczynski M., Beaumont B., Gibart P., Suski T., Wisniewski P., Litwin-Staszewska E., Porowski S. Phys. Stat. Sol. B. 216:1999;91.
11. Porowski S., Grzegory I. Semicond. Semimetals. 55:1998;353.
12. Porowski S. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 537:1999;G1.3.
13. Weyher J.L., Müller S., Grzegory I., Porowski S. J. Crystal Growth. 182:1997;17.
14. Perlin P., Litwin-Staszewska E., Suchanek B., Knap W., Camassel J., Suski T., Piotrzkowski R., Grzegory I., Porowski S., Kaminska E., Chervin J.C. Appl. Phys. Lett. 68:1996;1114.
15. Cingolani A., Ferrara M., Lugara M., Scamarcio G. Solid State Commun. 58:1996;823.
16. Siegle H., Hoffmann A., Eckey L., Thomsen C., Christen J., Bertram F., Schmidt D., Rudloff D., Hiramatsu K. Appl. Phys. Lett. 71:1997;2490.
17. Zywietz T.K., Neugebauer J., Scheffler M. Appl. Phys. Lett. 74:1999;1695.
18. Saarinen K., Nissilä J., Hautojärvi P., Likonen J., Suski T., Grzegory I., Lucznik B., Porowski S. Appl. Phys. Lett. 75:1999;2441.
19. Pankove J.I., Torvik J.T., Qiu C.H., Grzegory I., Porowski S., Quigley P., Martin B. Appl. Phys. Lett. 74:1999;416.
20. Azuhata T., Shimada K., Deguchi T., Sota T., Suzuki K., Chichibu S., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 75:1999;2076.
21. Ejder E. Phys. Stat. Sol. A. 6:1971;445.
22. Kondo M., Anayama C., Okada N., Sekiguchi H., Domen N., Tanashi T. J. Appl. Phys. 76:1994;914.
23. Bhat R., Caneau C., Zah C.E., Koza M.A., Bonner W.A., Hwang D.M., Schwarz S.A., Menocal S.G., Favire F.G. J. Crystal Growth. 107:1991;772.
24. Kuech T.F., Veuhoff E. J. Crystal Growth. 68:1984;148.