Influence of Si doping on the infrared reflectance characteristics of GaN grown on sapphire

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 20, 1999, Pages 3117-3119

  Hou, Y T ^a   Feng, Z C ^b   Chua, S J ^a,b   Li, M F ^a   Akutsu, N ^c   Matsumoto, K ^c  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^c TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000576698     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125249     Document Type: Article

References (21)

1. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
3. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 921 (1997).
4. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 1848 (1998).
5. E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 73, 375 (1998).
6. I. H. Lee, J. J. Lee, P. Kung, F. J. Sanchez, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 74, 102 (1999).
7. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J. W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E. R. Weber, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).
8. K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, G. Popovici, H. Tang, W. Kim, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 71, 1368 (1997).
9. Y. H. Cho, J. J. Song, S. Kellor, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1128 (1998).
10. D. D. Manchon, A. S. Barker, Jr., P. J. Dean, and R. B. Zetterstrom, Solid State Commun. 8, 1277 (1970).
11. A. S. Barker, Jr. and M. Ilegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973).
12. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
13. C. Wetzel, D. Volm, B. K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, Appl. Phys. Lett. 65, 1033 (1994).
14. C. Wetzel, E. E. Haller, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 68, 2547 (1996).
15. G. Yu, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Egawa, J. Watanabe, T. Soga, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 73, 1472 (1998).
16. P. Wisniewski, W. Knap, J. P. Malzac, J. Camassel, M. D. Bremser, R. F. Davis, and T. Suski, Appl. Phys. Lett. 73, 1760 (1998).
17. J. A. Bardwell, M. W. C. Dharma-Wardana, B. Leathem, S. Moisa, J. B. Webb, and B. Tam, in III-V Nitride and Materials Process III, edited by T. D. Moustakes, S. E. Mohney, and S. J. Pearton (Electrochemical Society, New York, 1999), Vol. 98-18, p. 145.
18. Z. C. Feng, Y. T. Hou, S. J. Chua, and M. F. Li, Surf. Interface Anal. 28, 166 (1999).
19. T. Yang, S. Goto, M. Kawata, K. Uchida, A. Niwa, and J. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1105 (1998).
20. R. T. Holm, P. H. Klein, and P. E. R. Nordquist, Jr., J. Appl. Phys. 60, 1479 (1986).
21. S. Shokhovets, R. Goldhalm, V. Cimalla, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, J. Appl. Phys. 84, 1561 (1998).