Defects in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures: Stoichiometry, doping, and deactivation of n-type conductivity

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 4, 1999, Pages 1888-1897

  Laine, T ^a   Saarinen, K ^a   Hautojarvi P ^a   Corbel, C ^a   Missous, M ^b  

^a AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^b UNIVERSITY OF MANCHESTER   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BERYLLIUM; CARRIER MOBILITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; ELECTRON TRAPS; FERMI LEVEL; LOW TEMPERATURE PROPERTIES; MATHEMATICAL MODELS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; POSITRONS; SEMICONDUCTOR DOPING; STOICHIOMETRY;

BEAM-EQUIVALENT-PRESSURE (BEP) RATIO; POSITRON ANNIHILATIONS; POSITRON TRAPPING MODEL;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0032620643     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370984     Document Type: Article

References (43)

1. M. Missous, Microelection. J. 27, 393 (1996).
2. M. Missous, J. Appl. Phys. 78, 4467 (1995).
3. M. Missous and S. O'Hagan, J. Appl. Phys. 75, 3396 (1994).
4. S. O'Hagan and M. Missous, J. Appl. Phys. 75, 7835 (1994).
5. R. E. Pritchard, S. A. McQuaid, L. Hart, R. C. Newman, J. Mäkinen, H. J. von Bardeleben, and M. Missous, J. Appl. Phys. 78, 2411 (1995).
6. K. Saarinen, P. Hautojärvi, and C. Corbel, in Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola (Academic, New York, 1998), p. 209.
7. P. J. Schultz and K. G. Lynn, Rev. Mod. Phys. 60, 701 (1988).
8. M. J. Puska and R. M. Nieminen, Rev. Mod. Phys. 66, 841 (1994).
9. P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, and D. O. Welch, J. Appl. Phys. 76, 4935 (1994).
10. D. E. Bliss, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, K. T. Chan, and S. Tanigawa, J. Appl. Phys. 71, 1699 (1992).
11. J. Störmer, W. Trifthäuser, N. Hozhabri, and K. Alavi, Appl. Phys. Lett. 69, 1867 (1996).
12. P. Hautojärvi, J. Mäkinen, S. Palko, K. Saarinen, C. Corbel, and L. Liszkay, Mater. Sci. Eng., B 22, 16 (1993).
13. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 71, 638 (1997).
14. D. J. Keeble, M. T. Umlor, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, and P. W. Cooke, Appl. Phys. Lett. 63, 87 (1993).
15. S. Fleischer, C. D. Beling, S. Fung, W. R. Nieveen, J. E. Squire, J. Q. Zheng, and M. Missous, J. Appl. Phys. 81, 190 (1997).
16. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, J. Gebauer, and R. Krause-Rehberg, J. Appl. Phys. 83, 561 (1998).
17. K. Saarinen, P. Hautojärvi, P. Lanki, and C. Corbel, Phys. Rev. B 44, 10585 (1991).
18. M. Alatalo, H. Kauppinen, K. Saarinen, M. J. Puska, J. Mäkinen, P. Hautojärvi, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 51, 4176 (1995).
19. E. Soininen, J. Mäkinen, D. Beyer, and P. Hautojärvi, Phys. Rev. B 46, 13104 (1992).
20. Y. Y. Shan, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, S. Fung, and C. B. Beling, Phys. Rev. B 54, 1982 (1996).
21. Y. Y. Shan, K. G. Lynn, P. Asoka-Kumar, S. Fung, and C. B. Beling, Phys. Rev. B 55, 9897 (1997).
22. T. Laine, K. Saarinen, J. Mäkinen, P. Hautojärvi, C. Corbel, L. N. Pfeiffer, and P. H. Citrin, Phys. Rev. B 54, 11050 (1996).
23. T. Laine, K. Saarinen, J. Mäkinen, P. Hautojärvi, C. Corbel, M. J. Ashwin, and R. C. Newman, Appl. Phys. Lett. 71, 1843 (1997).
24. 0c) yields independent information for the identification of the vacancy.
25. C. Corbel, F. Pierre, P. Hautojärvi, K. Saarinen, and P. Moser, Phys. Rev. B 41, 10632 (1990).
26. C. Corbel, F. Pierre, K. Saarinen, P. Hautojärvi, and P. Moser, Phys. Rev. B 45, 3386 (1992).
27. K. Saarinen, S. Kuisma, J. Mäkinen, P. Hautojärvi, M. Törnqvist, and C. Corbel, Phys. Rev. B 51, 14152 (1995).
28. S. B. Zhang and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 67, 2339 (1991).
29. X. Liu, A. Prasad, W. M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Lilienthal-Weber, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 65, 3002 (1994).
30. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E. R. Weber, Z. Lilienthal-Weber, and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 67, 279 (1995).
31. H. J. von Bardeleben, M. O. Manasreh, D. C. Look, K. R. Evans, and C. E. Stutz, Phys. Rev. B 45, 3372 (1992).
32. D. C. Look, Z.-Q. Fang, J. R. Sizelove, and C. E. Stutz, Phys. Rev. Lett. 70, 465 (1993).
33. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, C. Domke, P. Ebert, and K. Urban, Phys. Rev. Lett. 78, 3334 (1997).
34. S. A. McQuaid, R. C. Newman, M. Missous, and S. O'Hagan, Appl. Phys. Lett. 61, 1 (1992).
35. J. E. Northrup and S. B. Zhang, Phys. Rev. B 47, 6791 (1993).
36. W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 50, 5221 (1994).
37. J.-L. Rouviere, Y. Kim, J. Cunningham, J. A. Rentschler, A. Bourret, and A. Ourmazd, Phys. Rev. Lett. 68, 2798 (1992).
38. D. J. Chadi, Phys. Rev. B 46, 9400 (1992).
39. J. I. Landman, C. G. Morgan, J. T. Schick, P. Papoulias, and A. Kumar, Phys. Rev. B 55, 15581 (1997).
40. T. Laine, K. Saarinen, and P. Hautojärvi (unpublished, 1998).
41. D. G. Deppe, N. Holonyak, Jr., and J. E. Baker, Appl. Phys. Lett. 52, 129 (1988).
42. D. G. Deppe, W. E. Plano, J. E. Baker, N. Holonyak, Jr., M. J. Ludowise, C. P. Kuo, R. M. Fletcher, T. D. Osentowski, and M. G. Craford, Appl. Phys. Lett. 53, 2211 (1988).
43. S. Yu, U. M. Gösele, and T. Y. Tan, J. Appl. Phys. 66, 2952 (1989).