Identification and quantification of defects in highly si-doped gaas by positron annihilation and scanning tunneling microscopy

Physical Review Letters

Volumn 78, Issue 17, 1997, Pages 3334-3337

  Gebauer, J ^a   Krause Rehberg, R ^a   Domke, C ^b   Ebert, Ph ^b   Urban, K ^b  

^a MARTIN LUTHER UNIVERSITY HALLE WITTENBERG   (Germany)

^b FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

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POINT DEFECTS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING;

POSITRON ANNIHILATION; POSITRON LIFETIME SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0031121916     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.78.3334     Document Type: Article

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