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Volumn 81, Issue 1, 1997, Pages 190-198

Structural and defect characterization of GaAs and AlxGa1-xAs grown at low temperature by molecular beam epitaxy

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EID: 0001451387     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364105     Document Type: Article
Times cited : (41)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.