Low-loss high-efficiency and high-power diode-pumped mid-infrared GaInSb/InAs quantum well lasers

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 26, 1998, Pages 3434-3436

  Le, H Q ^a   Lin, C H ^b   Pei, S S ^b  

^a MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^b UNIVERSITY OF HOUSTON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; INTERFACES (MATERIALS); LASER PULSES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; OPTICAL PUMPING; QUANTUM EFFICIENCY; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SEMICONDUCTOR LASERS; SUBSTRATES;

BUFFER LAYER; INTERVALENCE BAND ABSORPTION; LASER WAFERS;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 0032577830     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121657     Document Type: Article

References (18)

1. C.-H. Lin, R. Q. Yang, S. J. Murry, S. S. Pei, C. Yan, D. L. McDaniel, and M. Falcon, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 1573 (1997).
2. J. L. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
3. J. L. Malin, J. R. Meyer, C. L. Felix, C. A. Hoffman, L. Goldberg, F. J. Bartoli, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, R. Q. Yang, and S.-S. Pei, Appl. Phys. Lett. 68, 2976 (1996).
4. C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, D. Zhang, R. Q. Yang, S. S. Pei, J. I. Malin, J. Meyer, C. L. Felix, J. R. Lindle, L. Goldberg, C. A. Hoffman, and F. J. Bartoli, J. Electron. Mater. 26, 440 (1997).
5. C.-H. Lin, S. S. Pei, H. Q. Le, J. R. Meyer, and C. L. Felix, Appl. Phys. Lett. 71, 3281 (1997).
6. H. Q. Le, G. W. Turner, V. Daneu, J. R. Ochoa, H. K. Choi, A. Sanchez, D. L. Spears, and T. Y. Fan, Proceedings of 1996 IRIS Symposium, Baltimore, ERIM, Michigan, 1996;
7. H. Q. Le, G. W. Turner, and J. R. Ochoa, Diode Laser Technology Review, Vol. 10, U.S. Air Force Phillips Laboratory, 1997.
8. H. Q. Le, G. W. Turner, H. K. Choi, J. R. Ochoa, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Proc. SPIE 2382, 262 (1995).
9. H. Q. Le, G. W. Turner, and J. R. Ochoa, Electron. Lett. 32, 2359 (1996).
10. H. K. Choi, G. W. Turner, and M. J. Manfra, Electron. Lett. 32, 1296 (1996).
11. H. Q. Le, G. W. Turner, J. R. Ochoa, and A. Sanchez, Electron. Lett. 28, 1944 (1994).
12. A. N. Baranov, N. Bertru, Y. Cuminal, G. Boissier, C. Alibert, and A. Joullie, Appl. Phys. Lett. 71, 735 (1997).
13. A. Popov, V. Sherstnev, Y. Yakovlev, R. Mucke, and P. Werle, Appl. Phys. Lett. 68, 2790 (1996).
14. R. Q. Yang, B. H. Yang, D. Zhang, C. H. Lin, S. J. Murry, H. Wu, and S. S. Pei, Appl. Phys. Lett. 71, 2409 (1997).
15. H. Q. Le, G. W. Turner, and J. R. Ochoa, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 663 (1998).
16. C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, D. Zhang, Y. Zhou, S. S. Pei, J. I. Malin, and J. R. Meyer, J. Cryst. Growth 175, 955 (1997).
17. H. Q. Le, G. W. Turner, J. R. Ochoa, M. J. Manfra, C. C. Cook, and Y.-H. Zhang, Proc. SPIE 3001, 298 (1997).
18. H. Q. Le, C. H. Lin, S. J. Murray, R. Q. Yang, and S. S. Pei, IEEE J. Quantum Electron. 34, 1016 (1998).