Continuous-wave operation at 250 K of InGaN multiple quantum well laser diodes grown on 6H-SiC with vertical conducting structure

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 37, Issue 10 SUPPL. B, 1998, Pages

  Soejima, Reiko ^a   Kuramata, Akito ^a   Kubota, Shin Ichi ^a   Domen, Kay ^a   Horino, Kazuhiko ^a   Tanahashi, Toshiyuki ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

GaN; InGaN; Laser diodes; Multiple quantum well; SiC; Vertical conducting structure

Indexed keywords

CONTINUOUS WAVE LASERS; CURRENT DENSITY; ELECTRODES; HYDROGEN; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON CARBIDE; THRESHOLD VOLTAGE;

INDIUM GALLIUM NITRIDE; VERTICAL CONDUCTING STRUCTURES;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 0032182364     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.37.l1205     Document Type: Article

References (18)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2105.
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3034.
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sato and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
6. I. Akasaki, S. Sota, H. Sasaki, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
7. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315.
8. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzina: Electron. Lett. 33 (1997) 1556.
9. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1130.
10. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482 (1997) 1185.
11. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzina: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482 (1997) 1169.
12. M. P. Mack, A. C. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren and S. P. Denbaars: Internet. J. Nitride Semicond. Res. 2 (1997) 41.
13. F. Nakamura, T. Kobayashi, T. Asatsuma, K. Funato, K. Yanashima, S. Hashimoto, K. Naganuma, S. Tomioka, T. Miyajima, E. Morita, H. Kawai and M. Ikeda: Proc. Second Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima (1991) p. 460.
14. N. Yamada, Y. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Hidaka, S. Nakagawa, E. Marenger, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki: Proc. The 10th IEE/Lasers & Electro-Optics Society Annual Meet., (IEEE, San Francisco, 1997) PD 1.2.
15. A. S. Zubrilov, V. I. Nikolaev, D. V. Tsveetkov, V. A. Dmitriev, K. G. Irevine, J. A. Edmond and C. H. Carter, Jr.: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 533.
16. H. Amano, S. Sota, M. Nishikawa, M. Yoshida, M, Kawaguchi, M. Ohta, H. Sakai and I. Akasaki: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395 (1996) 869.
17. W. Shan, A. J. Fischer, J. J. Song, G. E. Bulman, H. S. Kong, M. T. Leonard, W. G. Perry, M. D. Bremser and R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 740.
18. A. Kuramata, K. Horino, K. Domen, R. Soejima, H. Sudo and T. Tanahashi: Proc. Int. Symp. Blue Laser & Light Emitting Diodes (Ohmsha, Tokyo, 1996) p. 80.