Rapid thermal N2O oxynitride on Si(100)

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 4, 1996, Pages 2882-2887

  Lu, Z H ^a  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000410872     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588929     Document Type: Article

References (20)

1. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
2. Y. Okada, P. J. Tobin, R. I. Hegde, J. Liao, and P. Rushbrook, Appl. Phys. Lett. 61, 3163 (1992).
3. Y. Okada, P. J. Tobin, V. Lakhotia, W. A. Feil, S. A. Ajuria, and R. I. Hegde, Appl. Phys. Lett. 63, 194 (1993).
4. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
5. M. Bhat, J. Ahn, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 1168 (1994).
6. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zink-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994).
7. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
8. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
9. R. I. Hegde, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
10. T. Hori, H. Iwasaki and K. Tsuji, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 340 (1989).
11. N. S. Saks, D. I. Ma, D. M. Fleetwood, and M. E. Twigg, in Symposium on Silicon Nitride and Silicon Oxide Thin Insulating Films, edited by V. J. Kapoor and W. D. Brown (The Electrochemical Society, New York, 1994), Vol. 94-16, p. 395.
12. J. Ahn, W. Ting, T. Chu, S. N. Lin, and D. L. Kwong, J. Electrochem. Soc. 138, L39 (1991).
13. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hegde, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
14. Y. Okada, P. J. Tobin, V. Likhotia, W. A. Feil, and R. I. Hegde, Appl. Phys. Lett. 63, 194 (1993).
15. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 57, 2808 (1990).
16. P. Lange, H. Bernt, E. Hartmannsgruber, and F. Naumann, J. Electrochem. Soc. 141, 259 (1994).
17. R. J. Hussey, T. L. Hoffman, Y. Tao, and M. J. Graham, J. Electrochem. Soc. 143, 221 (1996).
18. D. Krüger, R. Kurps, and G. Weidner, Semiconductor Sci. Technol. 8, 1706 (1993).
19. G. Weidner and D. Krüger, Appl. Phys. Lett. 62, 294 (1993).
20. Y. Okada, P. J. Tobin, V. Likhotia, W. A. Feil, R. I. Hegde, J. L. Liao, P. P. Rushbrook, and L. J. Arias, Jr., J. Electrochem. Soc. 140, L87 (1993).