Local interface composition and extended defect density in ZnSe/GaAs(011) and ZnSe/In0.04Ga0.96As(001) heterojunctions

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 15, Issue 4, 1997, Pages 1279-1285

  Heun, S ^a,b   Paggel, J J ^a,b,d   Sorba, L ^a,b,e   Rubini, S ^a,b   Franciosi, A ^a,b,f   Bonard, J M ^c   Ganiere J D ^c  

^a LABORATORIO TASC   (Italy)

^b University of Minnesota ^*  (United States)

^c EPFL   (Switzerland)

^d PHILIPPS UNIVERSITY MARBURG   (Germany)

^e CNR   (Italy)

^f UNIVERSITY OF TRIESTE   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004447611     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (33)

1. See, for example, Proc. SPIE 2346, 1 (1994), and references therein.
2. S. Guha, J. M. DePuydt, J. Qiu, G. E. Höfler, M. A. Haase, B. J. Wu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3023 (1993).
3. S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993).
4. J. Petruzzello, B. Greenberg, D. Cammack, and R. Dalby, J. Appl. Phys. 63, 2299 (1988).
5. J. L. Batstone, J. W. Steeds, and P. J. Wright, Philos. Mag. 66, 609 (1992).
6. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, J. M. DePuydt, H. Cheng, and J. Qiu, Appl. Phys. Lett. 63, 3197 (1993); L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, J. M. DePuydt, H. Cheng, and J. Qiu, Philos. Mag. A 69, 301 (1994).
7. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, J. M. DePuydt, H. Cheng, and J. Qiu, Appl. Phys. Lett. 63, 3197 (1993); L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, J. M. DePuydt, H. Cheng, and J. Qiu, Philos. Mag. A 69, 301 (1994).
8. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, G. Hofler, B. J. Wu, and M. A. Haase, Proc. SPIE 2228, 144 (1994).
9. J. Tanimura, O. Wada, T. Ogama, Y. Endoh, and M. Imaizumi, J. Appl. Phys. 77, 6223 (1995).
10. J. M. Gaines, J. Petruzzello, and B. Greenberg, J. Appl. Phys. 73, 2835 (1993).
11. S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993).
12. E. D. Bourret-Courchesne, Appl. Phys. Lett. 68, 1675 (1996).
13. R. Nicolini, L. Vanzetti, Guido Mula, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Peressi, S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, J. E. Angelo, and W. W. Gerberich, Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994).
14. A. Bonanni, L. Vanzetti, L. Sorba, A. Franciosi, M. Lomascolo, P. Prete, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett. 66, 1092 (1995).
15. V. Pellegrini, M. Börger, M. Lazzeri, F. Beltram, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, M. Lazzarino, A. Franciosi, J.-M. Bonard, and J.-D. Ganière, Appl. Phys. Lett. 69, 3233 (1996).
16. L. H. Kuo, K. Kimura, S. Miwa, T. Yasuda, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 69, 1408 (1996).
17. The CIL technique has been used previously by us to achieve Zn- and Se-rich interface compositions in ZnSe/GaAs(001) heterostructures and to tune the corresponding band offset (see Refs. 12-14). The present work focuses on the structural as opposed to the electronic effect of the CIL.
18. Minimum contrast is expected when g×b=0 for dislocations and g×R =0 or integer for the stacking faults, where g identifies the vector of the employed reflection, b the Burgers vector of the partial dislocation, and R the displacement vector of the stacking fault; see G. Thomas and M. J. Goringe, Transmission Electron Microscopy of Materials (Wiley, New York, 1979). More detail is provided in: J.-M. Bonard, J.-D. Ganière, S. Heun, J. J. Paggel, S. Rubini, L. Sorba, and A. Franciosi, Philos Mag. Lett. 75, 219 (1997).
19. Minimum contrast is expected when g×b=0 for dislocations and g×R =0 or integer for the stacking faults, where g identifies the vector of the employed reflection, b the Burgers vector of the partial dislocation, and R the displacement vector of the stacking fault; see G. Thomas and M. J. Goringe, Transmission Electron Microscopy of Materials (Wiley, New York, 1979). More detail is provided in: J.-M. Bonard, J.-D. Ganière, S. Heun, J. J. Paggel, S. Rubini, L. Sorba, and A. Franciosi, Philos Mag. Lett. 75, 219 (1997).
20. S. Heun, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Franciosi, J.-M. Bonard, and J.-D. Ganière, Appl. Phys. Lett. 70, 237 (1997); J.-M. Bonard, Ph.D. thesis. Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, Switzerland, 1996.
21. S. Heun, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Franciosi, J.-M. Bonard, and J.-D. Ganière, Appl. Phys. Lett. 70, 237 (1997); J.-M. Bonard, Ph.D. thesis. Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, Switzerland, 1996.
22. See, for example, K. R. Breen, P. N. Uppal, and J. S. Ahearn, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 758 (1989).
23. D. Li and M. Pashley, Phys. Rev. B 49, 13 643 (1994); S. Takatani, T. Kikawa, and M. Nakazawa, ibid. 45, 8498 (1992).
24. D. Li and M. Pashley, Phys. Rev. B 49, 13 643 (1994); S. Takatani, T. Kikawa, and M. Nakazawa, ibid. 45, 8498 (1992).
25. S. Heun, J. J. Paggel, S. Rubini, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2980 (1996).
26. A. Raisanen, L. J. Brillson, A. Franciosi, R. Nicolini, L. Vanzetti, and L. Sorba, J. Electron. Mater. 24, 163 (1995); A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995); A. D. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995).
27. A. Raisanen, L. J. Brillson, A. Franciosi, R. Nicolini, L. Vanzetti, and L. Sorba, J. Electron. Mater. 24, 163 (1995); A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995); A. D. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995).
28. A. Raisanen, L. J. Brillson, A. Franciosi, R. Nicolini, L. Vanzetti, and L. Sorba, J. Electron. Mater. 24, 163 (1995); A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995); A. D. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995).
29. G. Bratina, T. Ozzello, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2967 (1996); J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3135 (1996); G. Bratina, L. Vanzetti, A. Bonanni, L. Sorba, J. J. Paggel, A. Franciosi, T. Peluso, and L. Tapfer, J. Cryst. Growth 159, 703 (1996).
30. G. Bratina, T. Ozzello, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2967 (1996); J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3135 (1996); G. Bratina, L. Vanzetti, A. Bonanni, L. Sorba, J. J. Paggel, A. Franciosi, T. Peluso, and L. Tapfer, J. Cryst. Growth 159, 703 (1996).
31. G. Bratina, T. Ozzello, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2967 (1996); J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3135 (1996); G. Bratina, L. Vanzetti, A. Bonanni, L. Sorba, J. J. Paggel, A. Franciosi, T. Peluso, and L. Tapfer, J. Cryst. Growth 159, 703 (1996).
32. D. Li, J. M. Gonsalves, N. Otsuka, J. Qiu, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 57, 449 (1990).
33. L. H. Kuo, K. Kimura, T. Yasuda, S. Miwa, C. G. Lin, K. Tanaka, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 68, 2413 (1996).