Zn preadsorption on GaAs(100)2 × 4 prior to ZnSe growth

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 4, 1996, Pages 2980-2984

  Heun, S ^a  

^a University of Minnesota ^*  (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001512970     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588946     Document Type: Article

References (20)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
2. H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 59, 3619 (1991).
3. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda, and Y. Mori, Electron. Lett. 29, 1488 (1993).
4. D. Herve', R. Accomo, E. Molva, L. Vanzetti, J. J. Paggel, L. Sorba, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 67, 2144 (1995).
5. S. Guha, J. M. DePuydt, J. Qiu, G. E. Höfler, M. A. Haase, B. J. Wu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993).
6. G. C. Hua, N. Otsuka, S. M. Clark, D. C. Grillo, Y. Fan, J. Han, L. He, M. D. Ringle, R. L. Gunshor, M. Hovinen, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 65, 1331 (1994).
7. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, G. Hofler, B. J. Wu, and M. A. Haase, Proc. SPIE 2228, 144 (1994).
8. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B. J. Wu, J. M. DePuydt, G. M. Haugen, H. Cheng, S. Guha, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 65, 1230 (1994).
9. R. Nicolini, L. Vanzetti, Guido Mula, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Peressi, S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, J. E. Angelo, and W. W. Gerberich, Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994).
10. A. Franciosi, L. Vanzetti, A. Bonanni, L. Sorba, G. Bratina, and G. Biasiol, Proc. SPIE 2346, 100 (1994).
11. A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995).
12. A. D. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995).
13. A. Bonanni, L. Vanzetti, L. Sorba, A. Franciosi, M. Lomascolo, P. Prete, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett. 66, 1092 (1995).
14. L. Vanzetti, A. Bonanni, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Lomascolo, D. Greco, and R. Cingolani, J. Cryst. Growth 150, 765 (1995).
15. L. Sorba, G. Bratina, A. Antonini, A. Franciosi, L. Tapfer, A. Migliori, and P. Merli, Phys. Rev. B 46, 6834 (1992).
16. A. Franciosi, L. Sorba, G. Bratina, and G. Biasiol, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1628 (1993).
17. A. Franciosi, D. J. Peterman, J. H. Weaver, and V. L. Moruzzi, Phys. Rev. B 25, 4981 (1982).
18. 5/2 component was routinely obtained from an analysis of the lineshape of the Ga 3d emission in terms of two Voigt functions. Analogous results would have been obtained using the overall Ga 3d emission.
19. The RHEED patterns remained 2×4 throughout the temperature range explored in Fig. 5.
20. See G. Bratina, T. Ozzello, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2967 (1996).