Effects of interfacial chemistry on the formation of interfacial layers and faulted defects in ZnSe/GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 17, 1996, Pages 2413-2415

  Kuo, L H ^a   Kimura, K ^a   Yasuda, T ^a   Miwa, S ^a   Jin, C G ^a   Tanaka, K ^a   Yao, T ^a  

^a JT RES CENTER FOR ATOM TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001693171     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116151     Document Type: Article

References (12)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. AIP 59, 1272 (1991).
2. H. Okuyama, S. Itoh, M. Ikeda, and A. Ishibashi (private communication).
3. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B. J. Wu, G. M. Haugen, J. M. DePuydt, G. Hofler, and H. Cheng, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 13, 1694 (1995).
4. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B. J. Wu, G. Hofler, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 3298 (1995).
5. T. Yasuda, K. Kimura, S. Miwa, L. H. Kuo, C. Jin, K. Tanaka, and T. Yao (unpublished).
6. D. B. Biegelsen, R. D. Bringans, J. E. Northrup, and L. E. Swartz, Phys. Rev. 41, 5701 (1990).
7. 2 layers is larger than the values of 002-type structure factors for both GaAs and ZnSe.
8. S. P. Hirsch, A. Howie, R. B. Nicholson, D. W. Pashley, and M. J. Whelan, in Electron Microscopy of Thin Crystals (Krieger, New York, 1977), p. 327.
9. M. S. Abrahams, J. Blanc, and C. J. Buiocchi, Appl. Phys. Lett. AIP 21, 185 (1972).
10. R. J. Jones, S. Oberg, and S. Marklund, Philos. Mag. A 43, 839 (1981).
11. D. Li, J. M. Gonsalves, N. Otsuka, J. Qiu, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. AIP 57, 449 (1990).
12. A. D. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 3301 (1995).