Low-frequency noise and mobility fluctuations in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 23, 2000, Pages 3442-3444

  Garrido, J A ^a,b   Foutz, B E ^a   Smart, J A ^a   Shealy, J R ^a   Murphy, M J ^a   Schaff, W J ^a   Eastman, L F ^a   Munoz, E ^b  

^a Cornell University   (United States)

^b UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001642113     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126672     Document Type: Article

References (14)

1. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
2. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Yang, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 1089 (1998).
3. D. V. Kuksenkov, G. E. Giudice, H. Temkin, R. Gaska, A. Ping, and I. Adesida, Electron. Lett. 34, 2274 (1998).
4. J. A. Garrido, F. Calle, E. Muñoz, I. Izpura, J. L. Sánchez-Rojas, R. Li, and K. L. Wang, Electron. Lett. 34, 2357 (1998).
5. A. Balandin, S. V. Morozov, S. Cai, R. Li, K. L. Wang, G. Wijeratne, and C. R. Viswanathan, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 47, 1413 (1999).
6. J. Smart, A. T. Schremer, N. G. Weimann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
7. M. J. Murphy, K. Chu, H. Wu, W. Yeo, W. J. Schaff, O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1252 (1999).
8. K. Hirakawa and H. Sakaki, Phys. Rev. B 33, 8291 (1986).
9. F. N. Hooge, Physica B 83, 14 (1976).
10. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
11. J. A. Garrido, E. Monroy, I. Izpura, and E. Muñoz, Semicond Sci. Technol. 13, 563 (1998).
12. S. R. Morrison, J. Appl. Phys. 72, 4104 (1992).
13. M. A. Py and H. J. Buehlmann, J. Appl. Phys. 80, 1583 (1996).
14. L. B. Kiss and T. G. M. Kleinpenning, Physica B 145, 185 (1987).