A deep level transient spectroscopy characterization of defects induced in epitaxially grown n-Si by low-energy He-ion bombardment

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 10, 1998, Pages 5576-5581

  Auret, F D ^a   Deenapanray, P N K ^a   Goodman, S A ^a   Meyer, W E ^a   Myburg, G ^a  

^a UNIVERSITY OF PRETORIA   (South Africa)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001271435     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367395     Document Type: Article

References (20)

1. K. Kumar, A. I. Chou, P. Choudhury, J. C. Lee, and J. K. Lowell, Appl. Phys. Lett. 70, 384 (1997).
2. L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, M. Bhat, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 16, 319 (1995).
3. B. Maiti, P. J. Tobin, Y. Okada, K. G. Reid, S. A. Ajuria, R. I. Hedge, and V. Kaushik, IEEE Electron Device Lett. 17, 279 (1996).
4. H. R. Soleimani, B. S. Doyle, and A. Philipossian, J. Electrochem. Soc. 142, L132 (1995).
5. C. Lin, A. I. Chou, P. Choudhury, J. C. Lee, K. Kumar, B. Doyle, and H. R. Soleimani, Appl. Phys. Lett. 69, 3701 (1996).
6. J. A. Diniz, P. J. Tatsch, and M. A. A. Pudenzi, Appl. Phys. Lett. 69, 2214 (1996).
7. T. Kuroi, M. Shirahata, Y. Okumura, S. Shimizu, A. Teramoto, M. Anma, M. Inuishi, and H. Miyoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1454 (1996).
8. S. I. Raider, R. A. Gdula, and J. R. Petrak, Appl. Phys. Lett. 27, 150 (1975).
9. 2 Interface-2, edited by C. R. Helms and B. E. Deal (Plenum, New York, 1993), p. 7.
10. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
11. Z. H. Lu, R. J. Hussey, M. J. Graham, R. Cao, and S. P. Tay, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2882 (1996).
12. J.-J. Ganem, I. Trimaille, S. Rigo, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 68, 2366 (1996).
13. H. T. Tang, W. N. Lennard, C. S. Zhang, K. Griffiths, B. Li, L. C. Feldman, and M. L. Green, J. Appl. Phys. 80, 1816 (1996).
14. D. G. J. Sutherland, H. Akatsu, M. Copel, and F. J. Himpsel, J. Appl. Phys. 78, 6761 (1995).
15. S. Dimitrijev, D. Sweatman, and H. B. Harrison, Appl. Phys. Lett. 62, 1539 (1993).
16. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys. 70, 1072 (1991); C. Lin, A. I. Chou, P. Choudhury, J. C. Lee, K. Kumar, B. Doyle, and H. R. Soleimani, Appl. Phys. Lett. 69, 3701 (1996).
17. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys. 70, 1072 (1991); C. Lin, A. I. Chou, P. Choudhury, J. C. Lee, K. Kumar, B. Doyle, and H. R. Soleimani, Appl. Phys. Lett. 69, 3701 (1996).
18. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, J. Electrochem. Soc. 142, 1205 (1995).
19. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, J. Electrochem. Soc. 143, 2939 (1996).
20. I. Vickridge and G. Amsel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 45, 6 (1990).