Conductive atomic force microscopy study of InGaN films grown by hot-wall epitaxy with a mixed (Ga+In) source

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 3, 2000, Pages 1670-1673

  Iwata, Futoshi ^a   Chu, Shucheng ^a   Sasaki, Akira ^a   Ishino, Kenji ^a   Ishida, Akihiro ^a   Fujiyasu, Hiroshi ^a  

^a SHIZUOKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001200955     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373869     Document Type: Article

References (20)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasawa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugioto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
4. M. D. McCluskey, L. T. Ramano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
5. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
6. C. J. Sun et al., Appl. Phys. Lett. 70, 2978 (1997).
7. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abrare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
8. L. T. Ramano, B. S. Krusor, M. D. McCluskey, and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998).
9. K. Uchida, M. Kawata, T. Yang, S. Goto, T. Mishima, A. Niwa, and J. Gotoh, J. Electron. Mater. 28, 246 (1999).
10. T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sakai, and A. Katsui, Appl. Phys. Lett. 59, 2251 (1991).
11. S. Nakamura and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1457 (1992).
12. A. Ishida, E. Yamamoto, K. Ishino, K. Ito, and H. Fujiyasu, Appl. Phys. Lett. 67, 665 (1995).
13. S. C. Chu, K. Fujimura, D. Suzuki, S. Sakakibara, F. Tanoue, A. Ishida, K. Ishino, K. Aiki, and H. Fujiyasu, J. Cryst. Growth 189/190, 340 (1998).
14. S. C. Chu et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L427 (1999).
15. S. C. Chu et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 4973 (1999).
16. H. Harima, E. Kurimoto, Y. Sone, S. Nakashima, S. Chu, A. Ishida, and H. Fujiyasu, Phys. Status Solidi B 216, 785 (1999).
17. D. L. Klein and P. L. McEuen, Appl. Phys. Lett. 66, 2478 (1995).
18. H. Fujisawa and M. Shimmizu, Appl. Phys. Lett. 71, 416 (1997).
19. V. Shevyakov, S. Lemeshko, and V. Roschin, Nanotechnology 9, 352 (1998).
20. P. Pong and Lee F. Donaghey, J. Chem. Eng. Data 21, 370 (1976).