Variable-dose (1017-1020cm-3) phosphorus ion implantation into 4H-SiC

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 10, 2000, Pages 5630-5634

  Handy, Evan M ^a   Rao, Mulpuri V ^a   Holland, O W ^b   Jones, K A ^c   Derenge, M A ^c   Papanicolaou, N ^d  

^a Krasnow Institute for Advanced Study   (United States)

^b OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^d NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001163021     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1319161     Document Type: Article

References (27)

1. B. J. Baliga, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 1 (1996).
2. C. E. Weitzel, Mater. Sci. Forum 264-268, 907 (1998).
3. L. V. Rozario, L. P. Sadwick, R. J. Hwu, and D. B. King, Proceedings of the Fourth International High Temperature Electron. Conference (HiTec), Albuquerque, NM (June, 1998), p. 29 (unpublished).
4. C. E. Weitzel and K. E. Moore, J. Electron. Mater. 27, 8010 (1998).
5. M. V. Rao, J. B. Tucker, O. W. Holland, N. Papanicolaou, P. H. Chi, J. W. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Electron. Mater. 28, 334 (1999).
6. J. B. Tucker, M. V. Rao, O. W. Holland, P. H. Chi, J. A. Freitas, Jr., and N. Papanicolaou, Diamond Relat. Mater. 9, 1887 (2000).
7. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Nakata, and M. Watanabe, J. Electron. Mater. 24, 235 (1995).
8. J. Gardner, M. V. Rao, O. W. Holland, G. Kelner, D. S. Simons, P. H. Chi, J. M. Andrews, J. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Electron. Mater. 25, 885 (1996).
9. J. Gardner, M. V. Rao, Y. L. Tiam, O. W. Holland, E. G. Roth, P. H. Chi, and I. Ahmad, J. Electron. Mater. 26, 144 (1997).
10. T. Kimoto, N. Inoue, and H. Matsunami, Phys. Status Solidi A 162, 263 (1997).
11. M. A. Capano, R. Santhakumar, R. Venugopal, M. R. Melloch, and J. A. Cooper, Jr., J. Electron. Mater. 29, 210 (2000).
12. V. Khemka, R. Patel, N. Ramungul, T. P. Chow, M. Ghezzo, and J. Kretchmer, J. Electron. Mater. 28, 167 (1999).
13. S. Imai, S. Kobayashi, T. Shinohe, K. Fukuda, Y. Tanaka, J. Senzaki, H. Tanoue, N. Kobayashi, and H. Okashi, Mater. Sci. Forum 338-342, 861 (2000).
14. T. Troffer, C. Peppermuller, G. Pensl, K. Rottner, and A. Schoner, J. Appl. Phys. 80, 3739 (1996).
15. M. V. Rao, J. A. Gardner, P. H. Chi, O. W. Holland, G. Kelner, J. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Appl. Phys. 81, 6635 (1997).
16. J. A. Gardner, A. Edwards, M. V. Rao, N. Papanicolaou, G. Kelner, O. W. Holland, M. A. Capano, M. Ghezzo, and J. Kretchmer, J. Appl. Phys. 83, 5118 (1998).
17. T. Ohshima, A. Uedono, H. Itoh, M. Yoshikawa, K. Kojima, S. Okada, I. Nashiyama, K. Abe, S. Tanigawa, T. Frank, and G. Pensl, Mater. Sci. Forum 338-342, 857 (2000).
18. K. A. Jones, K. Xie, D. W. Eckart, M. C. Wood, V. Talyansky, R. D. Vispute, T. Venkatesan, K. Wongchotigul, and M. Spencer, J. Appl. Phys. 83, 8010 (1998).
19. E. M. Handy, M. V. Rao, K. A. Jones, M. A. Derenge, P. H. Chi, R. D. Vipute, T. Venkatesan, N. A. Papanicolaou, and J. Mittereder, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
20. M. Ghezzo, D. M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, W. Hennessy, D. L. Polla, and H. Bakhru, IEEE Electron Device Lett. 13, 639 (1992).
21. M. A. Capano, S. Ryu, M. R. Melloch, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Buss, J. Electron. Mater. 27, 370 (1998).
22. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. P. Strunk, and M. Maier, Phys. Status Solidi A 162, 277 (1997).
23. M. A. Capano, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, A. Saxler, and W. C. Mitchel, Mater. Sci. Forum 338-342, 703 (2000).
24. M. V. Rao, J. B. Tucker, M. C. Ridgway, O. W. Holland, N. Papanicolaou, and J. Mittereder, J. Appl. Phys. 86, 752 (1999).
25. S. Seshadri, G. W. Eldridge, and A. K. Agarwal, Appl. Phys. Lett. 72, 2026 (1998).
26. K. Abe, T. Oshima, H. Itoh, Y. Aoki, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, and M. Iwami, Mater. Sci. Forum 264-268, 721 (1998).
27. N. Inoue, A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami, T. Nakata, and M. Inoue, J. Electron. Mater. 26, 165 (1997).