Effects of processing on the characteristics of SrBi2Ta2O9 films prepared by metalorganic decomposition

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 2, 2000, Pages 1035-1041

  Li, Aidong ^a   Wu, Di ^a   Ling, Huiqin ^a   Yu, Tao ^a   Wang, Mu ^a   Yin, Xiaobo ^a   Liu, Zhiguo ^a   Ming, Naiben ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001041638     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373773     Document Type: Article

References (27)

1. J. F. Scott and C. A. Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. J. F. Scott, Ferroelectr. Rev. 1, 1 (1998).
3. R. Dat, D. J. Lichtenwalner, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 64, 2673 (1994).
4. C. A. Araujo, J. D. Cuchlaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
5. G. A. Smolenskii, V. A. Isupov, and A. I. Agemovskaya, Sov. Phys. Solid State 1, 1969 (1959).
6. S. B. Desu and L. Ti, Mater. Sci. Eng., B 34, L4 (1995).
7. P. Y. Chu, R. E. Jones, D. J. Taylor, J. P. Zurther, B. Jiang, S. J. Gillespie, Y. T. Lii, M. Kottke, P. Fejes, and W. Chen, J. Mater. Res. 11, 1065 (1996).
8. T. Nagahama, T. Manabe, L. Yamaguchi, T. Kumagi, S. Mizuta, and T. Tsuchiya, J. Mater. Res. 14, 3090 (1999).
9. T. Ito, M. Ushikubo, S. Yokoyama, H. Matsunaga, T. Atsuki, T. Yonezawa, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4925 (1996).
10. M. Klee and U. Mackens, Integr. Ferroelectr. 12, 11 (1996).
11. R. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67, 572 (1995).
12. H. M. Yang, S. L. Luo, and W. T. Lin, J. Mater. Res. 12, 1145 (1997).
13. N. J. Seony, C. H. Yang, W. C. Shin, and S. G. Yoon, Appl. Phys. Lett. 72, 1374 (1998).
14. J. K. Lee, T. K. Song, and H. J. Jung, Integr. Ferroelectr. 15, 115 (1997).
15. R. W. Vest, Ferroelectrics 102, 53 (1990).
16. T. J. Boyle, C. D. Buchheit, M. A. Rodriguez, H. N. Ai-Shareef, B. A. Hernandez, B. Scott, and J. W. Ziller, J. Mater. Res. 11, 2274 (1996).
17. M. A. Rodriguez, T. J. Boyle, B. A. Hernandez, A. Hernandez, C. D. Buchheit, and M. O. Eatough, J. Mater. Res. 11, 2282 (1996).
18. M. A. Rodriguez, T. J. Boyle, C. D. Buchheit, R. G. Tissot, A. D. Bernadette, A. Hernandez, and M. O. Eatough, Integr Ferroelectr. 14, 201 (1997).
19. C. Isobe, T. Ami, K. Hironaka, K. Watanabe, M. Sugiyama, N. Nagel, K. Katori, Y. Ikeda, C. D. Gutleben, M. Tanaka, H. Yamoto, and H. Yagi, Integr. Ferroelectr. 14, 95 (1997).
20. M. Alexe, J. F. Scott, C. Curran, and N. D. Zakharov, Appl. Phys. Lett. 73, 1592 (1998).
21. K. Watanabe, A. J. Hartmann, R. N. Lamb, and J. F. Scott, Integr. Ferroelectr. 21, 241 (1998).
22. J. S. Zhu, X. B. Zhang, Y. F. Zhu, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 83, 1610 (1998).
23. M. M. El-Aiat and F. A. Kröger, J. Appl. Phys. 53, 3658 (1982).
24. E. Msatsushita and A. Tanase, Solid State Ionics 97, 45 (1997).
25. A. J. Hartmann and J. F. Scott, Ferroelectr. Lett. 23, 75 (1997).
26. A. D. Li, D. Wu, C. Z. Ge, C. Y. Xu, J. Zuo, M. S. Zhang, and N. B. Ming, J. Appl. Phys. 85, 2146 (1999).
27. J. F. Scott, A. J. Hartmann, R. N. Lamb, F. M. Ross, A. De Vilbis, C. A. Paz de Araujo, M. C. Scott, and G. Derbenwick, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 433, 77 (1996).