Aluminum, magnesium, and gold contacts to contamination free n-GaN surfaces

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 1, 2001, Pages 425-429

  Wu, C I ^a   Kahn, A ^a   Wickenden, A E ^b   Koleske, D ^b   Henry, R L ^b  

^a Princeton University   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000635703     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1331653     Document Type: Article

References (24)

1. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
2. S. Nakamura, Diamond Relat. Mater. 5, 496 (1996).
3. M. S. Shur and M. A. Khan, Mater. Res. Bull. 22, 2,44 (1997).
4. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
5. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
6. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
7. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Wang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
8. V. M. Bermudez, T. M. Jung, K. Doverspike, and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 79, 110 (1996).
9. T. U. Kampen and W. Monch, Appl. Surf. Sci. 117/118, 388 (1997).
10. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
11. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
12. L. L. Smith and R. F. Davis, in Properties of Group III Nitrides, edited by J. H. Edgar (INSPEC, London, 1994).
13. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996).
14. C. I. Wu, A. Kahn, N. Taskar, D. Dorman, and D. Gallapher, J. Appl. Phys. 83, 4249 (1998).
15. S. M. Sze, in Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1993).
16. M. Drechsler, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1178 (1995).
17. Y. Kribes, I. Harrison, B. Tuck, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Semicond. Sci. Technol. 12, 913 (1997).
18. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
19. E. V. Kalinina, N. I. Kuznetsov, V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, and C. H. Carter, Jr., J. Electron. Mater. 25, 831 (1996).
20. L. Wang, M. I. Nathan, T. H. Lim, A. M. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
21. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Roland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
22. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, in Metal-Semiconductor Contacts (Oxford University Press, Oxford 1988).
23. See, for example, N. Newman, W. E. Spicer, T. Kendelewicz, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 931 (1986).
24. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 86, 1170 (1999).