Strongly localized excitons in gallium nitride

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 18, 1996, Pages 2556-2558

  Wetzel, C ^a   Fischer, S ^a   Kruger J ^a   Haller, E E ^a   Molnar, R J ^b   Moustakas, T D ^b   Mokhov, E N ^c   Baranov, P G ^c  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b BOSTON UNIVERSITY   (United States)

^c IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0345726543     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116182     Document Type: Article

References (31)

1. B. Goldenberg, J. D. Zook, and R. J. Ulmer, Appl. Phys. Lett. AIP 62, 381 (1993).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 1687 (1994).
3. R. J. Molnar and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 268 (1995).
4. H. Morkoc and S. N. Mohammad, Science INS 267, 51 (1995).
5. Yu. A. Vodakov, M. I. Karkina, and E. N. Mokhov, Inorg. Mater. 16, 537 (1980); Yu. A. Vodakov, E. N. Mokhov, and A. D. Roenkov, USSR Patent 1136501 (1983).
6. C. Wetzel, D. Volm, B. K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, Appl. Phys. Lett. AIP 65, 1033 (1994).
7. R. J. Molnar and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. AIP 76, 4587 (1994).
8. R. Singh, R. J. Molnar, M. S. Unlu, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 336 (1994).
9. B. Monemar, Phys. Rev. B AIP 10, 676 (1974).
10. W. Götz, D. B. Obermann, and J. S. Harris, Jr., Mater. Res. Soc. Proc. 378 (1995).
11. B. K. Meyer (private communication).
12. U. Strauss (private communication).
13. J. I. Pankove, J. E. Berkeyheiser, H. P. Maruska, and J. Wittke, Solid State Commun. INS 8, 1051 (1970).
14. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilgems, Phys. Rev. B AIP 4, 1211 (1971).
15. M. Ilegems, R. Dingle, and R. A. Logan, J. Appl. Phys. AIP 43, 3797 (1972).
16. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. AIP 44, 4234 (1973).
17. O. Lagerstedt and B. Monemar, J. Appl. Phys. AIP 45, 2266 (1974).
18. R. Dai, S. Fu, J. Xie, G. Fan, G. Hu, H. Schrey, and C. Klingshirn, J. Phys. C INS 15, 393 (1982).
19. C. H. Hong, D. Pavlidis, S. W. Brown, and S. C. Rand, J. Appl. Phys. AIP 77, 1705 (1995).
20. M. Mizuta, S. Fujieda, Y. Matsumoto, and T. Kawamura, Jpn. J. Appl. Phys. INS 52, L945 (1986).
21. T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham, and J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. AIP 59, 944 (1991).
22. T. Lei, J. K. F. Ludwig, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. AIP 74, 4430 (1993).
23. L. Eckey, J. C. Holst, P. Maxim, R. Heitz, A. Hoffmann, I. Broser, B. K. Meyer, C. Wetzel, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov (unpublished).
24. S. Fischer, C. Wetzel, E. E. Haller, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 67, 1248 (1995).
25. K. W. Böer, Survey of Semiconductor Physics, Vol. 1 (Van Nostrand Reinhold, New York, 1990).
26. D. J. Chadi and K. J. Chang, Phys. Rev. B AIP 39, 10063 (1989).
27. C. Wetzel, W. Walukiewicz, E. E. Haller, H. Amano, and I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Proc. 378 (1995).
28. S. J. Hwang, W. Shan, R. J. Hauenstein, J. J. Song, M.-E. Lin, S. Strite, B. N. Sverdlov, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 2928 (1994).
29. A. Naumov, K. Wolf, T. Reisinger, H. Stanzl, and W. Gebhardt, J. Appl. Phys. AIP 73, 2581 (1993).
30. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 1249 (1995).
31. J. Krüger (unpublished).