Porous field-effect transistors based on a semiconductive metal-organic framework

Journal of the American Chemical Society

Volumn 139, Issue 4, 2017, Pages 1360-1363

  Wu, Guodong ^a   Huang, Jiahong ^a,b   Zang, Ying ^a   He, Jun ^b   Xu, Gang ^a  

^a FUJIAN INSTITUTE OF RESEARCH ON THE STRUCTURE OF MATTER   (China)

^b GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTIVE MATERIALS; CRYSTALLINE MATERIALS; ORGANIC POLYMERS; ORGANOMETALLICS;

ACTIVE MATERIAL; ELECTRONIC DEVICE; FIELD EFFECT TRANSISTOR (FETS); INTERFACIAL GROWTH; METAL ORGANIC FRAMEWORK; METALORGANIC FRAMEWORKS (MOFS); P-TYPE BEHAVIORS; SOLUTION-PROCESSED;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

METAL ORGANIC FRAMEWORK;

AQUEOUS SOLUTION; ARTICLE; COMPARATIVE STUDY; CONTROLLED STUDY; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRIC CONDUCTANCE; ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EFFECT TRANSISTOR; POROSITY; REACTION TIME; SEMICONDUCTOR; SURFACE AREA;

EID: 85011310375     PISSN: 00027863     EISSN: 15205126     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jacs.6b08511     Document Type: Article

References (52)

1. Zhou, H. C.; Long, J. R; Yaghi, O. M. Chem. Rev. 2012, 112, 673.
2. (a) Chandler, B. D.; Enright, G. D.; Udachin, K A.; Pawsey, S.; Ripmeester, J. A.; Cramb, D. T.; Shimizu, G. K. H. Nat. Mater. 2008, 7, 229.
3. (b) Banerjee, R.; Phan, A.; Wang, B.; Knobler, C.; Furukawa, H.; O'Keeffe, M.; Yaghi, O. M. Science 2008, 319, 939.
4. (c) Furukawa, H.; Cordova, K. E.; O'Keeffe, M.; Yaghi, O. M. Science 2013, 341, 1230444.
5. (d) He, Y.; Zhou, W.; Qian, G; Chen, B. Chem. Soc. Rev. 2014, 43, 5657.
6. (e) Li, J. R.; Kuppler, R J.; Zhou, H. C. Chem. Soc. Rev. 2009, 38, 1477.
7. (a) Campbell, M. G.; Sheberla, D.; Liu, S. F.; Swager, T. M.; Dinca, M. Angew. Chem., Int. Ed. 2015, 54, 4349.
8. (b) Kambe, T.; Sakamoto, R; Hoshiko, K; Takada, K; Miyachi, M.; Ryu, J. H.; Sasaki, S.; Kim, J.; Nakazato, K; Takata, M.; Nishihara, H. J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 2462.
9. (c) Talin, A. A.; Centrone, A.; Ford, A. C.; Foster, M. E.; Stavila, V.; Haney, P.; Kinney, R A.; Szalai, V.; El Gabaly, F.; Yoon, H. P.; Leonard, F.; Allendorf, M. D. Science 2014, 343, 66.
10. (d) Kambe, T.; Sakamoto, R; Kusamoto, T.; Pal, T.; Fukui, N.; Hoshiko, K; Shimojima, T.; Wang, Z.; Hirahara, T.; Ishizaka, K; Hasegawa, S.; Liu, F.; Nishihara, H.J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 14357.
11. (e) Hmadeh, M.; Lu, Z.; Liu, Z.; Gandara, F.; Furukawa, H.; Wan, S.; Augustyn, V.; Chang, R; Liao, L.; Zhou, F.; Perre, E.; Ozolins, V.; Suenaga, K; Duan, X.; Dunn, B.; Yamamto, Y.; Terasaki, O.; Yaghi, O. M. Chem. Mater. 2012, 24, 3511.
12. Erickson, K J.; Leonard, F.; Stavila, V.; Foster, M. E.; Spataru, C. D.; Jones, R E.; Foley, B. M.; Hopkins, P. E.; Allendorf, M. D.; Talin, A. A. Adv. Mater. 2015, 27, 3453.
13. (a) Pan, L.; Ji, Z.; Yi, X.; Zhu, X.; Chen, X.; Shang, J.; Liu, G; Li, R.W. Adv. Funct. Mater. 2015, 25, 2677.
14. (b) Yoon, S. M.; Warren, S. C.; Grzybowski, B. A. Angew. Chem., Int. Ed. 2014, 53, 4437.
15. Campbell, M. G.; Liu, S. F.; Swager, T. M.; Dinca, M.J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 13780.
16. Dacey, G. C.; Ross, I. M. Bell Syst. Tech. J. 1955, 34, 1149.
17. (a) Guo, Y.; Yu, G.; Liu, Y. Adv. Mater. 2010, 22, 4427.
18. (b) Gui, E. L.; Li, L. J.; Zhang, K.; Xu, Y.; Dong, X.; Ho, X.; Lee, P. S.; Kasim, J.; Shen, Z. X.; Rogers, J. A.; Mhaisalkar, S. G. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 14427.
19. (c) Mushrush, M.; Facchetti, A.; Lefenfeld, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 9414.
20. (d) Karnik, R.; Fan, R.; Yue, M.; Li, D. Y.; Yang, P. D.; Majumdar, A. Nano Lett. 2005, 5, 943.
21. Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
22. Stavila, V.; Talin, A. A.; Allendorf, M. D. Chem. Soc. Rev. 2014, 43, 5994.
23. (a) Phung, T.; Zhang, Y. L.; Dunlop, J.; Dalziel, J. Biosens. Bioelectron. 2011, 26, 3127.
24. (b) Karnik, R.; Fan, R.; Yue, M.; Li, D. Y.; Yang, P. D.; Majumdar, A. Nano Lett. 2005, 5, 943.
25. (c) Yu, C.; Davey, M. H.; Svec, F.; Frechet, J. M. J. Anal. Chem. 2001, 73, 5088.
26. (d) Sainato, M.; Strambini, L. M.; Rella, S.; Mazzotta, E.; Barillaro, G. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 7136.
27. Zan, H. W.; Dai, M. Z.; Hsu, T. Y.; Lin, H. C.; Meng, H. F.; Yang, Y. S. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1143.
28. Lee, D. H.; Chang, Y. J.; Stickle, W.; Chang, C. H. Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 10, K51.
29. Mahmood, J.; Lee, E. K.; Jung, M.; Shin, D.; Jeon, I. Y.; Jung, S. M.; Choi, H. J.; Seo, J. M.; Bae, S. Y.; Sohn, S. D.; Park, N.; Oh, J. H.; Shin, H. J.; Baek, J. B. Nat. Commun. 2015, 6, 6486.
30. Feldblyum, J. I.; McCreery, C. H.; Andrews, S. C.; Kurosawa, T.; Santos, E. J. G.; Duong, V.; Fang, L.; Ayzner, A. L.; Bao, Z. N. Chem. Commun. 2015, 51, 13894.
31. Chen, B.; Xiang, S.; Qian, G. Acc. Chem. Res. 2010, 43, 1115.
32. O'Keeffe, M.; Yaghi, O. M. Chem. Rev. 2012, 112, 675.
33. (a) Dong, H. L.; Fu, X. L.; Liu, J.; Wang, Z. R.; Hu, W. P. Adv. Mater. 2013, 25, 6158.
34. (b) Sun, H. B.; Wang, Q. J.; Qian, J.; Yin, Y.; Shi, Yi.; Li, Y. Semicond. Sci. Technol. 2015, 30, 054001.
35. (c) Ahn, B. D.; Jeon, H.-J.; Sheng, J.; Park, J.; Park, J.-S. Semicond. Sci. Technol. 2015, 30, 064001.
36. (d) Wang, Z. W.; Nayak, P. K.; Caraveo-Frescas, J. A.; Alshareef, H. N. Adv. Mater. 2016, 28, 3831.
37. Sheberla, D.; Sun, L.; Blood-Forsythe, M. A.; Er, S.; Wade, C. R.; Brozek, C. K.; Aspuru-Guzik, A.; Dinca, M. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 8859.
38. Isz, S.; Weissbuch, I.; Kjaer, K.; Bouwman, W. G.; Als-Nielsen, J.; Palacin, S.; Ruaudel-Teixier, A.; Leiserowitz, L.; Lahav, M. Chem. - Eur. J. 1997, 3, 930.
39. Rao, C. N.; Kalyanikutty, K. P. Acc. Chem. Res. 2008, 41, 489.
40. Xu, G.; Otsubo, K.; Yamada, T.; Sakaida, S.; Kitagawa, H. J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 7438.
41. DeBlase, C. R.; Silberstein, K. E.; Truong, T. T.; Abruna, H. D.; Dichtel, W. R. J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 16821.
42. Miner, E. M.; Fukushima, T.; Sheberla, D.; Sun, L.; Surendranath, Y.; Dinca, M. Nat. Commun. 2016, 7, 10942.
43. Grosvenor, A. P.; Biesinger, M. C.; Smart, R. S.; McIntyre, N. S. Surf. Sci. 2006, 600, 1771.
44. Li, Y.; Liu, C.; Xu, Y.; Minari, T.; Darmawan, P.; Tsukagoshi, K. Org. Electron. 2012, 13, 815.
45. Robertson, J. Rep. Prog. Phys. 2006, 69, 327.
46. (a) Eda, G.; Chhowalla, M. Adv. Mater. 2010, 22, 2392.
47. (b) Sirringhaus, H. Adv. Mater. 2014, 26, 1319.
48. (c) Facchetti, A.; Yoon, M. H.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
49. Noro, S.; Chang, H. C.; Takenobu, T.; Murayama, Y.; Kanbara, T.; Aoyama, T.; Sassa, T.; Wada, T.; Tanaka, D.; Kitagawa, S.; Iwasa, Y.; Akutagawa, T.; Nakamura, T. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 10012.
50. Sun, L.; Campbell, M. G.; Dinca, M. Angew. Chem., Int. Ed. 2016, 55, 3566.
51. Schwierz, F. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487.
52. Huang, X.; Sheng, P.; Tu, Z. Y.; Zhang, F. J.; Wang, J. H.; Geng, H.; Zou, Y.; Di, C. A.; Yi, Y. P.; Sun, Y. M.; Xu, W.; Zhu, D. B. Nat. Commun. 2015, 6, 7408.