메뉴 건너뛰기




Volumn 89, Issue , 2016, Pages 204-215

Strain engineering the charged-impurity-limited carrier mobility in phosphorene

Author keywords

Band structure; Carrier mobility; Phosphorene; Strain; Tight binding model

Indexed keywords

ANISOTROPY; BAND STRUCTURE; BINS; CARRIER CONCENTRATION; CARRIER MOBILITY; HAMILTONIANS;

EID: 84947741502     PISSN: 07496036     EISSN: 10963677     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.spmi.2015.10.049     Document Type: Article
Times cited : (14)

References (41)
  • 16
    • 84910117480 scopus 로고    scopus 로고
    • M. Ezawa New J. Phys. 16 2014 115004 115017
    • (2014) New J. Phys. , vol.16 , pp. 115004-115017
    • Ezawa, M.1
  • 22
    • 84947763096 scopus 로고    scopus 로고
    • B. Amorim, A. Cortijo, F. de Juan, A. G. Grushin, F. Guinea, A. Gutierrez-Rubio, H. Ochoa, V. Parente, R. Roldan, P. San-Jose, J. Schiefele, M. Sturla, M. A. H. Vozmediano, arXiv:1503.00747
    • B. Amorim, A. Cortijo, F. de Juan, A. G. Grushin, F. Guinea, A. Gutierrez-Rubio, H. Ochoa, V. Parente, R. Roldan, P. San-Jose, J. Schiefele, M. Sturla, M. A. H. Vozmediano, arXiv:1503.00747.
  • 35
    • 84947812539 scopus 로고    scopus 로고
    • J.-W. Jiang, arXiv:1503.00200
    • J.-W. Jiang, arXiv:1503.00200.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.