Position-controlled growth of GaN nanowires and nanotubes on diamond by molecular beam epitaxy

Nano Letters

Volumn 15, Issue 3, 2015, Pages 1773-1779

  Schuster, Fabian ^a   Hetzl, Martin ^a   Weiszer, Saskia ^a   Garrido, Jose A ^a   De La Mata, María ^b   Magen, Cesar ^c   Arbiol, Jordi ^b,d,e,f   Stutzmann, Martin ^a  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF MUNICH   (Germany)

^b INSTITUT DE CIÈNCIA DE MATERIALS DE BARCELONA ICMAB CSIC   (Spain)

^c UNIVERSITY OF ZARAGOZA   (Spain)

^d INSTITUCIÓ CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANÇATS ICREA   (Spain)

^e ALBA SYNCHROTRON LIGHT SOURCE   (Spain)

^f CATALAN INSTITUTE OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY ICN2   (Spain)

Author keywords

GaN; molecular beam epitaxy; Nanowires; polarity; proximity effects; selective area growth

Indexed keywords

DIAMONDS; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; NANOTUBES; NANOWIRES; SUBSTRATES; YARN; ZINC SULFIDE;

COMPETITIVE GROWTH; DIFFUSION BEHAVIOR; GAN; GROWTH CONDITIONS; POLARITY; PROXIMITY EFFECTS; SELECTIVE AREA GROWTH; SUBSTRATE TEMPERATURE;

POSITION CONTROL;

EID: 84924535068     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl504446r     Document Type: Article

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