Tailoring the electronic structure of epitaxial graphene on SiC(0001): Transfer doping and hydrogen intercalation

Carbon Nanostructures

Volumn 0, Issue 9783642206436, 2012, Pages 39-49

  Coletti, C ^a,b   Forti, S ^a   Emtsev, K V ^a   Starke, U ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b CENTER FOR NANOTECHNOLOGY INNOVATION NEST   (Italy)

Author keywords

Bilayer graphene; Dirac point; Graphene surface; Monolayer graphene; Ultra high vacuum

Indexed keywords

ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY GAP; HALL MOBILITY; HOLE MOBILITY; HYDROGEN; NANOELECTRONICS; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON CARBIDE; ULTRAHIGH VACUUM;

ACCEPTOR MOLECULES; BILAYER GRAPHENE; DIRAC POINT; EPITAXIAL GRAPHENE; HYDROGEN INTERCALATION; MOLECULAR FUNCTIONALIZATION; NON-COVALENT FUNCTIONALIZATION; TETRAFLUORO-TETRACYANOQUINODIMETHANE;

GRAPHENE;

EID: 84908281090     PISSN: 21913005     EISSN: 21913013     Source Type: Book Series    
DOI: 10.1007/978-3-642-20644-3_6     Document Type: Chapter

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