Surfaces and interfaces of nanoscale silicon materials

Materials Research Society Symposium Proceedings

Volumn 1550, Issue , 2013, Pages 1-12

  Wagner, Sean R ^a   Zhang, Pengpeng ^a  

^a MICHIGAN STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRONIC STRUCTURE; INTERFACES (MATERIALS); NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; SEMICONDUCTING SILICON; SILICON; SURFACE CHEMISTRY; SURFACES; TWO DIMENSIONAL;

CONTROLLED PROPERTIES; ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES; ELECTRONIC CONDUCTION; ORGANIC THIN FILMS; SILICON-BASED ELECTRONICS; SINGLE-CRYSTALLINE; SURFACE AND INTERFACES; SURFACES AND INTERFACES;

SURFACE PROPERTIES;

EID: 84893235788     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/opl.2013.609     Document Type: Conference Paper

References (42)

1. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).
2. F. Léonard and A. A. Talin, Nat. Nanotechnol. 6, 773 (2011).
3. J. Stangl, V. Holý, G. Bauer, Rev. Mod. Phys.76, 725 (2004).
4. H. Y. Li, O. Wunnicke, M. T. Borgström, W. G. G. Immink, M. H. M. van Weert, M. A. Verheijen, and E. P. A. M. Bakkers, Nano Lett. 7, 1144 (2007).
5. M. T. Björk, H. Schmid, J. Knoch, H. Riel, and W. Riess, Nat. Nanotechnol.4, 103 (2009).
6. J. C. Ho, R. Yerushalmi, Z. A. Jacobson, Z. Fan, R. L. Alley, and A. Javey, Nat. Mater. 7, 62 (2008).
7. M. Li, G. Xing, L. F. N. A. Qune, G. Xing, T. Wu, C. H. A. Huan, X. Zhang, and T. C. Sum, Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 3075 (2012).
8. A. D. Schricker, F. M. Davidson III, R. J. Wiacek, and B. A. Korgel, Nanotechnology 17, 2681 (2006).
9. J. Jie, W. Zhang, K. Peng, G. Yuan, C. S. Lee, and S.-T. Lee. Adv. Funct. Mater. 18, 3251 (2008).
10. D. Jena and A. Konar, Phys. Rev. Lett. 98, 136805 (2007).
11. J. Tang, K. W. Kemp, S. Hoogland, K. S. Jeong, H. Liu, L. Levina, M. Furukawa, X. Wang, R. Debnath, D. Cha, K. W. Chou, A. Fischer, A. Amassian, J. B. Asbury, and E. H. Sargent, Nat. Mater. 10, 765 (2011).
12. M. V. Wolkin, J. Jorne, and P. M. Fauchet, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
13. M. Soreni-Harari, N. Yaacobi-Gross, D. Steiner, A. Aharoni, U. Banin, O. Millo, and N. Tessler, Nano Lett. 8, 678 (2008).
14. D.-H. Kim, R. Ghaffari, N. Lu, and J. A. Rogers, Annu. Rev. Biomed.Eng. 14, 113 (2012).
15. M. Ying, A. P. Bonifas, N. Lu, Y. Su, R. Li, H. Cheng, A. Ameen, Y. Huang, and J. A. Rogers, Nanotechnology 23, 344004 (2012).
16. C. C. B. Bufon, J. D. A. Espinoza, D. J. Thurmer, M. Bauer, C. Deneke, U. Zschieschang, H. Klauk, and O. G. Schmidt, Nano Lett. 11, 3727 (2011).
17. J. Yoon, A. J. Baca, S.-I. Park, P. Elvikis, J. B. Geddes III, L. Li, R. H. Kim, J. Xiao, S. Wang, T.-H. Kim, M. J. Motala, B. Y. Ahn, E. B. Duoss, J. A. Lewis, R. G. Nuzzo, P. M. Ferreira, Y. Huang, A. Rockett, and J. A. Rogers, Nat. Mater.7, 907 (2008).
18. Y. Yang, Y. Hwang, H. A. Cho, J.-H.Song, S.-J. Park, J. A. Rogers, and H. C. Ko, Small 7, 484 (2011).
19. F. Cavallo and M. G. Lagally, Soft Matter 6, 439 (2010).
20. C. Yan, W. Xi, W. Si, J. Deng, and O. G. Schmidt, Adv. Mater. 25, 539 (2013).
21. P. P. Zhang, E. Tevaarwerk, B.-N. Park, D. E. Savage, G. K. Celler, I. Knezevic, P. G. Evans, M. A. Eriksson, and M. G. Lagally, Nature 439, 703 (2006).
22. P. Strobel, M. Riedel, J. Ristein, and L. Ley, Nature 430, 439 (2004).
23. D. K. Schroder, in Semiconductor Material and Device Characterization, (Wiley, New York, 1998).
24. P. P. Zhang, E. P. Nordberg, B.-N.Park, G. K. Celler, I. Knezevic, P. G. Evans, M. A. Eriksson, and M. G. Lagally, New J. Phys. 8, 200 (2006).
25. W. Peng, Z. Aksamija, S. A. Scott, J. J. Endres, D. E. Savage, I. Knezevic, M. A. Eriksson, and M. G. Lagally, Nat. Commun. 4, 1339 (2013).
26. G. Ashkenasy, D. Cahen, R. Cohen, A. Shanzer, and A. Vilan, Acc. Chem. Res. 35, 121 (2002).
27. J. V. Barth, Annu. Rev. Phys. Chem. 58, 375 (2007).
28. S. Duhm, G. Heimel, I. Salzmann, H. Glowatzki, R. L. Johnson, A. J. Vollmer, J. P. Rabe, and N. Koch, Nat. Mater. 7, 326 (2008).
29. I.-W. Lyo, E. Kaxiras, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 63, 1261 (1989).
30. S. R. Wagner, R. R. Lunt, and P. P. Zhang, Phys. Rev. Lett. 110, 086107 (2013).
31. M. V. Martínez-Díaz, G. de la Torre, and Tomás, Chem. Commun. 46, 7090 (2010).
32. D. E. Hooks, T. Fritz, and M. D. Ward, Adv. Mater. 13, 227(2001).
33. J. Hwang, A. Wan, and A. Kahn, Mater. Sci. Eng. R 64, 1 (2009).
34. Y. Wakayama, J. Phys. Chem. C 111, 2675 (2008).
35. S. Kowarik, A. Gerlach, S. Sellner, F. Schreiber, L. Cavalcanti, and O. Konovalov, Phys. Rev. Lett. 96, 125504 (2006).
36. J. Götzen, D. Käfer, C. Wöll, and G. Witte, Phys. Rev. B 81, 085440 (2010).
37. S. E. Fritz, S. M. Martin, C. D. Frisbie, M. D. Ward, and M. F. Toney, J. Am. Chem. Soc. 126, 4084 (2004).
38. A. B. Chwang and C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 90, 1342 (2001).
39. J. E. Goose, E. L. First, and P. Clancy, Phys. Rev. B 81, 205310 (2010).
40. M. H. Xie, S. M. Seutter, W. K. Zhu, L. X. Zheng, H. Wu, and S. Y. Tong, Phys. Rev. Lett. 82, 2749 (1999).
41. E. Kol'tsov, T. Basova, P. Semyannikov, Mater. Chem. Phys. 86, 222 (2004).
42. K. Byrappa, T. Ohachi, W. Michaeli, H. Warlimont, and E. Weber, in Crystal Growth Technology, (William Andrew Inc., 2003), Ch. 2: pp. 25-54.