Property transformation of graphene with Al2O3 films deposited directly by atomic layer deposition

Applied Physics Letters

Volumn 104, Issue 2, 2014, Pages

  Zheng, Li ^a,b   Cheng, Xinhong ^a   Cao, Duo ^a,b   Wang, Zhongjian ^a,b   Xia, Chao ^a,b   Yu, Yuehui ^a   Shen, Dashen ^c  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

^c UNIVERSITY OF ALABAMA IN HUNTSVILLE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALD GROWTH; DIRAC POINT; GRAPHENE DOPING; GROWTH PROCESS; HYSTERESIS EFFECT; NEGATIVE GATE; P-DOPING; PROPERTY TRANSFORMATION;

ALUMINUM; ATOMIC LAYER DEPOSITION; DEPOSITION; SEMICONDUCTOR DOPING;

GRAPHENE;

EID: 84893087248     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4861861     Document Type: Article

References (33)

1. C. Macilwain, Nature 436, 22 (2005). 10.1038/436022a
2. R. F. Service, Science 323, 1000 (2009). 10.1126/science.323.5917.1000
3. Z. X. Wang, H. L. Xu, Z. Y. Zhang, S. Wang, L. Ding, Q. S. Zeng, L. J. Yang, T. Pei, X. L. Liang, M. Gao, and L. M. Peng, Nano Lett. 10, 2024 (2010). 10.1021/nl100022u
4. Y. Q. Wu, P. D. Ye, M. A. Capano, Y. Xuan, Y. Sui, M. Qi, J. A. Cooper, T. Shen, D. Pandey, G. Prakash, and R. Reifenberger, Appl. Phys. Lett. 92, 092102 (2008). 10.1063/1.2889959
5. C. G. Kang, Y. G. Lee, S. K. Lee, E. Park, C. Cho, S. K. Lim, H. J. Hwang, and B. H. Lee, Carbon 53, 182 (2013). 10.1016/j.carbon.2012.10.046
6. R. Gillen and J. Robertson, Phys. Rev. B 82, 125406 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.125406
7. V. Singh, D. Joung, L. Zhai, S. Das, S. I. Khondaker, and S. Seal, Prog. Mater. Sci. 56, 1178 (2011). 10.1016/j.pmatsci.2011.03.003
8. L. Liao, J. W. Bai, R. Cheng, Y. C. Lin, S. Jiang, Y. Huang, and X. F. Duan, Nano Lett. 10, 1917 (2010). 10.1021/nl100840z
9. B. Dlubak, P. R. Kidambi, R. S. Weatherup, S. Hofmann, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 100, 173113 (2012). 10.1063/1.4707376
10. J. K. Park, S. M. Song, J. H. Mun, and B. J. Cho, Nano Lett. 11, 5383 (2011). 10.1021/nl202983x
11. W. C. Shin, T. Y. Kim, O. Sul, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 101, 033507 (2012). 10.1063/1.4737645
12. M. J. Hollander, M. LaBella, Z. R. Hughes, M. Zhu, K. A. Trumbull, R. Cavalero, D. W. Snyder, X. J. Wang, E. Hwang, S. Datta, and J. A. Robinson, Nano Lett. 11, 3601 (2011). 10.1021/nl201358y
13. B. Lee, G. Mordi, M. J. Kim, Y. J. Chabal, E. M. Vogel, R. M. Wallace, K. J. Cho, L. Colombo, and J. Kim, Appl. Phys. Lett. 97, 043107 (2010). 10.1063/1.3467454
14. Y. Xuan, Y. Q. Wu, T. Shen, M. Qi, M. A. Capano, J. A. Cooper, and P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 92, 013101 (2008). 10.1063/1.2828338
15. D. B. Farmer, H. Y. Chiu, Y. M. Lin, K. A. Jenkins, F. N. Xia, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 4474 (2009). 10.1021/nl902788u
16. Y. M. Lin, K. A. Jenkins, A. V. Garcia, J. P. Small, D. B. Farmer, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 422 (2009). 10.1021/nl803316h
17. A. Deshpandea and B. J. LeRoy, Physica E 44, 743 (2012). 10.1016/j.physe.2011.11.024
18. L. Liao, J. Bai, Y. Qu, Y. Huang, and X. Duan, Nanotechnology 21, 015705 (2010). 10.1088/0957-4484/21/1/015705
19. J. Xia, F. Chen, J. Li, and N. Tao, Nat. Nanotechnol. 4, 505 (2009). 10.1038/nnano.2009.177
20. T. M. G. Mohiuddin, A. Lombardo, R. R. Nair, A. Bonetti, G. Savini, R. Jalil, N. Bonini, D. M. Basko, C. Galiotis, N. Marzari, K. S. Novoselov, A. K. Geim, and A. C. Ferrari, Phys. Rev. B 79, 205433 (2009). 10.1103/PhysRevB.79. 205433
21. J. A. Robinson, M. LaBella, K. A. Trumbull, X. Weng, R. Cavelero, T. Daniels, Z. Hughes, M. Hollander, M. Fanton, and D. Snyder, ACS Nano 4, 2667 (2010). 10.1021/nn1003138
22. S. Pisana, M. Lazzeri, C. Casiraghi, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari, and F. Mauri, Nat. Mater. 6, 198 (2007). 10.1038/nmat1846
23. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, and A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 3, 210 (2008). 10.1038/nnano.2008.67
24. Y. W. Tan, Y. Zhang, K. Bolotin, Y. Zhao, S. Adam, E. H. Hwang, S. D. Sarma, H. L. Störmer, and P. Kim, Phys. Rev. Lett. 99, 246803 (2007). 10.1103/PhysRevLett.99.246803
25. S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. Elias, J. A. Jaszczak, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 100, 016602 (2008). 10.1103/PhysRevLett.100.016602
26. S. Fratini and F. Guinea, Phys. Rev. B 77, 195415 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.195415
27. P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, and R. Martel, Nano Lett. 11, 132 (2011). 10.1021/nl103015w
28. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, H. Klauk, K. V. Klitzing, and J. H. Smet, Nano Lett. 10, 1149 (2010). 10.1021/nl903162a
29. V. Chakrapani, J. C. Angus, A. B. Anderson, S. D. Wolter, B. R. Stoner, and G. U. Sumanasekera, Science 318, 1424 (2007). 10.1126/science.1148841
30. V. Barone, O. Hod, and G. Scuseria, Nano Lett. 6, 2748 (2006). 10.1021/nl0617033
31. J. A. Dean, Lange's Chemistry Handbook Version 15th (Science Press, Beijing, China, 1999), Vol. 9, p. 24.
32. Z. Yan, Z. Z. Sun, W. Lu, J. Yao, Y. Zhu, and J. M. Tour, ACS Nano 5, 1535 (2011). 10.1021/nn1034845
33. S. Jandhyala, G. Mordi, B. Lee, G. Lee, C. Floresca, P. R. Cha, J. Ahn, R. M. Wallace, Y. J. Chabal, M. J. Kim, L. Colombo, K. Cho, and J. Kim, ACS Nano 6, 2722 (2012). 10.1021/nn300167t