Effects of annealing on domain-wall contributions to the dielectric properties of PZT thin films

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 63, Issue 10, 2013, Pages 2002-2007

  Cho, Sam Yeon ^a   Kwak, Jin Ho ^a   Yang, Sun A ^a   Bu, Sang Don ^a   Park, Sungkyun ^b   Lee, Min Ku ^c  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Pusan National University   (South Korea)

^c Korea Atomic Energy Research Institute   (South Korea)

Author keywords

Domain wall motion; PZT films; Rayleigh law; Sol gel process

Indexed keywords

EID: 84891050883     PISSN: 03744884     EISSN: 19768524     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.63.2002     Document Type: Article

References (22)

1. J. Yang, X. J. Meng, M. R. Shen, J. L. Sun, and J. H. Chu, J. Appl. Phys. 106, 094108 (2009).
2. J. Pérez de la Cruz, E. Joanni, P. M. Vilarinho, and A. L. Kholkin, J. Appl. Phys. 108, 11410 (2010).
3. D. V. Taylor and D. Damjanovic, Appl. Phys. Lett. 76, 1615 (2000).
4. J. H. Kwak, J. K. Han, S. Y. Cho, and S. D. Bu, J. Korean Phys. Soc. 60, 216 (2012).
5. S. A. Yang, J. K. Han, Y. C. Choi, and S. D. Bu, J. Korean Phys. Soc. 58, 668 (2011).
6. M. Dekkers, M. D. Nguyen, R. Steenwelle, P. M. te Riele, Dave H. A. Blank, and Guus Rijnders, Appl. Phys. Lett. 95, 012902 (2009).
7. P. jegatheesan, H. K. Yadav, V. Gupta, and N. V. Giridharan, Mater. Lett. 65, 901 (2011).
8. K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura, Appl. Phys. Lett. 100, 102901 (2012).
9. S. Huo, S. Yusan, Z. Tian, C. Wang, and Y. Qiu, J. Am. Cram. Soc. 75, 1383 (2012).
10. T. Kobayashi, M. Ichiki, J. Tsaur, and R. Maeda, Thin Solid Films 489, 74 (2005).
11. J. Chen, K. R Udayakumar, K. G. Brooks, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 71, 4465 (1992).
12. M. H. Zhao, R. Fu, D. Lu, and T. Y. Zhang, Acta Mater. 50, 4241 (2002).
13. Q. M. Zhang, H. Wang, N. Kim, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 75, 454 (1994).
14. N. Bassiri-Gharb, I. Fujii, E. Hong, S. Trolier-McKinstry, D. V. Taylor, and D. Damjanovic, J. Electroceram. 19, 47 (2007).
15. J. F. Ihlefeld and C. T. Shelton, Appl. Phys. Lett. 101, 052902 (2012).
16. W. Zhu, I. Fujii, W. Ren, and S. Trolier-McKinstry, J. Am. Ceram. Soc. 95, 2906 (2012).
17. J. Kim, S. A. Yang, Y. C. Choi, J. K. Han, K. O. Jeong, Y. J. Yun, D, J. Kim, S. M. Yang, D. H. Yoon, H. S. Cheong, K. S. Chang, T. W. Noh, and S. D. Bu, Nano Lett. 8, 1813 (2008).
18. S. A. Yang, S. Y. Cho, J. S. Lim, and S. D. Bu, Thin Solid Films 520, 7071 (2012).
19. S. H. Hu, X. J. Meng, G. S. Wang, J. L. Sun, and D. X. Li, J. Cryst. Growth 264, 307 (2004).
20. M. B. Gharb and S. Trolier-McKinstry, J. Appl. Phys. 97, 064106 (2005).
21. J. H. Park, S. H. Yoon, D. Shen, S. Y. Choe, Y. S. Yoon, M. Park, and D. J. Kim, J. Mater. Sci. - Mater. Electron. 20, 366 (2009).
22. J. F. Ihlefeld, A. M. Vodnivk, S. P. Baker, W. J. Borland, and J. P. Maria, J. Appl. Phys. 103, 074112 (2008).