Enhancement of the photoresponse in organic field-effect transistors by incorporating thin DNA layers

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 53, Issue 1, 2014, Pages 244-249

  Zhang, Yuan ^a   Wang, Mingfeng ^b   Collins, Samuel D ^a   Zhou, Huiqiong ^a   Phan, Hung ^a   Proctor, Christopher ^a   Mikhailovsky, Alexander ^a   Wudl, Fred ^a   Nguyen, Thuc Quyen ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b Nanyang Technological University   (Singapore)

Author keywords

DNA; exciton dissociation; interfacial dipole; photoresponsive materials; thin films

Indexed keywords

EXCITON DISSOCIATION; FULLERENE DERIVATIVE; INTERFACIAL DIPOLES; KELVIN PROBE MICROSCOPY; PHOTO-INDUCED SURFACES; PHOTO-RESPONSIVE; SOURCE AND DRAIN ELECTRODES; TRANSIENT ABSORPTION SPECTROSCOPIES;

DISSOCIATION; EXCITONS; IRRADIATION; NANOCOMPOSITES; OHMIC CONTACTS; ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS; THIN FILMS;

DNA;

DNA;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; EXCITON DISSOCIATION; INTERFACIAL DIPOLE; PHOTORESPONSIVE MATERIALS; SEMICONDUCTOR; THIN FILMS;

DNA; EXCITON DISSOCIATION; INTERFACIAL DIPOLE; PHOTORESPONSIVE MATERIALS; THIN FILMS;

DNA; ELECTRIC CONDUCTIVITY; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 84890946644     PISSN: 14337851     EISSN: 15213773     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.201306763     Document Type: Article

References (44)

1. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
2. S. R. Forrest, Nature 2004, 428, 911.
3. G. Horowitz, Adv. Mater. 1998, 10, 365.
4. J. E. Anthony, Chem. Rev. 2006, 106, 5028.
5. A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, M. M. Ling, S. H. Liu, R. J. Tseng, C. Reese, M. E. Roberts, Y. Yang, F. Wudl, Z. N. Bao, Nature 2006, 444, 913.
6. C. L. Wang, H. L. Dong, W. P. Hu, Y. Q. Liu, D. B. Zhu, Chem. Rev. 2012, 112, 2208.
7. D. S. Weiss, M. Abkowitz, Chem. Rev. 2010, 110-110, 479.
8. V. Podzorov, V. M. Pudalov, M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 6039.
9. D. Amarasinghe, A. Ruseckas, G. A. Turnbull, I. D. W. Samuel, Proc. IEEE 2009, 97, 1637.
10. X. Gong, M. H. Tong, Y. J. Xia, W. Z. Cai, J. S. Moon, Y. Cao, G. Yu, C. L. Shieh, B. Nilsson, A. J. Heeger, Science 2009, 325, 1665.
11. J. J. Wang, Y. Q. Wang, F. F. Cao, Y. G. Guo, L. J. Wan, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 12218.
12. N. Marjanovic̈a, Th. B. Singha, G. Dennlera, S. Günesa, H. Neugebauera, N. S. Sariciftcia, R. Schwödiauerb, S. Bauerb, Org. Electron. 2006, 7, 188.
13. C. H. Kim, M. H. Choi, S. H. Lee, J. Jang, S. Kirchmeyer, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 123301.
14. S. W. Jeong, J. W. Jeong, S. Chang, T. Y. Oh, S. Y. Kang, K. I. Cho, B.-K. Ju, Sens. Actuators B 2011, 156, 657.
15. X. Wang, K. Wasapinyokul, W. D. Tan, R. Rawcliffe, A. J. Campbell, D. D. C. Bradley, J. Appl. Phys. 2010, 107, 024509.
16. S. Jeon, S.-E. Ahn, I. Song, C. J. Kim, U.-I. Chung, E. Lee, I. Yoo, A. Nathan, S. Lee, J. Robertson, K. Kim, Nat. Mater. 2012, 11, 301.
17. G. Hernandez-Sosa, N. E. Coates, S. Valouch, D. Moses, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 927.
18. G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, A. J. Heeger, Science 1995, 270, 5243.
19. P. Peumans, A. Yakimov, S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 2003, 93, 3693.
20. J. W. Levell, M. E. Giardini, I. D. W. Samuel, Opt. Express 2010, 18, 3219.
21. J. Zaumseil, H. Sirringhaus, Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
22. E. C. P. Smits, T. D. Anthopoulos, S. Setayesh, E. van Veenendaal, R. Coehoorn, P. W. M. Blom, B. de Boer, D. M. de Leeuw, Phys. Rev. B 2006, 73, 205316.
23. K. S. Narayan, N. Kumar, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1891.
24. T. P. I. Saragi, R. Pudzich, T. Fuhrmann, J. Salbeck, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2334.
25. M. C. Hamilton, S. Martin, J. Kanicki, IEEE Trans. Electron Devices 2004, 51, 877.
26. Y. Xu, P. R. Berger, J. N. Wilson, U. H. F. Bunz, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4219.
27. Y. Guo, G. Yu, Y. Liu, Adv. Mater. 2010, 22, 4427.
28. T. P. I. Saragi, T. Spehr, A. Siebert, T. F. Lieker, J. Salbeck, Chem. Rev. 2007, 107, 1011.
29. M. Y. Cho, S. J. Kim, Y. D. Han, D. H. Park, K. H. Kim, D. H. Choi, J. Joo, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 2905.
30. M. E. Gemayel, M. Treier, C. Musumeci, C. Li, K. Müllen, P. Samorì, J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 2429.
31. A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, C. Reese, J. M. Hancock, Y. Xiong, S. A. Jenekhe, Z. Bao, Y. Xia, Nano Lett. 2007, 7, 2747.
32. C. W. Struijk, A. B. Sieval, J. E. J. Dakhorst, M. Van Dijk, P. Kimkes, R. B. M. Koehorst, H. Donker, T. J. Schaafsma, S. J. Picken, A. M. Van de Craats, J. M. Warman, H. Zuilhof, E. J. R. Sudholter, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 11057.
33. P. Zalar, D. Kamkar, R. Naik, F. Ouchen, J. G. Grote, G. C. Bazan, T.-Q. Nguyen, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 11010.
34. Y. Zhang, P. Zalar, C. Kim, S. Collins, G. C. Bazan, T.-Q. Nguyen, Adv. Mater. 2012, 24, 4255.
35. X. Y. Cheng, Y. Y. Noh, J. P. Wang, M. Telle, J. Frisch, R. P. Blum, A. Vollmer, J. P. Rabe, N. Koch, H. Sirringhaus, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2407.
36. B. de Boer, A. Hadipour, M. M. Mandoc, T. van Woudenbergh, P. W. M. Blom, Adv. Mater. 2005, 17, 621.
37. M. Wang, E. Chesnut, Y. Sun, M. Tong, M. Guide, Y. Zhang, N. D. Treat, A. Varotto, A. Mayer, M. L. Chabinyc, T.-Q. Nguyen, F. Wudl, J. Phys. Chem. C 2012, 116, 1313.
38. O. Cherniavskaya, L. Chen, M. A. Islam, L. E. Brus, Nano Lett. 2003, 3, 497.
39. L. Chen, O. Cherniavskaya, A. Shalek, L. E. Brus, Nano Lett. 2005, 5, 2241.
40. O. Cherniavskaya, L. Chen, V. Weng, L. Yuditsky, L. E. Brus, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 1525.
41. F. Maddalena, E. J. Meijer, K. Asadi, D. M. de Leeuw, P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 043302.
42. Y. Zhang, X.-D. Dang, C. Kim, T.-Q. Nguyen, Adv. Energy Mater. 2011, 1, 610.
43. D. Gupta, T. J. K. Brenner, S. A. Seifried, M. J. Lee, M. Heeney, I. McCulloch, H. Sirringhaus, Org. Electron. 2012, 13, 36.
44. L. S. C. Pingree, D. B. Rodovsky, D. C. Coffey, G. P. Bartholomew, D. S. Ginger, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 15903. of Canada