Photoionization of individual CdSe/CdS core/shell nanocrystals on silicon with 2-nm oxide depends on surface band bending

Nano Letters

Volumn 3, Issue 4, 2003, Pages 497-501

  Cherniavskaya, Oksana ^a   Chen, Liwei ^a,c   Islam, Mohammad A ^b   Brus, Louis ^a  

^a Och Spine at New York Presbyterian Hospitals   (United States)

^b IBM Research Laboratories ^*  (United States)

^c IBM RESEARCH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CADMIUM DERIVATIVE; GRAPHITE; OXIDE; SELENIUM DERIVATIVE; SILICON; SULFUR DERIVATIVE;

ARTICLE; ELECTRICITY; ELECTRON TRANSPORT; IONIZATION; MOLECULAR DYNAMICS; NANOPARTICLE; OSCILLATION; SURFACE PROPERTY;

EID: 0041354371     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl0340529     Document Type: Article

References (35)

1. Malko, A. V.; Mikhailovsky, A. A.; Petruska, M. A.; Hollingsworth, J. A. ; Htoon, H.; Bawendi, M. G.; Klimov, V. I. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1303.
2. Mikhailovsky, A. A.; Malko, A. V.; Hollingsworth, J. A.; Bawendi, M. G.; Klimov, V. I. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2380.
3. Nirmal, M.; Dabbousi, B. O.; Bawendi, M. G.; Macklin, J. J.; Trautman, J. K.; Harris, T. D.; Brus, L. E. Nature (London) 1996, 383, 802.
4. Shimizu, K. T.; Neuhauser, R. G.; Leatherdale, C. A.; Empedocles, S. A.; Woo, W. K.; Bawendi, M. G. Phys. Rev. B 2001, 6320, 205316.
5. Neuhauser, R. G.; Shimizu, K. T.; Woo, W. K.; Empedocles, S. A.; Bawendi, M. G. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 3301.
6. Empedocles, S. A.; Neuhauser, R.; Shimizu, K.; Bawendi, M. G. Adv. Mater. 1999, 11, 1243.
7. Empedocles, S.; Bawendi, M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 389.
8. Empedocles, S. A.; Bawendi, M. G. Science (Washington, D.C.) 1997, 278, 2114.
9. Banin, U.; Brucher, M.; Alivisatos, A. P.; Ha, T.; Weiss, S.; Chemla, D. S. J. Chem. Phys. 1999, 110, 1195.
10. Woo, W. K.; Shimizu, K. T.; Jarosz, M. V.; Neuhauser, R. G.; Leatherdale, C. A.; Rubner, M. A.; Bawendi, M. G. Adv. Mater. 2002, 14, 1068.
11. Morgan, N. Y.; Leatherdale, C. A.; Drndic, M.; Jarosz, M. V.; Kastner, M. A.; Bawendi, M. Phys. Rev. B 2002, 66, art. no.
12. Martin, Y.; Williams, C. C.; Wickramasinghe, H. K. J. Appl. Phys. 1987, 61, 4723.
13. Martin, Y.; Abraham, D. W.; Wickramasinghe, H. K. Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 1103.
14. Nonnenmacher, M.; O'Boyle, M. P.; Wickramasinghe, H. K. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2921.
15. Schonenberger, C.; Alvarado, S. F. Phys. Rev. Lett. 1990, 65, 3162.
16. Krauss, T. D.; Brus, L. E. Mater. Sci. Eng., B 2000, 69-70, 289.
17. Krauss, T. D.; Brus, L. E. Phys. Rev. Lett. 1999, 83, 4840.
18. Krauss, T. D.; O'Brien, S.; Brus, L. E. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 1725.
19. Cherniavskaya, O.; Chen, L.; Weng, V.; Yuditsky, L.; Brus, L. E. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 1525.
20. Reiss, P.; Bleuse, J.; Pron, A. Nano Lett. 2002, 2, 781.
21. Ebenstein, Y.; Mokari, T.; Banin, U. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4033.
22. Peng, X. G.; Schlamp, M. C.; Kadavanich, A. V.; Alivisatos, A. P. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7019.
23. Tang, J.; Ge, G. L.; Brus, L. E. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5653.
24. Ge, G. L.; Brus, L. E. Nano Lett. 2001, 1, 219.
25. Albrecht, T. R.; Grutter, P.; Horne, D.; Rugar, D. J. Appl. Phys. 1991, 69, 668.
26. Nelson, M. W.; Schroeder, R. S.; Parkinson, B. A. J. Vac. Sci. Technol., B 1999, 17, 1354.
27. Ishii, H.; Sugiyama, K.; Ito, E.; Seki, K. Adv. Mater. 1999, 11, 605.
28. Nirmal, M.; Norris, D. J.; Kuno, M.; Bawendi, M. G.; Efros, A. L.; Rosen, M. Phys. Rev. Lett. 1995, 75, 3728.
29. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
30. Kronik, L.; Shpira, Y. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 594.
31. Monch, W. Semiconductor Surfaces and Interfaces; Springer: Berlin, 1995.
32. Nirmal, M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407.
33. Klimov, V. I.; Mikhailovsky, A. A.; McBranch, D. W.; Leatherdale, C. A.; Bawendi, M. G. Phys. Rev. B 2000, 61, R13349.
34. Klimov, V. I.; McBranch, D. W.; Leatherdale, C. A.; Bawendi, M. G. Phys. Rev. B 1999, 60, 13740.
35. Shim, M.; Shilov, S. V.; Braiman, M. S.; Guyot-Sionnest, P. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 1494.