Van der Waals Epitaxial Double Heterostructure: InAs/Single-Layer Graphene/InAs

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 47, 2013, Pages 6847-6853

  Hong, Young Joon ^a   Yang, Jae Won ^b   Lee, Wi Hyoung ^c   Ruoff, Rodney S ^d   Kim, Kwang S ^b   Fukui, Takashi ^e  

^a Sejong University   (South Korea)

^b Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^c Konkuk University   (South Korea)

^d The University of Texas at Austin   (United States)

^e HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

double heterostructures; graphene; indium arsenide; metal organic vapor phase epitaxy; van der Waals epitaxy

Indexed keywords

DOUBLE HETEROSTRUCTURES; INAS; POLARITY INVERSION; VAN DER WAALS; VAN DER WAALS EPITAXY;

CALCULATIONS; EPITAXIAL GROWTH; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; INDIUM ARSENIDE; NANOSTRUCTURES; VAN DER WAALS FORCES; VAPORS;

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY;

GRAPHENE; GRAPHITE; INDIUM; INDIUM ARSENIDE; NANOMATERIAL; NANOWIRE; ORGANOARSENIC DERIVATIVE;

ARTICLE; CHEMISTRY; CRYSTALLIZATION; DOUBLE HETEROSTRUCTURES; METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY; PARTICLE SIZE; STATIC ELECTRICITY; VAN DER WAALS EPITAXY;

DOUBLE HETEROSTRUCTURES; GRAPHENE; INDIUM ARSENIDE; METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY; VAN DER WAALS EPITAXY;

ARSENICALS; CRYSTALLIZATION; GRAPHITE; INDIUM; NANOSTRUCTURES; NANOWIRES; PARTICLE SIZE; STATIC ELECTRICITY;

EID: 84890439517     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201302312     Document Type: Article

References (50)

1. a) H. Wang, T. Taychatanapat, A. Hsu, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1209-1211
2. b) L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, L. A. Ponomarenko, Science 2012, 335, 947-950
3. c) W. J. Yu, Z. Li, H. Zhou, Y. Chen, Y. Wang, Y. Huang, X. Duan, Nat. Mater. 2012, 12, 246-252
4. d) H. Yang, J. Heo, S. Park, H. J. Song, D. H. Seo, K.-E. Byun, P. Kim, I. Yoo, H.-J. Chung, K. Kim, Science 2012, 336, 1140-1143.
5. K. Chung, C.-H. Lee, G.-C. Yi, Science 2010, 330, 655-657.
6. a) S. K. Min, W. Y. Kim, Y. Cho, K. S. Kim, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 162-165
7. b) N. Nerngchamnong, L. Yuan, D.-C. Qi, J. Li, D. Thompson, C. A. Nijhuis, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 113-118.
8. Y. J. Shin, Y. Wang, H. Huang, G. Kalon, A. T. S. Wee, Z. Shen, C. S. Bhatia, H. Yang, Langmuir 2010, 26, 3798-3802.
9. a) Y.-J. Kim, J. H. Lee, G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 213101
10. b) W. M. Choi, K.-S. Shin, H. S. Lee, D. Choi, K. Kim, H.-J. Shin, S.-M. Yoon, J.-Y. Choi, S.-W. Kim, Nano Res. 2011, 4, 440-447.
11. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722-726.
12. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574-578.
13. a) H. Yoon, K. Seo, N. Bagkar, J. In, J. Park, J. Kim, B. Kim, Adv. Mater. 2009, 21, 4979-4982
14. b) D. H. Lee, J. E. Kim, T. H. Han, J. W. Hwang, S. Jeon, S.-Y. Choi, S. H. Hong, W. J. Lee, R. S. Ruoff, S. O. Kim, Adv. Mater. 2010, 22, 1247-1252
15. c) C.-H. Lee, Y.-J. Kim, Y. J. Hong, S.-R. Jeon, S. Bae, B. H. Hong, G.-C. Yi, Adv. Mater. 2011, 23, 4614-4619.
16. a) A. Koma, K. Sunouchi, T. Miyajima, Microelectron. Eng. 1984, 2, 129-136
17. b) A. Koma, Thin Solid Films 1992, 216, 72-76.
18. a) M. I. B. Utama, Z. Peng, R. Chen, B. Peng, X. Xu, Y. Dong, L. M. Wong, S. Wang, H. Sun, Q. Xiong, Nano Lett. 2011, 11, 3051-3057
19. b) Y. J. Hong, T. Fukui, ACS Nano 2011, 5, 7576-7584
20. c) M. I. B. Utama, Q. Zhang, S. Jia, D. Li, J. Wang, Q. Xiong, ACS Nano 2012, 6, 2281-2288
21. d) H. Peng, W. Dang, J. Cao, Y. Chen, D. Wu, W. Zheng, H. Li, Z.-X. Shen, Z. Liu, Nat. Chem. 2012, 4, 281-286
22. e) J. Pan, M. I. B. Utama, Q. Zhang, X. Liu, B. Peng, L. M. Wong, T. C. Sum, S. Wang, Q. Xiong, Adv. Mater. 2012, 24, 4151-4156.
23. a) W. Dang, H. Peng, H. Li, P. Wang, Z. Liu, Nano Lett. 2010, 10, 2870-2876
24. b) Y. J. Hong, W. H. Lee, Y. Wu, R. S. Ruoff, T. Fukui, Nano Lett. 2012, 12, 1431-1436
25. c) Y. Shi, W. Zhou, A.-Y. Lu, W. Fang, Y.-H. Lee, A. L. Hsu, S. M. Kim, K. K. Kim, H. Y. Yang, L.-J. Li, J.-C. Idrobo, J. Kong, Nano Lett. 2012, 12, 2784-2791
26. d) A. M. Munshi, D. L. Dheeraj, V. T. Fauske, D.-C. Kim, A. T. J. van Helvoort, B.-O. Fimland, H. Weman, Nano Lett. 2012, 12, 4570-4576
27. e) P. K. Mohseni, A. Behnam, J. D. Wood, C. D. English, J. W. Lyding, E. Pop, X. Li, Nano Lett. 2013, 13, 1153-1161.
28. Z. Liu, L. Song, S. Zhao, J. Huang, L. Ma, J. Zhang, J. Lou, P. M. Ajayan, Nano Lett. 2011, 11, 2032-2037.
29. J. Hwang, M. Kim, D. Campbell, H. A. Alsalman, J. Y. Kwak, S. Shivaraman, A. R. Woll, A. K. Singh, R. G. Hennig, S. Gorantla, M. H. Rümmeli, M. G. Spencer, ACS Nano 2012, 7, 385-395.
30. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312-1314.
31. P. R. H. Blasius, Z. Math. Phys. 1908, 56, 1-37.
32. a) K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L1102-L1104
33. b) S. A. Dayeh, D. Susac, K. L. Kavanagh, E. T. Yu, D. Wang, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2102-2108.
34. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L275-L278.
35. a) J. Johansson, K. A. Dick, P. Caroff, M. E. Messing, J. Bolinsson, K. Deppert, L. Samuelson, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 3837-3842
36. b) R. E. Algra, M. A. Verheijen, M. T. Borgstrom, L.-F. Feiner, G. Immink, W. J. P. van Enckevort, E. Vlieg, E. P. A. M. Bakkers, Nature 2008, 456, 369-372.
37. M. I. B. Utama, M. de la Mata, C. Magen, J. Arbiol, Q. Xiong, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 1636-1646.
38. K. T. Chan, J. B. Neaton, M. L. Cohen, Phys. Rev. B 2008, 77, 235430.
39. K. Reuter, M. Scheffler, Phys. Rev. B 2001, 65, 035406.
40. S. Y. Tong, G. Xu, W. Y. Hu, M. W. Puga, J. Vac. Sci. Technol. B 1985, 3, 1076-1078.
41. a) A. Ohtake, M. Ozeki, J. Nakamura, Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 4665-4668
42. b) A. Taguchi, K. Kanisawa, Appl. Surf. Sci. 2006, 252, 5263-5266.
43. a) M. C. Schabel, J. L. Martins, Phys. Rev. B 1992, 46, 7185-7188
44. b) L. X. Benedict, N. G. Chopra, M. L. Cohen, A. Zettl, S. G. Louie, V. H. Crespi, Chem. Phys. Lett. 1998, 286, 490-496
45. c) H. Rydberg, M. Dion, N. Jacobson, E. Schröder, P. Hyldgaard, S. I. Simak, D. C. Langreth, B. I. Lundqvist, Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 126402.
46. M. I. B. Utama, F. J. Belarre, C. Magen, B. Peng, J. Arbiol, Q. Xiong, Nano Lett. 2012, 12, 2146-2152.
47. S. Cho, S. J. Youn, Y. Kim, A. DiVenere, G. K. L. Wong, A. J. Freeman, J. B. Ketterson, Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 126403.
48. S. Strite, M. S. Unlu, K. Adomi, G. B. Gao, A. Agarwal, A. Rockett, H. Morkoc, D. Li, Y. Nakamura, N. Otsuka, J. Vac. Sci. Technol. B 1990, 8, 1131-1140.
49. Y.-H. Kim, M. J. Heben, S. B. Zhang, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 176102.
50. D. H. Lee, J. Yi, J. M. Lee, S. J. Lee, Y.-J. Doh, H. Y. Jeong, Z. Lee, U. Paik, J. A. Rogers, W. I. Park, ACS Nano 2013, 7, 301-307.