Reliable self-powered highly spectrum-selective ZnO ultraviolet photodetectors

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 23, 2013, Pages

  Shen, H ^a,b   Shan, C X ^a   Li, B H ^a   Xuan, B ^a   Shen, D Z ^a  

^a CHANGCHUN INSTITUTE OF OPTICS   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BUILT-IN ELECTRIC FIELDS; EXTERNAL POWER SUPPLIES; FILTER EFFECTS; NEUTRAL REGION; P-N JUNCTION; PHOTOGENERATED ELECTRONS; SPECTRUM RANGE; ULTRA-VIOLET PHOTODETECTORS;

LITHIUM; PHOTODETECTORS; PHOTONS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

ZINC OXIDE;

EID: 84889818308     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4839495     Document Type: Article

References (34)

1. E. Monroy, F. Omnès, and F. Calle, Semicond. Sci. Technol. 18, R33 (2003). 10.1088/0268-1242/18/4/201
2. Y. Yu, J. Jie, P. Jiang, L. Wang, C. Wu, Q. Peng, X. Zhang, Z. Wang, C. Xie, D. Wu, and Y. Jiang, J. Mater. Chem. 21, 12632 (2011). 10.1039/c1jm11408e
3. K. W. Liu, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Y. Jiang, B. H. Li, D. X. Zhao, Z. Z. Zhang, B. Yao, and D. Z. Shen, Solid State Electron. 51, 757 (2007). 10.1016/j.sse.2007.03.002
4. Z. Q. Xu, H. Deng, J. Xie, Y. Li, and X. T. Zu, Appl. Surf. Sci. 253, 476 (2006). 10.1016/j.apsusc.2005.12.113
5. S. A. Studenikin, N. Golego, and M. Cocivera, J. Appl. Phys. 87, 2413 (2000). 10.1063/1.372194
6. T. K. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, B. R. Huang, M. Fujita, and Y. Horikoshi, J. Cryst. Growth 281, 513 (2005). 10.1016/j.jcrysgro.2005.04.056
7. S. J. Young, L. W. Ji, S. J. Chang, and Y. K. Su, J. Cryst. Growth 293, 43 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2006.03.059
8. Y. Liu, C. R. Gorla, S. Liang, N. Emanetoglu, Y. Lu, H. Shen, and M. Wraback, J. Electron. Mater. 29, 69 (2000). 10.1007/s11664-000-0097-1
9. H. Endo, M. Sugibuchi, K. Takahashi, S. Goto, S. Sugimura, K. Hane, and Y. Kashiwaba, Appl. Phys. Lett. 90, 121906 (2007). 10.1063/1.2715100
10. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 225, 110 (2001). 10.1016/S0022-0248(01)00830-2
11. M. Nakano, T. Makino, A. Tsukazaki, K. Ueno, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Yuji, S. Akasaka, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, A. Kamisawa, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 93, 123309 (2008). 10.1063/1.2989125
12. H. Ohta, M. Hirano, K. Nakahara, H. Maruta, T. Tanabe, M. Kamiya, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 83, 1029 (2003). 10.1063/1.1598624
13. Y. F. Li, B. Yao, R. Deng, B. H. Li, J. Y. Zhang, Y. M. Zhao, D. Y. Jiang, Z. Z. Zhang, C. X. Shan, D. Z. Shen, X. W. Fan, and Y. M. Lu, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 105102 (2009). 10.1088/0022-3727/42/10/105102
14. K. W. Liu, D. Z. Shen, C. X. Shan, J. Y. Zhang, B. Yao, D. X. Zhao, Y. M. Lu, and X. W. Fan, Appl. Phys. Lett. 91, 201106 (2007). 10.1063/1.2805816
15. H. Zhu, C. X. Shan, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. Chem. C 112, 20546 (2008). 10.1021/jp808870z
16. S. Xu, Y. Qin, C. Xu, Y. Wei, R. Yang, and Z. L. Wang, Nat. Nanotechnol. 5, 366 (2010). 10.1038/nnano.2010.46
17. Z. Zhan, L. Zheng, Y. Pan, G. Sun, and L. Li, J. Mater. Chem. 22, 2589 (2012). 10.1039/c1jm13920g
18. Y. Yang, W. Guo, J. Qi, J. Zhao, and Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 97, 223113 (2010). 10.1063/1.3524231
19. P. N. Ni, C. X. Shan, S. P. Wang, X. Y. Liu, and D. Z. Shen, J. Mater. Chem. C 1, 4445 (2013). 10.1039/c3tc30525b
20. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, R. L. Jones, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 75, 811 (1999). 10.1063/1.124521
21. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998). 10.1063/1.121620
22. A. Uedono, T. Koida, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, Z. Q. Chen, S. F. Chichibu, and H. Koinuma, J. Appl. Phys. 93, 2481 (2003). 10.1063/1.1539915
23. J. Gong, Y. Li, and Y. Deng, Phys. Chem. Chem. Phys. 12, 14864 (2010). 10.1039/c0cp01101k
24. F. Fang, D. X. Zhao, B. H. Li, Z. Z. Zhang, and D. Z. Shen, Phys. Chem. Chem. Phys. 12, 6759 (2010). 10.1039/b919079a
25. J. Y. Wang, C. Y. Lee, Y. T. Chen, C. T. Chen, Y. L. Chen, C. F. Lin, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 95, 131117 (2009). 10.1063/1.3232244
26. A. Nakamura, T. Ohashi, K. Yamamoto, J. Ishihara, T. Aoki, J. Temmyo, and H. Gotoh, Appl. Phys. Lett. 90, 093512 (2007). 10.1063/1.2709913
27. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 88, 182112 (2006). 10.1063/1.2201895
28. S. Tekmen, E. Gür, H. Asl, K. Çnar, C. Coşkun, and S. Tüzemen, Phys. Status Solidi A 207, 1464 (2010). 10.1002/pssa.200925488
29. F. Sun, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, and D. Fan, Opt. Lett. 36, 499 (2011). 10.1364/OL.36.000499
30. H. Shen, C. X. Shan, J. S. Liu, B. H. Li, Z. Z. Zhang, and D. Z. Shen, Phys. Status Solidi B 250, 2102 (2013). 10.1002/pssb.201300015
31. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (Wiley, Hoboken, 2007).
32. S. Aydogu, O. Sendil, and M. B. Coban, Chin. J. Phys. 50, 89 (2012).
33. R. X. Wang, L. C. Yang, Y. M. Zhang, S. J. Xu, K. Fu, B. S. Zhang, J. F. Wang, K. Xu, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 102, 212104 (2013). 10.1063/1.4808381
34. R. X. Wang, L. C. Yang, S. J. Xu, X. D. Zhang, X. Dong, Y. C. Zhao, K. Fu, B. S. Zhang, and H. Yang, J. Alloys Compd. 566, 201 (2013). 10.1016/j.jallcom.2013.03.039