Tunable optical and structural properties of MgxZn 1-xO films prepared by in situ atomic layer doping technique

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 1, 2013, Pages

  Chien, Jui Fen ^a   Huang, Yu Hsun ^a   Chang, Yao Jen ^a   Shyue, Jing Jong ^a,b   Yang, Jer Ren ^a   Shiojiri, Makoto ^c   Chen, Miin Jang ^a,d  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b RESEARCH CENTER FOR APPLIED SCIENCES   (Taiwan)

^c KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^d NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84887431858     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.033301jss     Document Type: Article

References (34)

1. L. Niinistö, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 3, 147 (1998).
2. Th. Gruber, C. Kirchner, R. Kling, F. Reuss, A. Waag, F. Bertram, D. Forster, J. Christen, and M. Schreck, Appl. Phys. Lett., 83, 3290 (2003).
3. A. Ohtomo, M. Kawasaki, L. Koida, K. Masubuchi, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett., 72, 2466 (1998).
4. D. S. Choopu, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett., 80, 1529 (2002).
5. P. K. Shan, B. L. Kim, G. X. Liu, F. Liu, J. Y. Sohn, W. J. Lee, B. C. Shin, and Y. S. Y u, J. Appl. Phys., 95, 4772 (2004).
6. K. Yamamoto, T. Tsuboi, T. Ohashi, T. Tawara, H. Gotoh, A. Nakamura, and J. Temmyo, J. Cryst. Growth, 312, 1703 (2010).
7. B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, C. Y. Liu, and Y. Segawaa, Appl. Phys. Lett., 86, 032105 (2005).
8. A. Ohtomo, R. Shiroki, I. Ohkubo, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett., 75, 4088 (1999).
9. S. Sadofev, P. Schäfer, Y. H. Fan, S. Blumstengel, and F. Henneberger, Appl. Phys. Lett., 91, 201923 (2007).
10. A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R. M. Kolbas, and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett., 75, 3327 (1999).
11. Y. Li, R. Deng, B. Yao, G. Xing, D. Wang, and T. Wu, Appl. Phys. Lett., 97, 102506 (2010).
12. Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett., 98, 221112 (2011).
13. H. A. Chin, I. C. Cheng, C. K. Li, Y. R. Wu, J. Z. Chen, W. S. Lu, and W. L. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 455101 (4pp) (2011).
14. L. Niinistö, J. Päiväsaari, J. Niinistö, M. Putkonen, and M. Nieminen, Phys. Stat. Sol. (a), 201(7), 1443 (2004).
15. J. Lim, K. Shin, H. W. Kim, and C. Lee, J. Lumin., 109, 181 (2004).
16. E. Guziewicz, I. A. Kowalik, M. Godlewski, K. Kopalko, V. Osinniy, A. Wójcik, S. Yatsunenko, E. Łusakowska, W. Paszkowicz, and M. Guziewicz, J. Appl. Phys., 103, 033515 (2008).
17. H. C. Chen, M. J. Chen, M. K. Wu, Y. C. Cheng, and F. Y. Tsai, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 14, 1053 (2008).
18. J. F. Chien, C. H. Chen, J. J. Shyue, and M. J. Chen, ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 3471 (2012).
19. M. Putkonen, T. Sajavaara, and L. Niinistö, J. Mater. Chem., 10, 1857 (2000).
20. C. C.Wu, D. S.Wuu, P. R.Lin, T. N.Chen, R. H.Horng, S. L.Ou, Y. L.Tu, C. C.Wei, and Z. C. Feng, Thin Solid Films, 519, 1966 (2011).
21. A. Teke, Ü. Ö zgür, S. Dogan, X. Gu, H. Morkoç, B. Nemeth, J. Nause, and H. O. Everitt, Phys. Rev. B, 70, 195207 (2004).
22. M. Trunk, V. Venkatachalapathy, A. Galeckas, and A. Yu. Kuznetsov, Appl. Phys. Lett., 97, 211901 (2010).
23. O. Goede, L. John, and D. Hennig, Phys. Stat. Sol. (B), 89, K183 (1978).
24. E. F. Schubert, E. O. Gobel, Y. Horikoshi, K. Ploog, and H. J. Queisser, Phys. Rev. B, 30, 813 (1984).
25. R. Zimmermann, J. Cryst. Growth, 101, 346 (1990).
26. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Landolt-Börnstein, Group III, Vol. 41, Pt. B, edited by O. Madelung, U. Rössler, and M. Schulz, Springer, Berlin (1999).
27. K. Yamamoto, T. Tsuboi, T. Ohashi, T. Tawara, H. Gotoh, A. Nakamura, and J. Temmyo, J. Cryst. Growth, 312, 1703 (2010).
28. T. A. Wassner, B. Laumer, S. Maier, A. Laufer, B. K. Meyer, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, J. Appl. Phys., 105, 023505 (2009).
29. Z. L. Liu, Z. X. Mei, R. Wang, J. M. Zhao, H. L. Liang, Y. Guo, A. Y. Kuznetsov, and X. L. Du, J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 285402 (2010).
30. T. Makino, K. Tamura, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, and H. Koinuma, J. Appl. Phys., 93, 5929 (2003).
31. H. Shibata, H. Tampo, K. Matsubara, A. Yamada, K. Sakurai, S. Ishizuka, S. Niki, and M. Sakai, Appl. Phys. Lett., 90, 124104 (2007).
32. H. Cao, J. Y. Xu, S. H. Chang, and S. T. Ho, Phys. Rev. E, 61, 1985 (2000).
33. F. A. Pinheiro and L. C. Sampaio, Phys. Rev. A, 73, 013826 (2006).
34. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett., 72, 3270 (1998).