High stability field emission from zinc oxide coated multiwalled carbon nanotube films

Advanced Materials Letters

Volumn 4, Issue 11, 2013, Pages 849-855

  Patra, Rajkumar ^a   Ghosh, Santanu ^a   Sharma, Himani ^a   Vankar, Vasant D ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY DELHI   (India)

Author keywords

Carbon nanotube; Field emission; Raman spectroscopy; TEM; Zinc oxide

Indexed keywords

EID: 84887172744     PISSN: 09763961     EISSN: 0976397X     Source Type: Journal    
DOI: 10.5185/amlett.2013.4465     Document Type: Article

References (37)

1. Xia, Y.; Yang, P.;Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F., Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. DOI: 10.1002/adma.200390087
2. Ijima, S., Nature 1991, 354, 56. DOI: 10.1038/354056a0
3. Rinzler, A. G.; Hanfer, J. H.; Nikolaev, P.; Lou, L.; Kim, S. G.; Tomanek, D.; Nordlander, P.; Colbert, D. T.; Malley, R. E., Science 1995, 269, 1550. DOI: 10.1126/science.269.5230.1550
4. Huang, C. S.; Yeh, C. Y.; Chang, Y. H.; Hsieh, Y.M.; Ku, C.Y.; Lai, Q.T., Diam. Relat. Mater. 2009, 18,452. DOI: 10.1016/j.diamond.2008.10.058
5. deHeer, W. A.; Chatelain, A.; Ugate, D., Science 1995, 270, 1179. DOI: 10.1126/science.270.5239.1179
6. Cheng, Y.; Zhou, O., C. R. Physique 2003, 4, 1021. DOI: 10.1016/S1631-0705(03)00103-8
7. Lysenkov, D.; Müller, G., Int. J. Nanotechnology 2005, 2, 239. DOI: 10.1504/IJNT.2005.008062
8. Fowler, R. H.; Nordheim, L., P. Roy. Soc. Lond. A 1928, 119, 173. URL: http://www.jstor.org/stable/95023
9. Rui, G. G.; Toshimichi, I., Chinese Phys. B 2009, 18, 4547. DOI: 10.1088/1674-1056/18/10/075
10. Uh, H.S.; Park, S.; Kim, B., Diam. Relat. Mater. 2010, 19, 586. DOI: 10.1016/j.diamond.2009.11.021
11. Rakhi, R. B.; Reddy, A. L. M.; Shaijumon, M. M.; Sethupathi, K.; Ramaprabhu, S., J. Nanopart. Res. 2008, 10, 179. DOI: 10.1007/s11051-007-9240-8
12. Lei, W.; Zhang, X.; Zhao, Z.; Chen, J.; Cui, Y.; Wang, B., J. Nanosci. Nanotechnol. 2012, 12, 6453. DOI: 10.1166/jnn.2012.5426
13. Baby, T. T.; Rakhi, R. B.; Ravi, N.; Ramaprabhu, S., J. Nanosci. Nanotechnol. 2012, 12, 6718. DOI: 10.1166/jnn.2012.4541
14. Park, T.; Sim, K.; Lee, J.; Yi, W., J. Nanosci. Nanotechnol. 2012, 12, 5812. DOI: 10.1166/jnn.2012.6338
15. Li, C.; Fang, G.; Yuan, L.; Liu, N.; Ai, L.; Xiang, Q.; Zhao, D.; Pan, C.; Zhao, X., Nanotechnology 2007, 18, 155702. DOI: 10.1088/0957-4484/18/15/155702
16. Ho, Y. M.; Zheng, W. T.; Li, Y. A.; Liu, J. W.; Qi, J. L., J. Phys. Chem. C 2008, 112, 17702. DOI: 10.1021/jp804566k
17. Sharma, H.; Kaushik, V.; Girdhar, P.; Singh, V. N.; Shukla, A. K.; Vankar, V. D., Thin Solid Films 2010, 518, 6915. DOI: 10.1016/j.tsf.2010.07.043
18. Wang, C.Y.; Adhikari, S., Phys. Lett. A 2011, 375, 2171. DOI: 10.1016/j.physleta.2011.04.031
19. Lee, C. J.; Lee, T. J.; Lyu, S. C.; Zhang, Y.; Ruh, H.; Lee, H. J., Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3648. DOI: 10.1063/1.1518810
20. Pearton, S. J.; Norton, D. P.; Ip, K.; Heo, Y. W.; Steiner, T., Superlattice Microst. 2003, 34, 3. DOI: 10.1016/S0749-6036(03)00093-4
21. Srivastava, A. K.; Deepa, M.; Sood, K. N.; Erdem, E.; Eichel, R. A., Adv. Mat. Lett. 2011, 2(2), 142. DOI: 10.5185/amlett.2011.1201
22. Wahab, R.; Hwang, I. H.; Shin, H. S.; Kim, Y. S.; Musarrat, J.; Al-Khedhairy A. A.; Siddiqui, M. A.; In Intelligent Nanomaterials; Tiwari, A.; Mishra, A. K.; Kobayashi, H.; Turner, A. P. F. (Eds.); Wiley-Scrivener Publishing LLC, USA, 2012, Chap. 5, pp. 183-212, ISBN 978-04-709387-99. DOI: 10.1002/9781118311974.ch5
23. Premkumar, T.; Zhou, Y.S.; Lu, Y. F.; Baskar, K., ACS Appl. Mater. Interfaces. 2010, 2, 2863. DOI: 10.1021/am100539q
24. Zhang, S.; Zhang, Y.; Huang, S.; Liu, H.; Wang, P.; Tian, H., Carbon 2011, 49, 3855. DOI: 10.1016/j.carbon.2011.05.018
25. Handuja, S.; Srivastava, P.; Vankar, V. D., Nanoscale Res. Lett. 2010, 5, 1211. DOI: 10.1007/s11671-010-9628-8
26. Conroy, D.; Moisala, A.; Cardoso, S.; Windle, A.; Davidson, J., Chem. Eng. Sci. 2010, 65, 2965. DOI: 10.1016/j.ces.2010.01.019
27. Srivastava, S. K.; Shukla, A. K.; Vankar, V. D.; Kumar, V., Thin Solid Films 2006, 515, 1552. DOI: 10.1016/j.tsf.2006.05.009
28. Puretzky, A. A.; Geohegan, D. B.; Fan, X.; Pennycook, S. J., Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 182. DOI: 10.1063/1.125696
29. Meyyappan, M.; Delzeit, L.; Cassell, A.; Hash, D., Plasma Sources Sci. Technol. 2003, 12, 205. DOI: 10.1088/0963-0252/12/2/312
30. Zhu, Y.; Elim, H. I.; Foo, Y. L.; Yu, T.; Liu, Y.; Ji, W.; Lee, J. Y.; Shen, Z.; Wee, A. T. S.; Thong, J. T. L.; Sow, C. H., Adv. Mater. 2006, 18, 587. DOI: 10.1002/adma.200501918
31. Dresselhaus, M. S.; Jorio, A.; Saito, R., Ann. Rev. Cond. Mat. Phys. 2010, 1, 89. DOI: 10.1146/annurev-conmatphys-070909-103919
32. Sveningsson, M.; Morjan, R. E.; Nerushev, O.A.; Sato, Y.; Bäckström, J.; Campbell, E. E. B.; Rohmund, F., Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2001, 73, 409. DOI: 10.1007/s003390100923
33. Nakanishi, Y.; Miyake, A.; Kominami, H.; Aoki, T.; Hatanaka, Y.; Shimaoka, G., Appl. Surf. Sci. 1999, 142, 233. DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00654-0
34. Jha, M.; Patra, R.; Ghosh, S.; Ganguli, A. K., J. Mater. Chem. 2012, 22, 6356. DOI: 10.1039/C2JM16538D
35. Ling-min, Y.; Chang-chun, Z. Proceeding of the 2009 4th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, 2009, ISBN: 978-1-4244-4629-2. DOI: 10.1109/NEMS.2009.5068515
36. Wu, C.; Li, F.; Zhang, Y.; Guo, T.; Qu, B.; Chen, Z., Appl. Surf. Sci. 2011, 257, 4539. DOI: j.apsusc.2010.10.092
37. Green, J. M.; Dong, L.; Gutu, T.; Jiao; J.; Conley, J. F. Jr.; Ono, Y., J. Appl. Phys. 2006, 99, 094308. DOI: 10.1063/1.2194112