Cathodoluminescence modulation of ZnS nanostructures by morphology, doping, and temperature

Advanced Functional Materials

Volumn 23, Issue 29, 2013, Pages 3701-3709

  Liu, Hui ^a   Hu, Linfeng ^a   Watanabe, Kentaro ^b   Hu, Xinhua ^a   Dierre, Benjamin ^b   Kim, Bongsoo ^c   Sekiguchi, Takashi ^b   Fang, Xiaosheng ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^c Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

cathodoluminescence; nanostructures; ZnS

Indexed keywords

CONTROLLED MORPHOLOGY; LOW-INTENSITY PEAK; LUMINESCENT MATERIAL; MEASUREMENT TEMPERATURES; SINGLE-CRYSTALLINE; TEMPERATURE DEPENDENT; TEMPERATURE RANGE; ZNS;

CATHODOLUMINESCENCE; GOLD; LIGHT SOURCES; MODULATION; MORPHOLOGY; NANORODS; NANOSTRUCTURES; ZINC SULFIDE;

NANOBELTS;

EID: 84881141644     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201203711     Document Type: Article

References (63)

1. a) T. Palacios, Nature 2012, 481, 152
2. b) R. S. Devan, R. A. Patil, J. H. Lin, Y. R. Ma, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 3326
3. c) L. F. Hu, J. Yan, M. Y. Liao, H. J. Xiang, X. G. Gong, L. D. Zhang, X. S. Fang, Adv. Mater. 2012, 24, 2305.
4. a) Z. Y. Fan, J. C. Ho, T. Takahashi, R. Yerushalmi, K. Takei, A. C. Ford, Y. L. Chueh, A. Javey, Adv. Mater. 2009, 21, 3730
5. b) Z. Y. Wang, X. W. Lou, Adv. Mater. 2012, 24, 4124.
6. a) L. Li, Y. W. Yang, G. H. Li, L.D. Zhang, Small 2006, 2, 548
7. b) S. L. Ji, C. H. Ye, J. Mater. Sci. Technol. 2008, 24, 457
8. c) X. S. Fang, J. Yan, L. F. Hu, H. Liu, P. S. Lee, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1613.
9. a) L. Li, H. Lu, Z. Y. Yang, L. M. Tong, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Mater. 2012, DOI: 10.1002/adma.201204434
10. b) H. C. Wu, Y. C. Huang, I. K. Ding, C. C. Chen, Y. H. Yang, C. C. Tsai, C. D. Chen, Y. T. Chen, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 474
11. c) X. S. Fang, L. M. Wu, L. F. Hu, Adv. Mater. 2011, 23, 585.
12. a) X. S. Fang, L. F. Hu, K. F. Huo, B. Gao, L. J. Zhao, M. Y. Liao, P. K. Chu, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 3907
13. b) Y. Liang, H. Liang, X. D. Xiao, S. K. Hark, J. Mater. Chem. 2012, 22, 1199.
14. a) J. Tang, Z. Huo, S. Brittman, H. Gao, P. Yang, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 568
15. b) S. K. Kim, R. W. Day, J. F. Cahoon, T. J. Kempa, K. D. Song, H. G. Park, C. M. Lieber, Nano Lett. 2012, 12, 4971.
16. a) A. Menzel, K. Subannajui, F. Güder, D. Moser, O. Paul, M. Zacharias, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4342
17. b) L. D. Zhang, M. Fang, Nano Today 2010, 5, 128.
18. a) W. L. Davidson, Phys. Rev. 1948, 74, 116
19. b) L. D. DeLoach, R. H. Page, G. D. Wilke, S. A. Payne, W. F. Krupke, IEEE J. Quantum Electron. 1996, 32, 885
20. c) R. H. Page, K. I. Schaffers, L. D. DeLoach, G. D. Wilke, F. D. Patel, J. B. Tassano Jr., S. A. Payne, W. F. Krupke, K. T. Chen, A. Burger, IEEE J. Quantum Electron. 1997, 33, 609
21. d) S. Peralta, H. Tuda, IEEE Ind. Appl. Mag. 1998, 4, 31.
22. a) U. K. Gautam, X. S. Fang, Y. Bando, J. H. Zhan, D. Golberg, ACS Nano 2008, 2, 1015
23. b) X. S. Fang, U. K. Gautam, Y. Bando, D. Golberg, J. Mater. Sci. Technol. 2008, 24, 520
24. c) X. S. Fang, C. H. Ye, L. D. Zhang, Y. H. Wang, Y. C. Wu, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 63.
25. Y. Ding, X. D. Wang, Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 2004, 398, 32.
26. D. Moore, Z. L. Wang, J. Mater. Chem. 2006, 16, 3898.
27. D. Moore, Y. Ding, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 14372.
28. Z. W. Wang, L. L. Daemen, Y. S. Zhao, C. S. Zha, R. T. Downs, X. D. Wang, Z. L. Wang, R. J. Hemley, Nat. Mater. 2005, 4, 922.
29. X. S. Fang, Y. Bando, M. Y. Liao, U. K. Gautam, C. Y. Zhi, B. Dierre, B. D. Liu, T. Y. Zhai, T. Sekiguchi, Y. Koide, D. Golberg, Adv. Mater. 2009, 21, 2034.
30. X. S. Fang, Y. Bando, M. Y. Liao, T. Y. Zhai, U. K. Gautam, L. Li, Y. Koide, D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 500.
31. a) Z. G. Chen, L. N. Cheng, H. Y. Xu, J. Z. Liu, J. Zou, T. Sekiguchi, G. Q. Lu, H. M. Cheng, Adv. Mater. 2010, 22, 2376
32. b) X. S. Fang, Y. Bando, G. Z. Shen, C. H. Ye, U. K. Gautam, P. M. F. J. Costa, C. Y. Zhi, C. C. Tang, D. Golberg, Adv. Mater. 2007, 19, 2593.
33. a) L. Sorensen, G. F. Strouse, A. E. Stiegman, Adv. Mater. 2006, 18, 1965
34. b) L. F. Lu, F. J. Zhang, Z. Xu, S. L. Zhao, Z. L. Zhuo, D. D. Song, J. M. Li, Y. S. Wang, Physica B 2010, 405, 3728.
35. a) J. W. Moreau, P. K. Weber, M. C. Martin, B. Gilbert, I. D. Hutcheon, J. F. Banfield, Science 2007, 316, 1600
36. b) X. S. Fang, T. Y. Zhai, U. K. Gautam, L. Li, L. M. Wu, Y. Bando, D. Golberg, Prog. Mater. Sci. 2011, 56, 175.
37. a) H. Yang, P. H. Holloway, Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 152
38. b) H. Z. Wang, H. Nakamura, M. Uehara, Y. Yamaguchi, M. Miyazaki, H. Maeda, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 603.
39. T. Mitsui, N. Yamamoto, T. Tadokoro, S. Ohta, J. Appl. Phys. 1996, 80, 6972.
40. B. G. Yacobi, D. B. Holt, J. Appl. Phys. 1986, 59, R1.
41. P. R. Edwards, R. W. Martin, Semicond. Sci. Technol. 2011, 26, 064005.
42. B. Dierre, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, Sci. Technol. Adv. Mater. 2010, 11, 043001.
43. D. D. D. Ma, S. T. Lee, P. Mueller, S. F. Alvarado, Nano Lett. 2006, 6, 926.
44. a) R. Chen, D. H. Li, B. Liu, Z. P. Peng, G. G. Gurzadyan, Q. H. Xiong, H. D. Sun, Nano Lett. 2010, 10, 4956
45. b) Q. H. Xiong, G. Chen, J. D. Acord, X. Liu, J. J. Zengel, H. R. Gutierrez, J. M. Redwing, L. C. L. Y. Voon, B. Lassen, P. C. Eklund, Nano Lett. 2004, 4, 1663.
46. X. S. Fang, U. K. Gautam, Y. Bando, B. Dierre, T. Sekiguchi, D. Golberg, J. Phys Chem C 2008, 112, 4735.
47. Y. Jiang, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. M. Meng, J. A. Zapien, S. T. Lee, Adv. Mater. 2006, 18, 1527.
48. T. Kang, J. Sung, W. Shim, H. Moon, J. Cho, Y. Jo, W. Lee, B. Kim, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 5352.
49. H. Y. Wang, C. R. Wang, J. Xu, X. Liu, X. F. Xu, H. Z. Xing, L. J. Zhao, X. S. Chen, J. Phys. D Appl. Phys. 2012, 45, 095301.
50. C. H. Ye, X. S. Fang, M. Wang, L. D. Zhang, J. Appl. Phys. 2006, 99, 063504.
51. Y. Wang, L. D. Zhang, C. H. Liang, G. Z. Wang, X. S. Peng, Chem. Phys. Lett. 2002, 357, 314.
52. a) M. Hafeez, T. Y. Zhai, A. S. Bhatti, Y. Bando, D. Golberg, J. Phys. Chem. C 2012, 116, 8297
53. b) L. W. Yin, Y. Bando, J. H. Zhan, M. S. Li, D. Golberg, Adv. Mater. 2005, 17, 1972
54. c) Y. C. Zhu, Y. Bando, D. F. Xue, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1769.
55. Q. Li, C. R. Wang, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 359.
56. T. K. Tran, W. Park, W. Tong, M. M. Kyi, B. K. Wagner, C. J. Summers, J. Appl. Phys. 1997, 81, 2803.
57. S. Nam, B. Oyungsung, K. S. Lee, Y. D. Choi, C. S. Kim, J. Appl. Phys. 1998, 84, 1047.
58. S. Nam, J. Rhee, Y. M. Yu, B. Oyungsung, K. S. Lee, Y. D. Choi, Mater. Chem. Phys. 1998, 55, 229.
59. J. H. Zhan, Y. Bando, J. Q. Hu, D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 243111.
60. F. Banhart, Rep. Prog. Phys. 1999, 62, 1181.
61. B. D. Liu, Y. Bando, M. S. Wang, C. Y. Zhi, X. S. Fang, J. Appl. Phys. 2009, 106, 034302.
62. B. Dierre, X. L. Yuan, Y. Z. Yao, M. Yokoyama, T. Sekiguchi, J Mater Sci: Mater Electron 2008, 19, S307.
63. H. Lei, H. S. Leipner, V. Bondarenko, J. Schreiber, J. Phys.: Condens. Matter 2004, 16, S279.