Thin SnO 2 nanowires with uniform diameter as excellent field emitters: A stability of more than 2400 minutes

Advanced Functional Materials

Volumn 22, Issue 8, 2012, Pages 1613-1622

  Fang, Xiaosheng ^a   Yan, Jian ^b   Hu, Linfeng ^a   Liu, Hui ^a   Lee, Pooi See ^b,c  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

electron field emission field emitters; field emission events; long term stability; nanowires; SnO 2

Indexed keywords

A-STABILITY; BULK MATERIALS; DEVICE APPLICATION; DIAMETER DISTRIBUTIONS; EMISSION CURRENT; FIELD EMISSION MEASUREMENTS; FIELD EMITTER; FIELD-EMISSION EVENTS; HIGH ASPECT RATIO; IN-FIELD; LARGE SURFACE AREA; LONG TERM STABILITY; LOW WORK FUNCTION; OXIDE SEMICONDUCTOR; PHYSICAL DAMAGES; SNO 2; STABLE FIELDS; UNIFORM DIAMETER; ZNO NANOSTRUCTURES;

ASPECT RATIO; ELECTRIC FIELDS; STABILITY; ZINC OXIDE;

NANOWIRES;

EID: 84859852831     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201102196     Document Type: Article

References (57)

1. Y. N. Xia, P. D. Yang, Y. G. Sun, Y. Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353.
2. H. J. Fan, W. Lee, R. Hauschild, M. Alexe, G. Le Rhun, R. Scholz, A. Dadgar, K. Nielsch, H. Kalt, A. Krost, M. Zacharias, U. Gosele, Small 2006, 2, 561.
3. U. K. Gautam, M. Imura, C. S. Rout, Y. Bando, X. S. Fang, B. Dierre, L. Sakharov, A. Govindaraj, T. Sekiguchi, D. Golberg, C. N. R. Rao, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2010, 107, 13588.
4. a) L. Li, Y. W. Yang, G. H. Li, L. D. Zhang, Small 2006, 2, 548
5. b) L. Li, P. Wu, X. S. Fang, T. Y. Zhai, L. Dai, M. Y. Liao, Y. Koide, H. Q. Wang, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Mater. 2010, 22, 3161
6. c) T. Y. Zhai, X. S. Fang, Y. Bando, Q. Liao, X. J. Xu, H. B. Zeng, Y. Ma, J. N. Yao, D. Golberg, ACS Nano 2009, 3, 949.
7. a) L. D. Zhang, M. Fang, Nano Today 2010, 5, 128
8. b) S. L. Ji, C. H. Ye, J. Mater. Sci. Technol. 2008, 24, 457.
9. C. M. Lieber, Z. L. Wang, MRS Bull. 2007, 32, 99.
10. X. D. Chen, G. F. Zheng, J. I. Cutler, J. W. Jang, C. A. Mirkin, Small 2009, 5, 1527.
11. P. D. Yang, R. X. Yan, M. Fardy, Nano Lett. 2010, 10, 1529.
12. X. S. Fang, L. M. Wu, L. F. Hu, Adv. Mater. 2011, 23, 585.
13. J. Z. Zhang, MRS Bull. 2011, 36, 48.
14. a) Z. G. Chen, J. Zou, D. W. Wang, L. C. Yin, G. Liu, Q. F. Liu, C. H. Sun, X. D. Yao, F. Li, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, G. Q. Lu, H. M. Cheng, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 484
15. b) N. S. Liu, G. J. Fang, W. Zeng, H. Long, X. Z. Zhao, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 14377.
16. Q. F. Zhang, C. S. Dandeneau, X. Y. Zhou, G. Z. Cao, Adv. Mater. 2009, 21, 4087.
17. X. S. Fang, T. Y. Zhai, U. K. Gautam, L. Li, L. M. Wu, Y. Bando, D. Golberg, Prog. Mater. Sci. 2011, 56, 175.
18. H. C. Wu, Y. C. Huang, I. K. Ding, C. C. Chen, Y. H. Yang, C. C. Tsai, C. D. Chen, Y. T. Chen, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 474.
19. S. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, D. Wang, Nano. Lett. 2007, 7, 1003.
20. X. S. Fang, Y. Bando, M. Y. Liao, U. K. Gautam, C. Y. Zhi, B. Dierre, B. D. Liu, T. Y. Zhai, T. Sekiguchi, Y. Koide, D. Golberg, Adv. Mater. 2009, 21, 2034.
21. W. Z. Wu, Y. G. Wei, Z. L. Wang, Adv. Mater. 2010, 22, 4711.
22. a) H. J. Jeong, H. D. Jeong, H. Y. Kim, J. S. Kim,., S. Y. Jeong, J. T. Han, D. S. Bang, G. W. Lee, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 1526
23. b) L. Y. Yuan, Y. T. Tao, J. Chen, J. J. Dai, T. Song, M. Y. Ruan, Z. W. Ma, L. Gong, K. Liu, X. H. Zhang, X. J. Hu, J. Zhou, Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 2150.
24. a) W. Z. Wang, B. Q. Zeng, J. Yang, B. Poudel, J. Y. Huang, M. J. Naughton, Z. F. Ren, Adv. Mater. 2006, 18, 3275
25. b) X. S. Fang, Y. Bando, U. K. Gautam, C. H. Ye, D. Golberg, J. Mater. Chem. 2008, 18, 509.
26. X. S. Fang, Y. Bando, G. Z. Shen, C. H. Ye, U. K. Gautam, P. M. F. J. Costa, C. Y. Zhi, C. C. Tang, D. Golberg, Adv. Mater. 2007, 19, 2593.
27. J. H. He, T. H. Wu, C. L. Hsin, K. M. Li, L. J. Chen, Y. L. Chueh, L. J. Chou, Z. L. Wang, Small 2006, 2, 116.
28. A. Kolmakov, Y. X. Zhang, G. S. Cheng, M. Moskovits, Adv. Mater. 2003, 15, 997.
29. M. S. Park, G. X. Wang, Y. M. Kang, D. Wexler, S. X. Dou, H. K. Liu, Angew. Chem. Int. Ed. 2007, 46, 750.
30. Y. J. Choi, I. S. Hwang, J. Gwan, K. J. Choi, J. H. Park, J. H. Lee, Nanotechnology 2008, 19, 095508.
31. B. Liu, C. W. Cheng, R. Chen, Z. X. Shen, H. J. Fan, H. D. Sun, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 3407.
32. Y. J. Chen, Q. H. Li, Y. X. Liang, T. H. Wang, Q. Zhao, D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5682.
33. B. Wang, Y. H. Yang, C. X. Wang, N. S. Xu, G. W. Yang, J. Appl. Phys. 2005, 98, 24303.
34. J. Wu, K. Yu, L. J. Li, J. W. Xu, D. J. Shang, Y. Xu, Z. Q. Zhu, J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41, 185302.
35. L. J. Li, F. J. Zong, X. D. Cui, H. L. Ma, X. H. Wu, Q. D. Zhang, Y. L. Wang, F. Yang, J. Z. Zhao, Mater. Lett. 2007, 61, 4152.
36. L. F. Hu, J. Yan, M. Y. Liao, L. M. Wu, X. S. Fang, Small 2011, 7, 1012.
37. a) A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208
38. b) Y. Y. Wu, P. D. Yang, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 3165.
39. J. H. Duan, S. G. Yang, H. W. Liu, J. F. Gong, H. B. Huang, X. N. Zhao, R. Zhang, Y. W. Du, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 6180.
40. B C. Orchers, D. Stichtenoth, S. Muller, D. Schwen, C. Ronning, Nanotechnology 2006, 17, 1067.
41. J. X. Wang, D. F. Liu, X. Q. Yan, H. J. Yuan, L. J. Ci, Z. P. Zhou, Y. Gao, L. Song, L. F. Liu, W. Y. Zhou, G. Wang, S. S. Xie, Solid State Commun. 2004, 130, 89.
42. L. H. Huang, L. Pu, Y. Shi, R. Zhang, B. X. Gu, Y. W. Du, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 163124.
43. R. S. Yang, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1466.
44. J. R. Duan, J. F. Gong, H. B. Huang, X. N. Zhao, G. X. Cheng, Z. Z. Yu, S. G. Yang, Nanotechnology 2007, 18, 055607.
45. a) B. D. Liu, Z. Wang, C. Y. Li, M. Gao, M. Mitome, X. Jiang, D. Golberg, Cryst. Growth Des. 2010, 10, 4143
46. b) D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, T. Goto, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 403.
47. Z. R. Dai, J. L. Gole, J. D. Stout, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 1274.
48. a) J. C. She, Z. M. Xiao, Y. H. Yang, S. Z. Deng, J. Chen, G. W. Yang, N. S. Xu, ACS Nano 2008, 2, 2015
49. b) Q. Zhao, J. Y. Gao, R. Zhu, T. C. Cai, S. Wang, X. F. Song, Z. M. Liao, X. H. Chen, D. P. Yu, Nanotechnology 2010, 21, 095701
50. c) C. H. Ye, Y. Bando, X. S. Fang, G. Z. Shen, D. Golberg, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12673.
51. X. S. Fang, Y. Bando, C. H. Ye, G. Z. Shen, U. K. Gautam, C. C. Tang, D. Golberg, Chem. Commun. 2007, 4093.
52. U. K. Gautam, X. S. Fang, Y. Bando, J. H. Zhan, D. Golberg, ACS Nano 2008, 2, 1015.
53. J. M. Wu, Thin Solid Film 2008, 517, 1289.
54. L. A. Ma, T. L. Guo, Mater. Lett. 2009, 63, 295.
55. R. H. Fowler, L. Nordheim, Proc. R. Soc. London A 1928, 119, 173.
56. X. S. Fang, Y. Bando, C. H. Ye, D. Golberg, Chem. Commun. 2007, 3048.
57. Y. Z. Jin, W. K. Hsu, Y. L. Chueh, L. J. Chou, Y. Q. Zhu, K. Brigatti, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 5670.