Interstitial defects induced ferroelectricity in undoped ZnO nanorods at room temperature

Science of Advanced Materials

Volumn 5, Issue 7, 2013, Pages 733-739

  Ghosh, Moumita ^a   Rao, G Mohan ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE   (India)

Author keywords

Ferroelectricity; Lattice mismatch; Nanorod; Piezoresponse force microscopy; Scanning electron microscopy; X Ray diffraction; ZnO

Indexed keywords

EID: 84881005788     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2013.1511     Document Type: Article

References (46)

1. S. Baruah and J. Dutta, Sci. Technol. Adv. Mater. 10, 013001 (2009).
2. Z. L. Wang, J. Phys. Condens. Matter 16, R829 (2004).
3. Z. Fan and J. G. Lu, J. Nanosci. Nanotechnol. 5, 1561 (2005).
4. M. M. C. Chou, L. Chang, H. Y. Chung, T. H. Huang, J. J. Wu, and C. W. Chen, J. Cryst. Growth. 308, 412 (2007).
5. M. Suchea, S. Christoulakis, K. Moschovis, N. Katsarakis, and G. Kiriakidis, Thin Solid Films 515, 551 (2006).
6. Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 18, 3553 (2008).
7. D. A. Scrymgeour and J. W. P. Hsu, Nano Lett. 8, 2204 (2008).
8. R. Pyrz, Adv. Mater. Res. 32, 107 (2008).
9. S. Dai, M. L. Dunn, and H. S. Park, Nanotechnology 21, 445707 (2010).
10. K. Momeni, A. Asthana, A. Prasad, Y. K. Yap, and R. S. Yassar, Appl. Phys. A 109, 95 (2012).
11. D. A. Scrymgeour and J. W. P. Hsu, Nano Lett. 8, 2204 (2008).
12. Q. M. Zhang, J. Chen, and L. E. Cross, Ultrasonics Symposium 1, 525 (1993).
13. Y. C. Yang, C. Song, X. H. Wang, F. Zeng, and F. Pan, Appl. Phys. Lett. 92, 012907 (2008).
14. W. L. Zhong, Y. G. Wang, P. L. Zhang, and B. D. Qu, Phys. Rev. B: Condens. Matter. 50, 698 (1994).
15. J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
16. H. G. Lee and H. G. Kim, J. Appl. Phys. 67, 2024 (1990).
17. P. Marquadt and H. Gleiter, Phys. Rev. Lett. 48, 1423 (1982).
18. W. L. Zhong, B. Jiang, P. L. Zhang, J. M. Ma, H. M. Cheng, Z. H. Yang, and L. X. J. Li, J. Phys.: Condens. Matter 5, 2619 (1993).
19. C. W. Zou, M. Li, H. J. Wang, M. L. Yin, C. S. Liu, L. P. Guo, D. J. Fu, and T. W. Kang, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 267, 1067 (2009).
20. M. K. Gupta and B. Kumar, J. Alloys Compd. 509, L208 (2011).
21. T. S. Herng, A. Kumar, C. S. Ong, Y. P. Feng, Y. H. Lu, K. Y. Zeng, and J. Ding, Scientific Reports 2, 587 (2012).
22. S. Xu, Y. Wei, M. Kirkham, J. Liu, W. Mai, D. Davidovic, R. L. Snyder, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 130, 14958 (2008).
23. H. Wang, J. Xie, K. Yan, and M. Duan, J. Mater. Sci. Technol. 27, 153 (2011).
24. M. Koyano, P. Q. Bao, L. T. Binh, L. H. Ha, N. N. Long, and S. Katayama, Phys. Stat. Sol. (a)193, 125 (2002).
25. Y. C. Chen, L. H. Chen, Y. L. Min, and Y. G. Zhang, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 23, 1759 (2012).
26. W. L. Xu, M. J. Zheng, G. Q. Ding, and W. Z. Shen, Chem. Phys. Lett. 411, 37 (2005).
27. K. Mcguire, Z. W. Pan, Z. L. Wang, D. Milkie, J. Menéndez, and A. M. Rao, J. Nanosci. Nanotech. 2, 1 (2002).
28. M. R. Laskar, T. Ganguli, A. A. Rahman, A. Mukherjee, N. Hatui, M. R. Gokhale, and A. Bhattacharya, J. Appl. Phys. 109, 013107 (2011).
29. P. K. Sharma, A. C. Pandey, G. Zolnierkiewicz, N. Guskos, and C. Rudowicz, J. Appl. Phys. 106, 094314 (2009).
30. P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, 2nd edn., Prentice Hall, Upper Saddle River (1997).
31. M. D. Nguyen, Ph.D. Thesis, University of Twente, Netherlands (2010).
32. D. Damjanovic, Rep. Prog. Phys. 61, 1267 (1998).
33. K. Y. Yuna, D. Ricinschi, T. Kanashima, and M. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 89, 192902 (2006).
34. C. G. Montoro and M. C. Schneider, MOSFET Modelling For Circuit Analysis and Design, World Scientific Publishing Co. Pvt. Ltd., Singapore (2007).
35. G. H. Haertling, J. Am. Ceram. Soc. 82, 797 (1999).
36. R. Proksch, Asylum Research and Sergei Kalinin, Center for Nanophase Materials Sciences (CNMS) at Oak Ridge National Laboratory, Application note 10.
37. S. Jesse, H. N. Lee, and S. V. Kalinin, Rev. Sci. Instrum. 77, 073702 (2006).
38. M. H. Zhao, Z. L. Wang, and S. X. Mao, Nano Lett. 4, 587 (2004).
39. D. A. Scrymgeour and J. W. P. Hsu, Nano Lett. 8, 2204 (2008).
40. C. Haranagea, A. Pignolet, M. Alexe, and D. Hesse, Integrated Ferroelectrics 44, 113 (2002).
41. M. K. Gupta and B. Kumar, J. Mater. Chem. 21, 14559 (2011).
42. A. D. Corso, M. Posternak, R. Resta, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 50, 10715 (1994).
43. S. Dai, M. L. Dunn, and H. S. Park, Nanotechnology 21, 445707 (2010).
44. Y. S. Kim, J. Kim, S. J. Moon, W. S. Choi, Y. J. Chang, J.-G. Yoon, J. Yu, J.-S. Chung, and T. W. Noh, Appl. Phys. Lett. 94, 202906 (2009).
45. S. V. Kalinin, B. J. Rodriguez, A. Y. Borisevich, A. P. Baddorf, N. Balke, H. J.Chang, L. Q. Chen, S. Choudhury, S. Jesse, P. Maksymovych, M. P. Nikiforov, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. 22, 314 (2010).
46. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).