Atomic layer deposition of Er2O3 thin films from Er tris-guanidinate and water: Process optimization, film analysis and electrical properties

Journal of Materials Chemistry C

Volumn 1, Issue 25, 2013, Pages 3939-3946

  Xu, Ke ^a   Chaudhuri, Ayan Roy ^b   Parala, Harish ^a   Schwendt, Dominik ^b   Arcos, Teresa De Los ^a   Osten, H Jörg ^b   Devi, Anjana ^a  

^a RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

^b LEIBNIZ UNIVERSITY HANNOVER   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AS-DEPOSITED FILMS; CAPACITANCE VOLTAGE; CURRENT-VOLTAGE MEASUREMENTS; LINEAR DEPENDENCE; METAL-ORGANIC COMPLEXES; SATURATION BEHAVIOR; SI (100) SUBSTRATE; TEMPERATURE RANGE;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; DEPOSITION; ELECTRIC PROPERTIES; ERBIUM; GATE DIELECTRICS; OPTIMIZATION; PROCESS CONTROL; THIN FILMS;

ERBIUM COMPOUNDS;

EID: 84880152913     PISSN: 20507534     EISSN: 20507526     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c3tc30401a     Document Type: Article

References (43)

1. R. Si Y.-W. Zhang H.-P. Zhou L.-D. Sun C.-H. Yan Chem. Mater. 2007 19 18
2. V. G. Pol R. Reisfeld A. Gedanken Chem. Mater. 2002 14 3920
3. M. Losurdo M. M. Giangregorio P. Capezzulo G. Bruno R. G. Toro G. Malandrino I. L. Fragalà L. Armelao D. Barreca E. Tondello A. A. Suvorova D. Yang E. A. Irene Adv. Funct. Mater. 2007 17 3607
4. H. J. Osten A. Laha M. Czernohorsky E. Bugiel R. Dargis A. Fissel Phys. Status Solidi A 2008 205 695
5. G. D. Wilk R. M. Wallace J. M. Anthony J. Appl. Phys. 2001 89 5243
6. M. M. Giangregorio A. Sacchetti M. Losurdo P. Capezzuto G. Bruno J. Non-Cryst. Solids 2008 354 2853
7. Y. Zhu Y. Fang Y. Liu J. Rare Earths 2010 28 752
8. K. M. Hubbard B. F. Espinoz Thin Solid Films 2000 366 175
9. D. Xue K. Betzler H. Hesse J. Phys.: Condens. Matter 2000 12 3113
10. G. Adachi N. Imanaka Chem. Rev. 1998 98 1479
11. T. S. Kalkur Y. C. Lu Thin Solid Films 1990 188 203
12. H. Ono T. Katsumata Appl. Phys. Lett. 2001 78 1831
13. R. F. Berard D. R. Wilder J. Am. Ceram. Soc. 1969 52 85
14. C. P. Michael V. A. Sabnis H. B. Yuen A. Jamora S. Semans P. B. Atanackovic O. Painter Appl. Phys. Lett. 2009 94 131103
15. S. Chen Y. Zhu R. Wu Y. Wu Y. Fan Z. Jiang J. Appl. Phys. 2007 101 064106
16. D. M. Mattox, Handbook of Physical Vapor Deposition (PVD) Processing, William Andrew, 2nd edn, 2010
17. K. S. S. Harsha, Principles of Physical Vapor Deposition of Thin Films, Elsevier Science & Technology, 2006
18. A. C. Jones and M. L. Hitchman, Chemical Vapor Deposition: Precursors, Processes and Applications, Royal Society of Chemistry, Cambridge, 2009
19. L. Niinistö J. Päiväsaari J. Niinistö M. Putkonen M. Nieminen Phys. Status Solidi A 2004 201 1443
20. U. Schubert, N. Hüsing, Synthesis of Inorganic Materials, 2 revised and updated edition, Wiley-VCH, Weinheim, 2005
21. S. Middleman and A. K. Hochberg, Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication, McGraw-Hill, 1993
22. M. Leskelä M. Ritala Angew. Chem., Int. Ed. 2003 42 5548
23. A. P. Milanov R. W. Seidel D. Barreca A. Gasparotto M. Winter J. Feydt S. Irsen H.-W. Becker A. Devi Dalton Trans. 2011 40 62
24. D. R. v. Staveren G. A. v. Albada J. G. Haasnoot H. Kooijman A. M. M. Lanfredi P. J. Nieuwenhuizen A. L. Spek F. Ugozzoli T. Weyhermuller J. Reedijk Inorg. Chim. Acta 2001 315 163
25. M. Sasaki H. Horiuchi M. Kumagai M. Sakamoto H. Sakiyama Y. Nishida Y. Sadaoka M. Ohba H. Okawa Chem. Lett. 1998 911
26. J. Paivasaari M. Putkonen T. Sajavaara L. Niinistö J. Alloys Compd. 2004 347 124
27. J. Päiväsaari J. Niinistö K. Arstila K. Kukli M. Putkonen L. Niinistö Chem. Vap. Deposition 2005 11 415
28. R. Xu Q. Tao Y. Yang C. G. Takoudis Appl. Surf. Sci. 2012 258 8514
29. J. Päiväsaari C. L. Dezelah D. Back H. M. El-Kaderi M. J. Heeg M. Putkonen L. Niinistö C. H. Winter J. Mater. Chem. 2005 15 4224
30. K. Xu R. Ranjith A. Laha H. Parala A. P. Milanov R. A. Fischer E. Bugiel J. Feydt S. Irsen T. Toader C. Bock D. Rogalla H.-J. Osten U. Kunze A. Devi Chem. Mater. 2012 24 651
31. A. P. Milanov K. Xu A. Laha E. Bugiel R. Ranjith D. Schwendt H. J. Osten H. Parala R. A. Fischer A. Devi J. Am. Chem. Soc. 2010 132 36
32. A. P. Milanov K. Xu S. Cwik H. Parala T. d. l. Arcos H.-W. Becker D. Rogalla R. Cross S. Paul A. Devi Dalton Trans. 2012 41 13936
33. E. Kótai Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1994 85 588
34. P. E. Larson M. A. Kelly J. Vac. Sci. Technol., A 1998 16 3483
35. T. L. Barr S. Seal J. Vac. Sci. Technol., A 1995 13 1239
36. D. A. Shirley Phys. Rev. B: Solid State 1972 5 4709
37. D. M. Hausmann E. Kim J. Becker R. G. Gordon Chem. Mater. 2002 14 4350
38. L. Nyns A. Delabie J. Swerts S. V. Elshocht S. D. Gendt J. Electrochem. Soc. 2010 157 G225
39. N. Guerfi O. Bourbia S. Achour Mater. Sci. Forum 2005 480 193
40. M. Losurdo M. M. Giangregorio P. Capezzuto G. Bruno G. Malandrino I. L. Fragalà L. Armelao D. Barreca E. Tondello J. Electrochem. Soc. 2008 155 G44
41. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley and Sons, Inc., New York, 1990
42. A. Laha H. J. Osten A. Fissel Appl. Phys. Lett. 2006 89 143514
43. K. B. Jinesh Y. Lamy E. Tois W. F. A. Besling Appl. Phys. Lett. 2009 94 252906