Oriented film growth of Ba1-xSrxTiO3 dielectrics on glass substrates using 2D nanosheet seed layer

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 11, 2013, Pages 4592-4596

  Jung, Chulho ^a   Ohnishi, Tsuyoshi ^a   Osada, Minoru ^a   Takada, Kazunori ^a   Sasaki, Takayoshi ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

Ba1 xSrxTiO3; dielectrics; nanosheet; seed layer; thin film growth

Indexed keywords

AXIS ORIENTATION; CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATIONS; DIELECTRIC PERFORMANCE; EPITAXIALLY GROWN; INTRINSIC PERFORMANCE; PREFERRED ORIENTATIONS; SEED LAYER; TIO;

DIELECTRIC MATERIALS; FILM GROWTH; GLASS; PULSED LASER DEPOSITION; SUBSTRATES; THIN FILMS;

NANOSHEETS;

EID: 84879091106     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am400849z     Document Type: Article

References (30)

1. Schlom, D. G.; Chen, L. Q.; Pan, X.; Schmehl, A.; Zurbuchen, M. A. J. Am. Ceram. Soc. 2008, 91, 2429-2454
2. Lee, H. N.; Hesse, D.; Zakharov, N.; Gösele, U. Science 2002, 296, 2006-2009
3. Watanabe, T.; Funakubo, H.; Saito, K.; Suzuki, T.; Fujimoto, M.; Osada, M.; Noguchi, Y.; Miyayama, M. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1660-1662
4. Watanabe, T.; Funakubo, H. J. Appl. Phys. 2006, 100, 051602
5. Vrejoiu, I.; Alexe, M.; Hesse, D.; Gösele, U. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3892-3906
6. Chang, W.; Gilmore, C. M.; Kim, W. J.; Pond, J. M.; Kirchoefer, S. W.; Qadri, S. B.; Chirsey, D. B.; Horwitz, J. S. J. Appl. Phys. 2000, 87, 3044-3049
7. Carlson, C. M.; Rivkin, T. V.; Parilla, P. A.; Perkins, J. D.; Ginley, D. S.; Kozyrev, A. B.; Oshadchy, V. N.; Pavlov, A. S. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1920-1922
8. Moon, S. E.; Kim, E. K.; Kwak, M. H.; Ryu, H. C.; Kim, Y. T.; Kang, K. Y.; Lee, S. J.; Kim, W. J. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2166-2168
9. Chang, K. S.; Aronova, M.; Famodu, O.; Takeuchi, I.; Lofland, S. E.; Hattrick-Simpers, J.; Chang, H. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 4411-4413
10. Sasaki, T.; Watanabe, M. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 4682-4689
11. Ma, R.; Sasaki, T. Adv. Mater. 2010, 22, 5082-5104
12. Shibata, T.; Fukuda, K.; Ebina, Y.; Kogure, T.; Sasaki, T. Adv. Mater. 2008, 20, 231-235
13. Shibata, T.; Ohnishi, T.; Sakaguchi, I.; Osada, M.; Takada, K.; Kogure, T.; Sasaki, T. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 19096-19101
14. Shibata, T.; Ebina, Y.; Ohnishi, T.; Takada, K.; Kogure, T.; Sasaki, T. Cryst. Growth Des. 2010, 10, 3787-3793
15. McQuarrie, M. J. Am. Ceram. Soc. 1955, 38, 444-449
16. Ebina, Y.; Sasaki, T.; Watanabe, M. Solid State Ionics 2002, 151, 177-182
17. Akatsuka, K.; Haga, M.; Ebina, Y.; Osada, M.; Fukuda, K.; Sasaki, T. ACS Nano 2009, 3, 1097-1106
18. Osada, M.; Akatsuka, K.; Ebina, Y.; Funakubo, H.; Ono, K.; Takada, K.; Sasaki, T. ACS Nano 2010, 4, 5225-5232
19. Ohnishi, T.; Lippmaa, M.; Yamamoto, T.; Meguro, S.; Koinuma, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 241919
20. Ohnishi, T.; Shibuya, K.; Yamamoto, T.; Lippmaa, M. J. Appl. Phys. 2008, 103, 103703
21. Alldredge, L. M. B.; Chang, W.; Qadri, S. B.; Kirchoefer, S. W.; Pond, J. M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 212901
22. Stengel, M.; Spaldin, N. A. Nature 2006, 443, 679-682
23. Lee, C.; Destry, J.; Brebner, J. L. Phys. Rev. B 1975, 11, 2299-2310
24. Song, S. N.; Zhai, J. W.; Gao, L. N.; Yao, X.; Hung, T. F.; Xu, Z. K. J. Appl. Phys. 2008, 104, 096107
25. Zhu, X. H.; Guigues, B.; Defaÿ, E.; Dubarry, C.; Aïd, M. J. Appl. Phys. 2009, 106, 024109
26. Gevorgian, S. S.; Martinsson, T.; Linner, P. L. J.; Kollberg, E. L. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1996, 44, 896-904
27. Kim, W. J.; Chang, W.; Qadri, S. B.; Pond, J. M.; Kirchoefer, S. W.; Chrisey, D. B.; Horwitz, J. S. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1185-1187
28. Basceri, C.; Streiffer, S. K.; Kingon, A. I.; Waser, R. J. Appl. Phys. 1997, 82, 2497-2504
29. Kim, T. S.; Kim, C. H.; Oh, M. H. J. Appl. Phys. 1994, 75, 7998-8003
30. Zhou, X. Y.; Wang, D. Y.; Zheng, R. K.; Tian, H. Y.; Qi, J. Q.; Chan, H. L. W.; Choy, C. L.; Wang, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 132902