Growth of vertical GaAs nanowires on an amorphous substrate via a fiber-textured Si platform

Nano Letters

Volumn 13, Issue 6, 2013, Pages 2743-2747

  Cohin, Yann ^a,b   Mauguin, Olivia ^a   Largeau, Ludovic ^a   Patriarche, Gilles ^a   Glas, Frank ^a   Søndergård, Elin ^b   Harmand, Jean Christophe ^a  

^a CNRS   (France)

^b SAINT GOBAIN RECHERCHE   (France)

Author keywords

GaAs; heteroepitaxy; molecular beam epitaxy; polycrystalline silicon; Vertical nanowire

Indexed keywords

ALUMINUM-INDUCED CRYSTALLIZATION; AMORPHOUS SUBSTRATE; GAAS; GAAS NANOWIRES; GENERIC PLATFORMS; NANOWIRES (NWS); SILICON THIN FILM; VERTICAL NANOWIRES;

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ARSENIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOWIRES; POLYSILICON; SEMICONDUCTING GALLIUM; SILICON OXIDES; SUBSTRATES;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 84879082956     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl400924c     Document Type: Article

References (26)

1. Glas, F. Phys. Rev. B 2006, 74, 121302
2. Mårtensson, T.; Svensson, C. P. T.; Wacaser, B. A.; Larsson, M. W.; Seifert, W.; Deppert, K.; Gustafsson, A.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2004, 4, 1987-1990
3. Tomioka, K.; Yoshimura, M.; Fukui, T. Nature 2012, 488, 189-193
4. Wallentin, J.; Anttu, N.; Asoli, D.; Huffman, M.; Åberg, I.; Magnusson, M. H.; Siefer, G.; Fuss-Kailuweit, P.; Dimroth, F.; Witzigmann, B.; Xu, H. Q.; Samuelson, L.; Deppert, K.; Borgström, M. T. Science 2013, 339, 1057-1060
5. Krogstrup, P.; Jørgensen, H. I.; Heiss, M.; Demichel, O.; Holm, J. V.; Aagesen, M.; Nygård, J.; Fontcuberta i Morral, A. Nat. Photonics 2013, 7, 306-310
6. Kumar, M.; Ganesan, P. G.; Singh, V. N.; Mehta, B. R.; Singh, J. P. Nanotechnology 2007, 19, 175606
7. Willander, M.; Nur, O.; Bano, N.; Sultana, K. New J. Phys. 2009, 11, 125020
8. Hong, Y. J.; Fukui, T. ACS Nano 2011, 5, 7576-7584
9. Hong, Y. J.; Lee, W. H.; Wu, Y.; Ruoff, R. S.; Fukui, T. Nano Lett. 2012, 12, 1431-1436
10. Munshi, A. M.; Dheeraj, D. L.; Fauske, V. T.; Kim, D.-C.; van Helvoort, A. T. J.; Fimland, B.-O.; Weman, H. Nano Lett. 2012, 12, 4570-4576
11. Kumar, B.; Lee, K. Y.; Park, H.-K.; Chae, S. J.; Lee, Y. H.; Kim, S.-W. ACS Nano 2012, 5, 4197-4204
12. Herd, S. R.; Chaudhari, P.; Brodsky, M. H. J. Non-Cryst. Solids 1972, 7, 309-327
13. Konno, T. J.; Sinclair, R. Mater. Sci. Eng. 1994, A179/A180, 426-432
14. Nast, O.; Puzzer, T.; Koschier, L. M.; Sproul, A. B.; Wenham, S. R. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3214-3216
15. Lee, S.-W.; Joo, S.-K. IEEE Electron Device Lett. 1996, 17, 160
16. Tsukada, D.; Matsumoto, Y.; Sasaki, R.; Takeishi, M.; Saito, T.; Usami, N.; Suemasu, T. J. Cryst. Growth 2009, 311, 3581-3586
17. Nast, O.; Wenham, S. R. J. Appl. Phys. 2000, 88, 124-132
18. Gall, S.; Muske, M.; Sieber, I.; Nast, O.; Fuhs, W. J. Non-Cryst. Solids 2002, 299-302, 741-745
19. Wang, Z. M.; Wang, J. Y.; Jeurgens, L. P. H.; Mittemeijer, E. J. Phys. Rev. B 2008, 77, 045424
20. Kurosawa, M.; Toko, K.; Kawabata, N.; Sadoh, T.; Miyao, M. Solid-State Electron. 2011, 60, 7-12
21. Schneider, J.; Sarikov, A.; Klein, J.; Muske, M.; Sieber, I.; Quinn, T.; Reehal, H. S.; Gall, S.; Fuhs, W. J. Cryst. Growth 2006, 287, 423-427
22. Windenbord, P. I.; Aberle, A. G. J. Cryst. Growth 2002, 242, 270-282
23. Fontcuberta i Morral, A.; Colombo, C.; Abstreiter, G.; Arbiol, J.; Morante, J. R. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 063112
24. Uccelli, E.; Arbiol, J.; Magen, C.; Krogstrup, P.; Russo-Averchi, E.; Heiss, M.; Mugny, G.; Morier-Genoud, E.; Nygård, J.; Morante, J. R.; Fontcuberta i Morral, A. Nano Lett. 2011, 11, 3827-3832
25. Russo-Averchi, E.; Heiss, M.; Michelet, L.; Krogstrup, P.; Nygård, J.; Magen, C.; Morante, J. R.; Uccelli, E.; Arbiol, J.; Fontcuberta i Morral, A. Nanoscale 2012, 4, 1486-1490
26. Duan, X.; Wang, J.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1116-1118