MgZnO avalanche photodetectors realized in Schottky structures

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters

Volumn 7, Issue 6, 2013, Pages 425-428

  Yu, J ^a,b   Shan, C X ^a   Liu, J S ^a,b   Zhang, X W ^a,b   Li, B H ^a   Shen, D Z ^a  

^a CHANGCHUN INSTITUTE OF OPTICS   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

Avalanche photodetectors; MgZnO; Schottky contacts

Indexed keywords

AVALANCHE GAINS; AVALANCHE MULTIPLICATION; AVALANCHE PHOTODETECTOR (APD); IONIZATION PROCESS; MGZNO; RESPONSE SPEED; SCHOTTKY CONTACTS; SCHOTTKY STRUCTURES;

ELECTRIC FIELDS; IMPACT IONIZATION; PHOTONS;

PHOTODETECTORS;

EID: 84879005852     PISSN: 18626254     EISSN: 18626270     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssr.201307085     Document Type: Article

References (28)

1. T. C. Zhang, Y. Guo, Z. X. Mei, C. Z. Gu, and X. L. Du, Appl. Phys. Lett. 94, 113508 (2009).
2. O. Lupan, G. Chai, L. Chow, G. A. Emelchenko, H. Heinrich, V. V. Ursaki, A. N. Gruzintsev, I. M. Tiginyanu, and A. N. Redkin, Phys. Status Solidi A 207, 1735 (2010).
3. D. D. Lin, H. Wu, W. Zhang, H. P. Li, and W. Pan, Appl. Phys. Lett. 94, 172103 (2009).
4. H. K. Yadav, K. Sreenivas, and V. Gupta, Appl. Phys. Lett. 90, 172113 (2007).
5. C. H. Lin and C. W. Liu, Sensors 10, 8797 (2010).
6. L. A. Kosyachenko, G. V. Lashkarev, V. M. Sklyarchuk, A. I. Ievtushenko, O. F. Sklyarchuk, V. I. Lazorenko, and A. Ulyashin, Phys. Status Solidi A 207, 1972 (2010).
7. O. Lupan, L. Chow, G. Chai, L. Chernyak, O. L. Tirpak, and H. Heinrich, Phys. Status Solidi A 205, 2673 (2008).
8. A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, V. A. Karpyna, M. G. Dusheyko, V. M. Tkach, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, K. A. Avramenko, V. V. Strelchuk, and Z. J. Horvath, Phys. Status Solidi A 207, 1746 (2010).
9. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
10. A. Kaushal, D. Pathak, R. K. Bedi, and D. Kaur, Thin Solid Films 518, 1394 (2009).
11. Y. N. Hou, Z. X. Mei, Z. L. Liu, T. C. Zhang, and X. L. Du, Appl. Phys. Lett. 98, 103506 (2011).
12. H. Zhu, C. X. Shan, L. K. Wang, J. Zheng, J. Y. Zhang, B. Yao, and D. Z. Shen, J. Phys. Chem. C 114, 7169 (2010).
13. F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, X. Q. Xiu, H. Zhao, R. Zhang, and Y. D. Zheng, IEEE Electron Device Lett. 32, 1260 (2011).
14. R. McClintock, J. L. Pau, K. Minder, C. Bayram, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 90, 141112 (2007).
15. X. G. Bai, H. D. Liu, D. C. McIntosh, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 45, 300 (2009).
16. C. Bayram, J. L. Pau, R. McClintock, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 92, 241103 (2008).
17. J. Yu, C. X. Shan, X. M. Huang, X. W. Zhang, S. P. Wang, and D. Z. Shen, J. Phys. D, Appl. Phys. (submitted).
18. J. S. Liu, C. X. Shan, S. P. Wang, B. H. Li, Z. Z. Zhang, and D. Z. Shen, J. Cryst. Growth 347, 95 (2012).
19. C. X. Wu, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Chin. Sci. Bull. 55, 90 (2010).
20. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, Hoboken, 2007), p. 685.
21. T. Tut, S. Butun, B. Butun, M. Gokkavas, H. Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 87, 223502 (2005).
22. R. McClintock, A. Yasan, K. Minder, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 87, 241123 (2005).
23. T. Tut, M. Gokkavas, A. Inal, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 90, 163506 (2007).
24. S. M. Sze, D. J. Coleman, and A. Loya, Solid-State Electron. 14, 1209 (1971).
25. X. Y. Ma, P. L. Chen, D. S. Li, Y. Y. Zhang, and D. R. Yang, Appl. Phys. Lett. 91, 251109 (2007).
26. H. Zhu, C. X. Shan, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, B. Yao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Z. K. Tang, Y. H. How, and K. L. Choy, Adv. Mater. 22, 1877 (2010).
27. T. D. Moustakkas and M. Misra, Proc. SPIE 6766, 67660C (2007).
28. J. W. Farmer and R. S. Lee, J. Appl. Phys. 46, 2710 (1975).