AlxGa1-xN-based avalanche photodiodes with high reproducible avalanche gain

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 16, 2007, Pages

  Tut, Turgut ^a   Gokkavas, Mutlu ^b   Inal, Ayse ^b   Ozbay, Ekmel ^b  

^a BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; BIAS VOLTAGE; DARK CURRENTS; GAIN MEASUREMENT; THERMAL EFFECTS; ULTRAVIOLET RADIATION;

AVALANCHE GAIN; SOLAR BLIND PHOTODETECTORS; ULTRAVIOLET ILLUMINATION;

AVALANCHE PHOTODIODES;

EID: 34247335040     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2724926     Document Type: Article

References (22)

1. E. Ozbay, N. Biyikli, I. Kimukin, T. Tut, T. Kartaloglu, and O. Aytur, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 10, 742 (2004).
2. C. J. Collins, U. Chowdhury, M. M. Wong, B. Yang, A. L. Beck, and R. D. Dupuis, Electron. Lett. 38, 824 (2002).
3. N. Biyikli, T. Kartaloglu, O. Aytur, I. Kimukin, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 79, 2838 (2001).
4. N. Biyikli, I. Kimukin, T. Tut, O. Aytur, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 81, 3272 (2002).
5. S. Butun, M. Gokkavas, HongBo Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 89, 073503 (2006).
6. J. C. Campbell, S. Demiguel, F. Ma, A. Beck, X. Guo, S. Wang, X. Zheng, X. Li, J. D. Beck, M. A. Kinch, A. Huntington, L. A. Coldren, J. Decobert, and N. Tscherptner, IEEE J. Quantum Electron. 10, 777 (2004).
7. T. Tut, S. Butun, B. Butun, M. Gokkavas, H. B. Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 87, 223502 (2005).
8. N. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, and Ekmel Ozbay, Phys. Status Solidi C 7, 2314 (2003).
9. Y. Wang, K. Brennan, and P. Ruden, IEEE J. Quantum Electron. 27, 232 (1991).
10. P. Ruden and S. Krishnankutty, IEEE Trans. Electron Devices 46, 2348 (1999).
11. C. Sevik and C. Bulutay, Appl. Phys. Lett. 83, 1382 (2003).
12. K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, A. Lightfoot, M. W. Geis, K. M. Molvar, I. MeIngailis, R. L. Aggarwal, W. D. Goodhue, S. S. Choi, D. L. Spears, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 75, 3485 (1999).
13. J. C. Carrano, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, C. J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang, A. L. Beck, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 924 (2000).
14. A. Osinsky, M. S. Shur, R. Gaska, and Q. Chen, Electron. Lett. 34, 691 (1998).
15. S. Verghese, K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, R. L. Aggarwal, M. W. Geis, K. M. Molvar, E. K. Duerr, and I. MeIngailis, IEEE Electron Device Lett. 48, 502 (2001).
16. K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, N. Efremov, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 76, 3938 (2000).
17. B. Yang, T. Li, K. Heng, C. Collins, S. Wang, J. C. Carrano, R. D. Dupuis, J. C. Campbell, M. J. Schurman, and I. T. Ferguson, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1389 (2000).
18. J. B. Limb, D. Yoo, J. H. Ryou, W. Lee, S. C. Shen, R. D. Dupuis, M. L. Reed, C. J. Collins, M. Wraback, D. Hanser, E. Preble, N. M. Williams, and K. Evans, Appl. Phys. Lett. 89, 011112 (2006).
19. R. McClintock, A. Yasan, K. Minder, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 87, 241123 (2005).
20. T. Tut, M. Gokkavas, B. Butun, S. Butun, E. Ulker, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 89, 183524 (2006).
21. T. Tut, N. Biyikli, 1. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, S. Unlu, and E. Ozbay, Solid-State Electron. 49, 117 (2005).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), Chap. 13, p. 744.