Characterization of HfO2/Al2O3 gate dielectric nanometer-stacks grown by atomic layer deposition on Ge substrates

AIP Conference Proceedings

Volumn 1476, Issue , 2012, Pages 21-25

  Li, Xue Fei ^a   Li, Ai Dong ^a   Qian, Xu ^a   Fu, Ying Ying ^a   Wu, Di ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Atomic Layer Deposition; HfO2 Al2O3 nanometer stack; Interface

Indexed keywords

EID: 84875521641     PISSN: 0094243X     EISSN: 15517616     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1063/1.4751558     Document Type: Conference Paper

References (16)

1. S. Van Elshocht, M. Caymax, T. Conard, S. De Gendt, I. Hoflijk, M. Houssa, B. De Jaeger, J. Van Steenbergen, M. Heyns, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett. 88, 141904 (2006).
2. Y. Kamata, Mater. Today 11, 30 (2008).
3. J. Oh and J. C. Campbell, J. Electron. Mater. 33, 364 (2004).
4. M. Caymax, S. Van Elshocht, M. Houssa, A. Delabie, T. Conard, M. Meuris, M. M. Heyns, A. Dimoulas, S. Spiga, M. Fanciulli, J. W. Seo, and L. V. Concharova, Mater. Sci. Eng. B 135, 256 (2006).
5. M. Houssa, E. Chagarov, and A. Kummel, MRS Bull. 34, 504 (2009).
6. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, and N. Sugiyama, Microelectron. Eng. 84, 2314 (2007).
7. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
8. S. M. George, Chem. Rev. 110, 113 (2010).
9. S. Swaminathan, M. Shandalov, Y. Oshima, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 96, 082904 (2010).
10. P. Darmawan, M. Y. Chan, T. Zhang, Y. Setiawan, H. L. Seng, T. K. Chan, T. Osipowicz, and P. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 93, 062901 (2008).
11. A. Dimoulas, D. Tsoutsou, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, G. Mavrou, S. F. Galata, and E. Golias, Appl. Phys. Lett. 96, 012902 (2010).
12. K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Kubota, and M. Niwa, Appl. Phys. Lett. 81, 2053 (2002).
13. T. J. Park, J. H. Kim, J. H. Jang, M. Seo, C. S. Hwang, and J. Y. Won, Appl. Phys. Lett. 90, 042915 (2007).
14. F. S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, B. Lee, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 93, 172907 (2008).
15. Y.-J. Cho, W. J. Lee, C. Y. Kim, M.-H. Cho, H. Kim, H. J. Lee, D. W. Moon, and H. J. Kang, J. Chem. Phys. 129, 164117 (2008).
16. A. Delabie, F. Bellenger, M. Houssa, T. Conard, S. V. Elshocht, M. Caymax, M. Heyns, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett. 91, 082904 (2007).