Improvements in the electrical properties of high-kHfO2 dielectric films on Si1-xGex substrates by postdeposition annealing

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 4, 2007, Pages

  Park, Tae Joo ^d   Kim, Jeong Hwan ^d   Jang, Jae Hyuk ^d   Seo, Minha ^d   Hwang, Cheol Seong ^a,b   Won, Jeong Yeon ^c  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Seoul National University   (South Korea)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^d NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITANCE; CURRENT DENSITY; DIELECTRIC FILMS; ELECTRIC PROPERTIES; LEAKAGE CURRENTS;

INTERFACIAL STRAIN ENERGY; LEAKAGE CURRENT DENSITY; POSTDEPOSITION ANNEALING; SECONDARY ION MASS SPECTROSCOPY;

POTASSIUM COMPOUNDS;

EID: 33846583687     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2432291     Document Type: Article

References (19)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
2. J. Park, M. Cho, S. K. Kim, T. J. Park, S. W. Lee, S. H. Hong, and C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 86, 112907 (2005).
3. M. Cho, H. B. Park, J. Park, S. W. Lee, C. S. Hwang, G. H. Jang, and J. Jeong, Appl. Phys. Lett. 83, 5503 (2003).
4. S. Saito, D. Hisamoto, S. Kimura, and M. Hiratani, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 33.3.1.
5. K. Goto, J. Murota, T. Maeda, R. Schutz, K. Aziwa, R. Kircher, K. Yokoo, and S. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 438 (1993).
6. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsel, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
7. B. Senapati, S. K. Samanta, S. Maikap, L. K. Bera, and C. K. Maiti, Appl. Phys. Lett. 77, 1840 (2000).
8. J. Park, T. J. Park, M. Cho, S. K. Kim, S. H. Hong, J. H. Kim, M. H. Seo, and C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 99, 094501 (2006).
9. R. M. C. de Almeida and I. J. R. Baumvol, Surf. Sci. Rep. 49, 1 (2003).
10. R. M. Wallace and G. D. Wilk, MRS Bull. 27, 192 (2002).
11. D. C. Paine, C. Caragianis, and A. F. Schwartzman, J. Appl. Phys. 70, 5076 (1991).
12. O. Vancauwenberghe, O. C. Hellman, N. Herbots, W. J. Tan, J. L. Olson, and W. J. Croft, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2.6, 1 (1991).
13. P. W. Li, H. K. Liou, E. S. Yang, S. S. Iyer, T. P. Smith III, and Z. Lu, Appl. Phys. Lett. 60, 3265 (1992).
14. O. Renault, D. Samour, J.-F. Damlencourt, D. Blin, F. Martin, S. Marthon, N. T. Barrett, and P. Besson, Appl. Phys. Lett. 81, 19 (2002).
15. D.-Y. Cho, S.-J. Oh, T. J. Park, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 89, 132904 (2006).
16. G. V. Samsonov, The Oxide Handbook (IFI/Plenum, New York, 1982), pp. 22-29.
17. E. Kasper and K. Lyutovich, Properties of Silicon Germanium and SiGe:Carbon (INSPEC, London, 2000), p. 125.
18. M. H. Cho, H. S. Chang, D. W. Moon, S. K. Kang, B. K. Min, D.-H. Ko, H. S. Kim, P. C. McIntyre, J. H. Lee, J. H. Ku, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 1171 (2004).
19. T. Sakurai and T. Sugano, J. Appl. Phys. 52, 2889 (1981).