The improvement of the field emission properties from graphene films: Ti transition layer and annealing process

AIP Advances

Volumn 2, Issue 2, 2012, Pages

  Li, Jun ^a,b   Chen, Jiangtao ^a   Luo, Baomin ^a,b   Yan, Xingbin ^a   Xue, Qunji ^a  

^a LANZHOU INSTITUTE OF CHEMICAL PHYSICS   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ANODES; ELECTROPHORESIS; FIELD EMISSION; GRAPHENE; MORPHOLOGY; REDUCED GRAPHENE OXIDE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TITANIUM OXIDES;

ARGON ATMOSPHERES; ELECTROPHORETIC DEPOSITIONS; FIELD EMISSION PROPERTY; FIELD-EMISSION BEHAVIOR; HIGH CURRENT DENSITIES; RAMAN SPECTROSCOPE; REDUCED GRAPHENE OXIDES (RGO); SILICON SUBSTRATES;

OXIDE FILMS;

EID: 84874089693     PISSN: None     EISSN: 21583226     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3702588     Document Type: Article

References (39)

1. W. Choi, I. Lahiri, R. Seelaboyina, and Y. S. Kang, Crit. Rev. Solid State 35, 52 (2010).
2. D. Li, M. B. Muller, S. Gilje, R. B. Kaner, and G. G. Wallace, Nat. Nanotechnol. 3, 101 (2008).
3. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruo, Science 324, 1312 (2009).
4. S. Shivaraman, R. A. Barton, X. Yu, J. Alden, L. Herman, M. V. S. Chandrashekhar, J. Park, P. L. McEuen, J. M. Parpia, H. G. Craighead, and M. G. Spencer, Nano Lett. 9, 3100 (2009).
5. K. S. Subrahmanyam, L. S. Panchakarla, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao, J. Phys. Chem. C. 113, 4257 (2009).
6. F. Banhart, J. Kotakoski, and A. V. Krasheninnikov, ACS Nano 5, 26 (2011).
7. J. A. Driscoll, B. Cook, S. Bubin, and K. Varga, J. Appl. Phys. 110, 024304 (2011).
8. S. Sun, L. K. Ang, D. Shiffler, and J. W. Luginsland, Appl. Phys. Lett. 99, 013112 (2011).
9. Z. S. Wu, S. F. Pei, W. C. Ren, D. M. Tang, L. B. Gao, B. L. Liu, F. Li, C. Liu, and H. M. Cheng, Adv. Mater. 21, 1756 (2009).
10. H. Yamaguchi, K. Murakami, G. Eda, T. Fujita, P. F. Guan, W. C. Wang, C. Gong, J. Boisse, S. Miller, M. Acik, K. Cho, Y. J. Chabal, M. W. Chen, F. Wakaya, M. Takai, and M. Chhowalla, ACS Nano 5, 4945 (2011).
11. A. Malesevic, R. Kemps, A. Vanhulsel, M. P. Chowdhury, A. Volodin, and C. V. Haesendonck, J. Appl. Phys. 104, 084301 (2008).
12. S. I. Cha, K. T. Kim, S. N. Arshad, C. B. Mo, K. H. Lee, and S. H. Hong, Adv. Mater. 18, 553 (2006).
13. Y. W. Jin, J. E. Jung, Y. J. Park, J. H. Choi, D. S. Jung, H. W. Lee, S. H. Park, N. S. Lee, J. M. Kim, T. Y. Ko, S. J. Lee, S. Y. Hwang, J. H. You, J.-B. Yoo, and C.-Y. Park, J. Appl. Phys. 92 1065 (2002).
14. S. Oh, J. Zhang, Y. Cheng, H. Shimoda, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 84, 3738 (2004).
15. H.-C. Su, C.-H. Chen, Y.-C. Chen, D.-J. Yao, H. Chen, Y.-C. Chang, and T.-R. Yew, Carbon 48, 805 (2010).
16. J.-O. Lee, C. Park, J.-J. Kim, J. Kim, J. W. Park, and K.-H. Yoo, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 1953 (2000).
17. D. S. Mao, X. H. Liu, X. Wang, and W. Zhu, J. Appl. Phys. 91, 3918 (2002).
18. Y. X. Qin and M. Hu, Appl. Surf. Sci. 255, 7618 (2009).
19. G.-R. Gu, Y.-A. Li, and T. Ito, Vacuum 85, 531 (2010).
20. W. Wijker, Appl. Sci. Res. 9, 1 (1961).
21. J. M. Bonard, C. Klinke, K. A. Dean, and B. F. Coll, Phys. Rev. B 67, 115406 (2003).
22. Z. L. Wang, P. Poncharal, and W. A. de Heer, Appl. Phys. Lett. 80, 856 (2002).
23. W. Hummers and R. Offeman, J. Am. Chem. Soc. 80, 1339 (1958).
24. X. B. Yan, J. T. Chen, J. Yang, Q. J. Xue, and P. Miele, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 2521 (2010).
25. S. A. Han, I. S. Choi, H. S. An, H. Lee, H. D. Yong, S. Lee, J. Jung, N. S. Lee, and Y. Seo, J. Nanosci. Nanotechno. 11, 1 (2011).
26. Z. H. Ni, H. M. Wang, Y. Ma, J. Kasim, Y. H. Wu, and Z. X. Shen, ACS Nano 2, 1033 (2008).
27. G. N. Fursey, Appl. Surf. Sci. 215, 113 (2003).
28. R. H. Fowler and L. Nordheim, Proc. R. Soc. A 119, 173 (1928).
29. Y. Zhang, J. Du, S. Tang, P. Liu, S. Deng, J. Chen, and N. Xu, Nanotechnology 23, 015202 (2012).
30. J. J. Li, C. Z. Gu, H. Y. Peng, H. H. Wu, W. T. Zheng, and Z. S. Jin, Appl. Surf. Sci. 251, 236 (2005).
31. X. M. Fan, H. G. Zhang, J. Wang, and Z. W. Zhou, Materials Science in Semiconductor Processing 13, 400 (2010).
32. S. I. Jung, S. H. Jo, H. S. Moon, J. M. Kim, D.-S. Zang, and C. J. Lee, J. Phys. Chem. C 111, 4175 (2007).
33. B. Xiang, Y. Zhang, Z. Wang, X. H. Luo, Y. W. Zhu, H. Z. Zhang, and D. P. Yu, J. Phys. D: Appl. Phys. 38, 1152 (2005).
34. L. Pan, T. Shoji, A. Nagataki, and Y. Nakayama, Adv. Eng. Mater. 9, 584 (2007).
35. P. Vincent, S. T. Purcell, C. Journet, and V. T. Binh, Phys. Rev. B 66, 075406 (2002).
36. N. Y. Huang, J. C. She, J. Chen, S. Z. Deng, N. S. Xu, H. Bishop, S. E. Huq, L. Wang, D. Y. Zhong, E. G. Wang, and D. M. Chen, Phys. Rev. Lett. 93, 075501 (2004).
37. J. Li, J. T. Chen, B. S. Shen, X. B. Yan, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 163103 (2011).
38. N. S. Liu, G. J. Fang, W. Zeng, H. Long, X. Fan, L. Y. Yuan, X. Zou, Y. P. Liu, and X. Z. Zhao, J. Phys. Chem. C 114, 8575 (2010).
39. R. C. Smith, D. C. Cox, and S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 87, 103112 (2005).