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Journal of Applied Physics

Volumn 113, Issue 4, 2013, Pages

Three-dimensional Poole-Frenkel analytical model for carrier transport in amorphous chalcogenides

(4) Betti Beneventi, Giovanni a Guarino, Lucrezia b Ferro, Massimo a Fantini, Paolo a

a MICRON TECHNOLOGY INC (United States)

b UNIVERSITY OF MILANO BICOCCA (Italy)

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ACTIVE MATERIAL; AMORPHOUS CHALCOGENIDE; CARRIER CONDUCTION; COULOMBIC BARRIER; ELECTRIC-FIELD DIRECTIONS; ELECTRONIC CURRENT; EXPERIMENTAL DATUM; HIGH ELECTRIC FIELDS; IV CHARACTERIZATION; MODEL CONSISTENCY; MODEL PARAMETERS; PHYSICAL PICTURES; POOLE-FRENKEL; TEMPERATURE DEPENDENCE; THREE DIMENSIONS;

ANALYTICAL MODELS; CHALCOGENIDES; ELECTRIC FIELDS; GERMANIUM; MODELS; PHASE CHANGE MEMORY;

THREE DIMENSIONAL;

EID: 84873684441 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.4788798 Document Type: Article

Times cited : (35)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.