Room-temperature synthesis of epitaxial oxide thin films for development of unequilibrium structure and novel electronic functionalization

Journal of the Ceramic Society of Japan

Volumn 121, Issue 1409, 2013, Pages 1-9

  Yoshimoto, Mamoru ^a   Yamauchi, Ryosuke ^a   Shiojiri, Daishi ^a   Tan, Geng ^a   Kaneko, Satoru ^a,b   Matsuda, Akifumi ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

Laser MBE; Novel structure; Oxide thin film; Room temperature epitaxial growth

Indexed keywords

DEPOSITION; EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); LASER ABLATION; NICKEL; PULSED LASER DEPOSITION; PULSED LASERS; SAPPHIRE; THIN FILMS; TIN;

COMPLEX OXIDE FILMS; ELECTRONIC APPLICATION; FUNCTIONALIZATIONS; LASER MBE; LOWER TEMPERATURES; NOVEL STRUCTURES; OXIDE THIN FILMS; ROOM TEMPERATURE SYNTHESIS;

OXIDE FILMS;

EID: 84872733410     PISSN: 18820743     EISSN: 13486535     Source Type: Journal    
DOI: 10.2109/jcersj2.121.1     Document Type: Article

References (59)

1. J. G. Bednorz and K. A. Müller, Z. Physik, B, 64, 189-193 (1986).
2. M. Yoshimoto, T. Maeda, K. Shimozono, H. Koinuma, M. Shinohara, O. Ishiyama and F. Ohtani, Appl. Phys. Lett., 65, 3197-3199 (1994).
3. M. Yoshimoto, T. Maeda, T. Ohnishi, H. Koinuma, O. Ishiyama, M. Shinohara, M. Kubo, R. Miura and A. Miyamoto, Appl. Phys. Lett., 67, 2615-2617 (1995).
4. M. Yoshimoto, K. Yoshida, H. Maruta, Y. Hishitani, H. Koinuma, S. Nishio, M. Kakihana and T. Tachibana, Nature, 399, 340-342 (1999).
5. M. Yoshimoto, H. Nagata, T. Tsukahara and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1199-L1202 (1990).
6. H. Koinuma, H. Nagata, T. Tsukahara, S. Gonda and M. Yoshimoto, Appl. Phys. Lett., 58, 2027-2029 (1991).
7. L. Lynds, B. R. Weinberger, G. G. Peterson and H. A. Krasinski, Appl. Phys. Lett., 52, 320-322 (1988).
8. A. Gupta, B. Braren, K. G. Kasey, B. W. Hussey and R. Kelly, Appl. Phys. Lett., 59, 1302-1304 (1991).
9. E. Robert, Service Science, 276, 895-897 (1997).
10. D. Sato, Y. Kashiwaba, K. Haga, H. Watanabe, B. P. Zhang and Y. Segawa, Vacuum, 74, 601-605 (2004).
11. J. Ye, S. Gu, S. Zhu, T. Chen, W. Liu, F. Qin, L. Hu, R. Zhang, Y. Shi and Y. Zheng, J. Vac. Sci. Technol., A, 21, 979-982 (2003).
12. T. W. Kim and Y. S. Yoon, J. Cryst. Growth, 212, 411-415 (2000).
13. A. Sasaki, W. Hara, A. Matsuda, N. Tateda, S. Otaka, S. Akiba, K. Saito, T. Yodo and M. Yoshimoto, Appl. Phys. Lett., 86, 231911 (2005).
14. A. Sasaki, J. Liu, W. Hara, S. Akiba, K. Saito, T. Yodo and M. Yoshimoto, J. Mater. Res., 19, 2725-2729 (2004).
15. M. Yoshimoto, T. Maeda, K. Shimozono, H. Koinuma, M. Shinohara, O. Ishiyama and F. Ohtani, Appl. Phys. Lett., 65, 3197-3199 (1994).
16. D. Kohl, M. Henzler and G. Heiland, Surf. Sci., 41, 403-411 (1974).
17. M. Aono, C. Oshima, S. Zaima, S. Otani and Y. Ishizawa, Jpn. J. Appl. Phys., 2, L829-L832 (1981).
18. T. Ohnishi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, K. Takahashi, M. Yoshimoto and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett., 72, 824-826 (1998).
19. H. Kobayashi, S. Tachibana, K. Yamanaka, Y. Nakato and K. Yoneda, J. Appl. Phys., 81, 7630-7634 (1997).
20. Y. J. Tian, S. Linzen, F. Schmidl, A. Matthes, H. Schneidewind and P. Seidel, Thin Solid Films, 338, 224-230 (1999).
21. T. Chikyow, L. Tye, N. A. El-Marsy and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 65, 1030-1032 (1994).
22. M. Yoshimoto, K. Shimozono, T. Maeda, T. Ohnishi, M. Kumagai, T. Chikyow, O. Ishiyama, M. Shinohara and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., 34, L688-L690 (1995).
23. M. Furusawa, J. Tashiro, A. Sasaki, K. Nakajima, M. Takakura, T. Chikyow, P. Ahmet and M. Yoshimoto, Appl. Phys. Lett., 78, 1838-1840 (2001).
24. T. Feng, A. K. Ghosh and C. Fishman, J. Appl. Phys., 50, 4972-4974 (1979).
25. W. A. Badwy, H. H. Afify and E. M. Elgiar, J. Electrochem. Soc, 137, 1592-1595 (1990).
26. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki, J. Cryst. Growth, 98, 209-219 (1989).
27. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai, Appl. Phys. Lett., 62, 2390-2392 (1993).
28. M. Ishida, Y Lee, T. Higashino, H. Seo and T. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 831-835 (1995).
29. M. Takakura, T. Miyahara, J. Tashiro, A. Sasaki, M. Furusawa and M. Yoshimoto, Mat. Res. Soc. Symp., 648, P6.5.1-P6.5.6 (2001).
30. K. Yoshida, M. Yoshimoto, K. Sasaki, T Ohnishi, T Ushiki, J. Hitomi, S. Yamamoto and M. Shigeno, Biophys. J., 74, 1654-1657 (1998).
31. A. Sasaki, H. Isa, J. Liu and M. Yoshimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 6534-6535 (2002).
32. N. Tsuda, K. Nasu, A. Fujimori and K. Siratori, "Electronic Conduction in Oxides", Springer Series in Solid State Sciences, 94, Chap. 5.6.2 (1991).
33. U. S. Joshi, Y Matsumoto, K. Itaka, M. Sumiya and H. Koinuma, Appl. Surf. Sci., 252, 2524-2528 (2006).
34. H. Ohta, M. Kamiya, T Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Thin Solid Films, 445, 317-321 (2003).
35. W. Shin and N. Murayama, Mater. Lett., 45, 302-306 (2000).
36. M. Matsumiya, F Qiu, W. Shin, N. Izu, N. Murayama and S. Kanzaki, Thin Solid Films, 419, 213-217 (2002).
37. M. Stamataki, D. Tsamakis, N. Brilis, I. Fasaki, A. Giannoudakos and M. Kompitsas, Phys. Status Solidi A, 205, 2064-2068 (2008).
38. J. A. Dirksen, K. Duval and T A. Ring, Sens. Actuators, B, 80, 106-115 (2001).
39. J. M. Tarascon and M. Armand, Nature, 414, 359-367 (2001).
40. M. Tachiki, T Hosomi and T Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., 39, 1817-1820 (2000).
41. Y Kakehi, S. Nakao, K. Satoh and T Kusaka, J. Cryst. Growth, 237, 591-595 (2002).
42. N. Shiraishi, Y Kato, H. Arai, N. Tsuchimine, S. Kobayashi, M. Mitsuhashi, M. Soga, S. Kaneko and M. Yoshimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 108001 (2010).
43. J. B. Goodenough, D. G. Wickham and W. J. Croft, J. Phys. Chem. Solids, 5, 107-116 (1958).
44. S. Mitani, S. Takahashi, K. Takanashi, K Yakushiji, S. Maekawa and H. Fujimori, Phys. Rev. Lett, 81, 2799-2802 (1998).
45. A. B. Pakhomov, X. Yan and Y Xu, J. Appl. Phys., 79, 6140-6142 (1996).
46. A. N. Drachenko, A. N. Yurasov, I. V. Bykov, E. A. Gan'shina, A. B. Granovskioe, V. V. Ryl'kov, D. V. Smirnov, J. Leotin and B. Dieny, Phys. Solid State, 43, 932-934 (2001).
47. B. Raquet, M. Goiran, N. Nègre, J. Léotin, B. Aronzon, V. Rylkov and E. Meilikhov, Phys. Rev. B, 62, 17144-17150 (2000).
48. S. H. Liou and C. L. Chien, Appl. Phys. Lett., 52, 512-514 (1988).
49. Z. S. Jiang, G. J. Jin, J. T. Ji, H. Sang, Y. W. Du, S. M. Zhou, Y D. Wang and L. Y. Chen, J. Appl. Phys., 78, 439-441 (1995).
50. D. Kumar, H. Zhou, T K. Nath, V. Alex Kvit and J. Narayan, Appl. Phys. Lett., 79, 2817-2819 (2001).
51. D. Kumar, S. Yarmolenko, J. Sankar, J. Narayan, H. Zhou and A. Tiwari, Compos., Part B Eng., 35, 149-155 (2004).
52. T. Shima, K. Takanashi, Y. K. Takahashi and K Hono, Appl. Phys. Lett, 88, 063117 (2006).
53. S. Zhu, X. Xiang, X. T. Zu and L. M. Wang, Nucl. Instrum. Methods B, 242, 114-117 (2006).
54. Z. Mao, Z. He, D. Chen, W. Y. Cheung and S. P. Wong, Solid State Commun., 142, 329-332 (2007).
55. A. Matsuda, S. Akiba, M. Kasahara, T. Watanabe, Y. Akita, Y. Kitamoto, T. Tojo, H. Kawaji, T. Atake, K. Koyama and M. Yoshimoto, Thin Solid Films, 516, 3873-3876 (2008).
56. H. Arai, R. Yamauchi, T. Kiguchi, K. Koyama, K. Kobayashi, T. Suzuki, T. Sasagawa, Y. Kato, N. Tsuchimine, S. Kobayashi, M. Mitsuhashi, S. Kaneko and M. Yoshimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 070206 (2011).
57. A. L. Patterson, Phys. Rev., 56, 978-982 (1939).
58. M. A. Hayward and M. J. Rosseinsky, Solid State Sci., 5, 839-850 (2003).
59. H. J. T. Ellingham, J. Soc. Chem. Ind., 63, 125-133 (1944).